Способ определения высоты потенциального барьера диода с барьером шоттки

 

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к определению высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки. Технический результат изобретения заключается в определении высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки по вольт-амперным характеристикам, измеренным при температурах Т₁ и Т₂ для одной и той же величины тока. Способ заключается в том, что измеряют вольт-амперные характеристики n-p перехода диода с барьером Шоттки при температурах Т₁ и Т₂ для одной и той же величины тока, определяют по ним напряжение U₁ и U₂ на n-p переходе указанного диода и по формуле определяют величину потенциального барьера _b. 1 ил.

Текст описания в факсимильном виде (см. графическую часть).

Формула изобретения

Способ определения высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки, при котором измеряют вольт-амперные характеристики n-p перехода диода при различных температурах, отличающийся тем, что измеряют вольт-амперные характеристики n-p перехода указанного диода при температурах Т₁ и Т₂ для одной и той же величины тока, для температур Т₁ и Т₂ определяют по ним напряжение U₁ и U₂ на n-p переходе указанного диода и вычисляют величину потенциального барьера диода с барьером Шоттки _b по формуле где Т - температура, К; е - заряд электрона, е= 1,60210^-19 Дж/Кл; k - постоянная Больцмана, k= 1,380610^-23 Дж/Кл; n - показатель идеальности, зависящий от концентрации легирующей примеси; _b - высота потенциального барьера диода с барьером Шоттки, В.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5