Диодный выключатель
Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в различных устройствах СВЧ диапазона. Диодный выключатель состоит из диэлектрической пластины, на одной стороне которой расположен разомкнутый на конце центральный проводник входной микрополосковой линии (МПЛ), а в заземляющем проводнике МПЛ расположена короткозамкнутая на конце симметричная щелевая линия (СЩЛ), причем плоскости симметрии этих линий совпадают. С целью увеличения ослабления СВЧ сигнала в режиме запирания переключательные СВЧ диоды включены между концом МПЛ и двумя полуплоскостями симметричной щелевой линии на расстоянии
от короткозамкнутого конца СЩЛ (
- длина волны в СЩЛ на средней частоте рабочего диапазона), а устройство управления подсоединено к одному переключательному СВЧ диоду. Техническим результатом является увеличение ослабления СВЧ сигнала в режиме запирания. 5 ил.

от короткозамкнутого конца щелевой линии, где
- длина волны в щелевой линии на средней частоте рабочего диапазона.Сущность изобретения поясняется чертежом, где на фиг.1 показано устройство предлагаемого диодного выключателя, на фиг.2 - сечение по А-А, на фиг.3 - силовые линии электрического поля основной волны в микрополосковой линии, на фиг.4 - силовые линии электрического поля основной волны в симметричной щелевой линии, на фиг.5 - расположение диодов в выключателе.Диодный выключатель состоит из диэлектрической пластины 1, на одной стороне которой расположен центральный проводник входной микрополосковой линии (МПЛ) 2, а в заземляющем проводнике МПЛ расположена короткозамкнутая на конце симметричная щелевая линия (СЩЛ) 3, двух переключательных СВЧ диодов 4 и 5, включенных между концом МПЛ 2 и двумя полуплоскостями 6 и 7 щелевой линии 3 на расстоянии
от короткозамкнутого конца щелевой линии, где
- длина волны в щелевой линии на средней частоте рабочего диапазона, и устройства управления (УУ) 8, подсоединенного к переключательному СВЧ диоду 4.Работу выключателя можно пояснить следующим образом. В случае симметричного расположения центрального проводника МПЛ относительно щелевой линии передачи основная волна в МПЛ (фиг.3) не возбуждает основную волну в СЩЛ (фиг.4) и наоборот, т.к. эти волны являются ортогональными. Это обусловливает большую величину развязки между волнами в МПЛ и СЩЛ.Величина развязки не изменится, если симметрично относительно плоскости симметрии OO
включить два переключательных СВЧ-диода с одинаковыми параметрами (фиг.5). Благодаря этому диодный выключатель обеспечит большее ослабление сигнала в режиме запирания.Если комплексные сопротивления диодов VD1 и VD2 не равны между собой, то протекающие по ним токи возбуждают основную волну в СЩЛ, причем ее амплитуда будет тем больше, чем больше будет разница между комплексными сопротивлениями диодов.Для проверки работоспособности выключателя он был изготовлен на основе диэлектрической пластины из материала ФЛАН-10. В качестве диодов были использованы p-i-n диоды 2А503А. Измерения, проведенные на частоте
=2 ГГц, показали, что выключатель обладает ослаблением в режиме пропускания не более 1,5 Дб и в режиме запирания не менее 38 Дб.Макет переключателя (прототип), изготовленный на основе МПЛ с одним диодом 2А503А, имел ослабление в режиме запирания не более 15 Дб.Таким образом, представленный выключатель позволяет увеличить ослабление СВЧ сигнала в режиме запирания.Формула изобретения
Диодный выключатель, состоящий из диэлектрической пластины, на которой расположены входная разомкнутая на конце микрополосковая линия передачи и выходная линия передачи, между которыми включен переключательный СВЧ-диод, подсоединенный к устройству управления, отличающийся тем, что в выключатель введен второй переключательный СВЧ-диод, а выходная линия выполнена в виде щелевой линии передачи, короткозамкнутой на конце и расположенной так, что вертикальные продольные плоскости симметрии микрополосковой и щелевой линий передач совпадают, причем переключательные СВЧ-диоды включены между концом микрополосковой линии и разными полуплоскостями щелевой линии на расстоянии
от короткозамкнутого конца щелевой линии, где
- длина волны в щелевой линии на средней частоте рабочего диапазона, а амплитуда возбуждаемой в симметричной щелевой линии основной волны будет тем больше, чем больше будет разница между комплексными сопротивлениями диодов.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5



















