Патент ссср 254869
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
254869
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 08.Ч11.1967 (№ 1170878/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 17.Х.1969. Бюллетень ¹ 32
Дата опубликования описания 9.111.1970
Кл. 42!, 3/09
Комитет по цепам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК 6 01п
УДК 539.219.1.621.382 (088.8) s (;1 тт. -.=" т;» .., р
- г;"
Ш. М. Коган, Т. М. Лифшиц, Н. П. Лихтман, Ф. Я. Н щв,и "
В. И. Сидоров
Я1 Qg j 1»
Авторы изобретения
Институт радиотехники и электроники АН СССР
Заявитель
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВА И СОСТАВА
ПРИМЕСЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Предмет изобретения
Известны способы определения количества и состава примесей в полупроводниках с измерением величины фотопроводимости исследуемого объекта при облучении его светом.
Предложенный способ отличается от известных тем, что исследуемый объект облучают светом с энергией фотонов, меньшей энергии ионизации примесей, при этом количество примесей и их природу определяют по высоте и положению линий в спектре фототермической ионизации полупроводника.
При этом температура полупроводника подбирается такой, чтобы вероятность термической ионизации возбужденных уровней исследуемой примеси была значительной, а именно, чемпература в энергетических единицах должна быгь близка к /2 — /з разности энергий между энергией красной границы спектра примесной фотопроводимости и энергией, соответствующей данной линии в спектре фототермической ионизации.
При использовании этого способа, например, при исследовании германия, образцы помещают в гелиевый криостат, охлаждают до температуры, близкой к температуре жидкого гелия, и затем с помощью длинноволнового инфракрасного монохроматора и усилителя производится запись спектра.
Этот способ позволяет проводить раздельное количественное определение концентрации примесей разного сорта, при этом структура спектра фотопроводимости при уменьшении количества примесей не исчезает, а становится более четкой.
1. Способ определения количества и состава примесей в полупроводниках с измерением величины фотопроводимости исследуемого объекта при облучении его светом, отличающийся
15 тем, что, с целью повышения чувствительности, исследуемый объект облучают светом с энергией фотонов, меньшей энергии ионизации примесей, при этом количество примесей и их природу определяют по высоте и положению
20 линий в спектре фототермической ионизации полупроводника.
2. Способ по и. 1, отличаю цийся тем, что температуру полупроводника выбирают близкой к / — > разности энергий между энергией
25 красной границы спектра примесной фотопроводимости и энергией, соответствующей данной линии в спектре фототермической ионизации.