Способ измерения удельного сопротивление

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

265986

Саюа Соввтскик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 31.Х.1962 (PLo 800972/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17.111.1970. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания бХП.1970

Кл. 21а, 71

МПК G Olr

УДК 621.317,332:621. .315.592 (088.8) Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

СПОСОВ ИЗМЕИНИЯ ДЕЛЬНОГО ЕОПРОТИВЛ НМ

Извес ген способ измерения удельного сопротивления материалов ло изменению добротности объемного колебательного контура при выполнении этого контура из исследуемого материала или введении внутрь его исследуемого материала.

Особенность предлагаемого способа состоит в том, что испытуемый материал вводят в зазор сердечника тороидальной катушки колебательного контура. Это дает возможность упростить процесс измерения.

На фиг. 1 изображен датчик с испытуемым полупроводниковым образцом; на фиг. 2— блок-схема устройства для осуществления предлагаемого способа.

Исследуемый образец 1 полупроводникового материала вводят в зазор 2 тороидального сердечника, на котором укреплена обмотка 8, являющаяся индуктивностью высокочастотного колебательного контура. Из-за возникающих в образце вихревых токов изменяется добротность контура. Сравнивая добротность контура до и после введения кристалла или пластины материала в зазор 2 сердечника, находят величину удельного сопротивления материала.

Изменение добротности, определяемое да1 чиком 4 (тороидальным сердечником с обмоткой), фиксируется индикатором 5 и может оцениваться по отклонению стрелки измерительного прибора 6. Датчик предварительно калибруют с помощью образцов, имеющих известное удельное сопротивление. Измерение производится бесконтактным методом, обеспечивающим измерение кристаллов малых раз10 меров (площадью до 2,25 мм2) с удельным сопротивлением 0,022 — 0,03б ом/cat. Погрешность не превышает 5 — 7 :о.

Предмет изобретения

15 Способ измерения удельного сопротивления, основанный на определении добротности резонансного колебательного контура, отлачшоtttttttcst тем, что, с целью упрощения процесса измерения величины удельного сопротивления

20 полупроводниковых кристаллов и тонких пластин из полупроводникового материала, кристалл или пластину вводят в зазор сердечника тороидальной катушки колебательного контура и по изменению величины добротности кон25 тура определяют удельное сопротивление испытуемого образца.

265986 Риг /

Редактор 5. b. Федотов Техред Л. Я. Левина

Корректор С. А. Кузовенкова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1738/4 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5