Импульсное переключающее устройство
Сок1э Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства М
Заявлено 01.XI I.1967 (№ 1200141/26-9) с присоед11нением заявки М
Приоритет
Опубликовано 03.11.1969. Бюллстсиь Л 7
Дата опубликования описа:шя 1.т 11.1969
Кл. 21 al, 36, 18
:11П1у Н 031
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.375.018.756:
:621.395.65 (088.8) Авторы изобретения
Е. И. Куфлевский и В. Е. Ланкин
Заявитель
Таганрогский радиотехнический институт
ИМПУЛЬСНОЕ П Е Р Е КЛ 1О Ч А 1О Щ Е Е УСТРОЙСТВО
Известны импульсные переключающие устройства, управляемые импульсным трансформатором. Если импульсы управления в иих поступают по случайному закону It меняют свою длительность, то трансформатор ое управление оказывается неприемлимым из-за необходимости конструктивного усложнения трансформатора, обусловленного противоречиями предьявляемых к нему требований.
Предлагаемое устройство отличается or известных тем, что коллектор управляющего транзистора, связанный гальваничсски с коллекторами транзисторов ключевогo каскада, соединен с эмиттером дополнительного диффузного транзистора, база которого включена непосредственно между коллектором повторителя и резистором, соединенным с отрицательным полюсом источника пита t»st, при этом участок база — эмиттер дополнительного транзистора зашунтирован диодом, 1103,êotoченным катодом к эмиттеру, а коллектор этого же транзистора гальванически связан с упомянутым отрицательным полюсом источника питания. Это ускоряет процесс рассасывания неосиовных носителей базы ключевого каскада и повышает его быстродействие.
Электрическая схема предлагаемого переключающего устройства приведена на чертеже.
В иcходпом положcøø трапзистор 1, выполняющий роль эм1ггтериого повтор 1тсля с 12стичиой коллскторной 112грузкой и гиде резистора 2, и управляюшии траизи тор 3 за5 перты с помощьo t002Boчиого источника пиT 2 11 1t sI, l1 0 1: I Io i 2 o ) t 0 i 0 к 3 а ж I I II i 4. Т р а и 311 стор 5 «стянут в точку», т. е. напряжение между его электродами равно нулю.
Передний tl)polIT отрицательного импульса
10 управления открывает последовательно транзисторы 1 и, >. Бчагодаря тому, что Tp2ti;litстор 5 по-пpcжис. 1) Закрыт, Вссь тоl x прав— л е и и 11 3 2 х! ы к 2 o сT c 2 и ) ц с п и и с р с х 0 д к О л л с к т 0 р— эмиттер тр:il3110T;)p2 5 -переход колл:ктор—
15 база сплавных траиз11сторов 6» 7, образующих ключевой каска 1 в штвсрсном включении. Величина тока управления определяется резистором 8. По окончании дсйств11я управляю цего импульса транзисторы 1 и 8 закры20 ваются, 2 транзистор 5 открывается за счет остаточного напряжения между кол.-,екторî)t
ii базой куно свых Tp;»I31tcTopot).
Рассасывапис иеосиовиых носителей базы транзисторов 6 и 7 происходит по низкоом25 и 011 Iketltt:t 11;ы щс:iп1..1й пер схо I, 1 o. t tot i ор--эмиттер тр;шзистора 5 — сопротивлсиис источника питания, отрицательным полюсом подключенного к зажиму 9. Благодаря этому задний трронт формируемого импульса резко
30 уменьшается, приолижаясь по величште к
236528
l (Р с д .,I с 1 II з î î P с f е I II и
Составпгсль В. Волков
Pi акгор O. Филиппова сирс t Л. )!. Левина (>;оррсктор Г. И. Плешакова ;кап II 3 > Тира)к 480 Подписное
I JI II IIIIII Ко>п!тога по псла!и ttitî!Bðñtñtt;:è ii о!крпгпш ири Сове)с Мип tnf)ott СССР
Москва. II>.t:òð, пр. Серова, )Ь 4
Типограг(п!5!, пр, Сапунова, 2 длительности перс;Iilci о фро та. ДлитсльИОС IЬ ИСРСДИСГО IJ)POil fii ОИРСДСЛЯСТСЯ ClioPOC I ЬIО ICPC K 110 !СИ И 5! Днфф> III I>IX I Р ii! I:Ji! C 11)
POI3 >, IlP3I3f15iI01ÖC1 0 3 СИЛИТС.IЯ. (Я КИ)1 OOP 330)! > TPai131!CTOP >) — - УII P 31335110Ill II É, TPrИ13ИСТ0Р >> — 13CiIO)IO! ETC I>ll i>I J!, 10полн!!ге,ll.ао ввсдеииый в устро ciao. ТраизиСТОР >, 13 КЛ !О IC!I ill>I и ПО СХС)! С С IiO, I, I C KTO Pl! 0Э."!и !ТС()11011 llcli p, 3KOH, С,1, iKIIT Одновре)IPFIIIO, KBK Э)II!TÒÑPIII>!1I iloi;TOPI!TC.1Ь, О) фЕP!ii>1)i КЕ1С10 3am,:Illfacf o i пРОООЯ I3 ооратном lii . од эми)тс;: — ояза
ТРаilзi!CTOPII ).. ((мп3 льсиос псрскл1очающсL ус. ройство, содср)к!1!цсс и а 1)хо Ic э)! и 1"I сри ы и 11013Topl!тель, ICJ!!)HI!:Iчсски соедilllcil!!!>1!I с базой уllравляющего транзистора, а Iia выходе е,llo !с!30й каскад с инВсрсио Вкл)оченными . и, 3:3 и ьl м и т р 31!3! I c To p B i) I I I, 0 т. !! ч Й 10 1! сеся т е м, !то, с цель!О ускорения Г1роцссса ряссясьгвя5 iliisi нсосновиых носителей базы кл)о>!евого
I ;ас! я (H и НОВышсн ия cl 0 ОыстродейстВия, кол IciiTop управляющего транзистора, связанный гальванически с коллекторами транзисторов кл!ОчеВОГО каскада, соединен с эъ!1!тте10 ром дополшггсльного диффузного транзистора, база которого включена непосредственно мс)кду коллектором повторителя и резистором, соединенным с отрицательным посиосом
liCTOi1ИИКЯ ПИТЯ!ИI Я, IIPH ЭТОМ > -iBC fOK 0333
15 эм1!т)ер «ОНО 1i-:ilте1 Ho! o т,)анзистора заш; итироваи диодом, подклю ILIIHbDI катодом к э >1lгl Tcру, а ко. 1. !сктор это! О )ке трянзиcTÎра
ГЯ. 11 13СИ111 IЕСК I СВ5!33Н С УИО)!ЯИ ТЫ)! OTPIIIIB I С, I!>Ill>! )i ИОЛ!ОСОМ l! CTO Il! IIKci ll! ITBII!Ia.
