Способ создания изоляции соединений в интегральных системах
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
234525
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 14Х111.1967 (№ 1177944/26-25) Кл. 210., 11/02 с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 10.1.1969. Бюллетень № 4
Дата опубликования описания 21 V.1969
МПК Н Oll
УДК 621.382.002 (088,8) Ко1аитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР, . а4, В. В, Жуков, В. В. федотова и Т. С. Петракова
Авторы изобретения
Заявитель
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ СОЕДИНЕНИЙ
В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМАХ
Настоящее изобретение oTIiocIITcII к микроэлектронике, может быть применено в производстве интегральных систем.
Известен способ создания изоляции соединений в интегральных системах, состоящий в том, что поверх соединений наносят изоляционный слой, в котором при помощи фотолитографии и травления проделывают отверстия дл5! Выхода на конта кTнь!е и. !ощадкll, заTем поверх изоляционного слоя в вакууме наносят слой;IëlÎMllíия, на которох! методох! Литогра фии и травления получают конфигурацию соединений второго слоя. Пр:! гравлении в изоляционном слое окон над контактными площадками возникает ступенька, и для надежного соединения между интегральными схемами необходимо напылить толстый слой алюминия. В качестве изоляцио!шого слоя используют моноокись кремния, получаемую напылением в вакууме.
Получение пленки моноокиси кремния с высокими изоляционными свойствами сопря>кено с большими технологическими трудностями, причем пленка оказывается с большим количеством проколов.
Цель настоящего изобретения заключается в получении изоляционных слоев с улучшенными характеристиками и в упрощении технологии их изготовления. Достигается она тем, что используют пленку окиси алюминия
2 (А1,0,), полученную электрохимическим анодированием пленки алюминия, причем нужные места с проводящими с бластями от анодирования защшцаются фоторезистом на основе 24О/р-ного нафтохинондиазида.
Предложенный спосоо заключается в следующем.
На кремниевую пластинку с готовыми интегральными схемами наиыляют в вакууме
10 пленку алюминия, На этой пленке при помощи фотолитографии выполняют конфигурацию соединений между интегральными схемами, пр1! 1ехl пленка оголена от фоторезиста по конфигурации соединений, в то время как осталь15 ная часть защищена фоторезпстом, Кремниевую пластину помещают в электролит.
Пленку алюминия анодируют в кислом электролите со свинцовыми электрод!!к!и при постоянном напряжении 60 в.
20 Состав электролита:
Щавелевая кислота, г 30
Лимонная кислота, г 100
Дистиллированная вода, л 1
25 После покрытия соединений пленкой фоторезист снимают, а затем наносят снова, но теперь он защищает контактные площадки и внутрисхемные соединения в интегральных схемах. После этого алюминиевую пленку по30 мешают в травитель, который не действует на
234525
Составитель М. Ф. Сорокина
Редактор Б. Б. Федотов Техред Л. Я. Левина Корректор А. П. Васильева
Заказ 645/2 Тираж 465 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совеге Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2 окись алюминия, защищающую конфигурацию соединений интегральных схем.
Состав травителя:
Хлорная медь, г 24
Плавиковая кислота, ил 4,5
Дистиллированная вода, лл 200
В результате травления получают первый слой межсхемных соединений интегральных схем, покрытых пленкой окиси алюминия.
Снова напылив в вакууме слой алюминия, фотолитографией и травлением выполняют конфигурацию второго слоя соединений. Пленка окиси алюминия практически не дает ступеньки, что позволяет многократно чередовать слои с конфигурациями межсхемных соединений с изолирующими. При толщине пленки
0,4 мк удельная емкость пересечений
5000 аф/см-в, пробойное напряжение 40 — 50 в.
Предмет изобретения
5 Способ создания изоляции соединений в интегральных системах, включающий напыление в вакууме алюминия и фотогравировку, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик изоляции соединений в интегральных
10 системах и упрощения технологии их изготовления, проводят электрохимическое анодирование конфигурации межсхемных соединений пленки алюминия, напыленной в вакууме, затем защищают фоторезистом контактные пло15 щадки и внутрисхемные соединения и травят в травителе, не стравливающем пленку окиси алюминия.
