Патент ссср 251094

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

25Ю94

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советокик

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

К,, 21g, 1И2

Заявлено 20.VII.1966 (№ 1091516l26-25) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 26Х111.1969. Бюллетень ¹ 27

Дата опубликования описания 22.|.1970

МПК Н 011

УДК 621.3.082.6:621, .382.2 (088.8) Комитет по делам кэобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

П. И. Германский, Н. В. Галенко и В, Я. Майстрово

Заявитель

ОТЫА

УСТРОЙСТВО ДЛЯ МНОГОКРАТНЪ|Х ИСПЫТАНИЙ

ПОЛ УПРОВОДНИКОВЪ|Х ПРИБОРОВ НА ВТОРИЧНЫЙ

ПРОБОЙ

Известно устройство для многократных испытаний полупроводниковых приборов на вторичный, пробой, содержащее генератор импульсов мощности и короткозамыкающую быстродеиствующую цепь.

Описываемое устройство позволяет многократно испытывать на вторичный пробой все известные типы полупроводниковых приборов независимо от исходного магериала, типа проводимости и технологии изготовления.

С помощью предлагаемого устройства может быть определена область безопасной работы и получена возможность исследовать развитие вторичного пробоя при разных условиях окружающей среды и различных режим ах работы полупроводникового прибора.

Это достигается тем, что устройство содержит схему формирования, импульсов управления, включенную между испытуемым прибором и короткозамыкающей цепью и содержащуlo ограничитель, дифференцирующую цепь и инвертор.

На чертеже приведена принципиальная схема устройства для многократных испытаний полупроводниковых приборов на вторичный пробой.

Устройство содержит клеммы 1, 2 для подключения,испытуемого полупроводникового прибора 8, генератор 4 импульсов запуска, схему 5 формирования импульсов управления и быстродействующую короткозамыкающую цепь 6, 7.

Схема формирования импульсов управления содержит ограничитель уровня напряжения (стабилитрон 8 и резистор 9), дифференцирующую цепь (конденсатор 10 д входное сопротивление транзистора 11) и инвертор (транзистор 11 и рези=гор 12). Для измере10 нпя тока испытуемого прибора в цель вклк чен резистор И.

Прннцип действия устройства следующий.

С генератора 4 на исследуемый прибор 3 подается одиночный импульс мощности, позволяющий ввести прибор во вторичныи пробой. Напряжение .с исследуемого прибора 8 подает"я на ограничитель уровня напряжения вЂ” стабилитрон 8. При появлении резкого спада напряжения в момент развития вторичного пробоя на исследуемом приборе ниже порога ограничения дифференцирующая цепь формирует короткий им:пульс, соответствующий по времени этому спаду, который после инвертирования (транзистор 11) включает

25 короткозамыкающlill TlfplLcTQp

Таким образом, исследуемый,полупроводниковый прибор в момент «сваливания» во вторичный пробой оказывается обесточенным.

251094

Предмет изобретения

z rГ1 (1

1! ! ! ч ! ! !

Составитель Г. Петрова

Редактор Б. С. Панкина Техред T. H. Курилко 1(орректор P. И. Крючкова

Заказ 3790,5 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ !(омитета но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва г!(-35, Раушская наб., д. 4(5

Тшюграфия, пр. Сапунова, 2

Устройство для многократных испытаний полупроводниковых приборов на вторичньш пробой, содергкащее клеммы для подключения испытуемого прибора, генератор импульсов управления, короткозамыкающую быс1родействующую цепь, отличпющееся тем, что, с целью предотвращения разрушения испытуемого полупроводникового прибора при многократных и" пытаниях на вторичный,пробой, оно содергкит схему формирсвания импульсов

5 управления, включенную между испытуемым прибором и короткозамыкающей цепью и содержащую ограничитель, д!ифференцирующую цепь и ипвертор.

Похожие патенты:

Патент 248848 // 248848

Устройство для измерения параметров р—п-перехода // 244511

Импульсный мост для измерения электрических параметров р-п- перехода // 244503

Устройство для классификации полупроводниковых вентилей по величине обратного пробивногонапряжения // 241547

Устройство для измерения времени запираниятиристоров // 240533

Способ контроля качества изготовления элементов внутреннего люнгажа полупрозодниковьгх приборов // 238671

Патент 236671 // 236671

Способ измерения емкости туннельного диода // 236628

Цифровой измеритель статического коэффициента передачи тока транзисторов // 236564

Устройство для измерения переходных характеристик полупроводниковых приборов // 234524

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим