Изобретение относится к физике твердого тела, в частности к магнитооптике, оптической спектрофотометрии. В диапазоне длин волн
=0,6-1,1 мкм регистрируют спектры оптического отражения и оптического пропускания образцов. На основе этих спектров рассчитывают и строят спектры оптического поглощения. По наличию и высоте пиков на определенных длинах волн на спектрах оптического поглощения с помощью специальных математических формул определяется концентрация туллия или иттербия. Техническим результатом изобретения является возможность определения концентрации редкоземельных примесей в монокристаллических ферритах-гранатах с минимальной концентрацией примесей. 5 ил.
Изобретение относится к физике твердого тела, в частности к магнитооптике, оптической спектрофотометрии, и может быть использовано для оценки концентрации ионов редкоземельных элементов (туллия, иттербия) в монокристаллических ферритах-гранатах, а также при отборе эпитаксиальных пленок ферритов-гранатов для производства высокодобротных приборов магнитооптики.
При выращивании монокристаллов редкоземельных ферритов-гранатов, эпитаксиальных пленок для ЦМД-техники и магнитооптики работа технологов неизбежно упирается в необходимость контроля концентрации редкоземельных ионов. Однако прямые методы измерения концентрации ионов Тm
3+ и Yb
3+ (рентгеноспектральный микроанализ, электронная ожеспектроскопия, электронная спектроскопия для химического анализа, вторичная ионная масс-спектроскопия) являются дорогостоящими, трудоемкими и в большинстве случаев - разрушающими. В связи с этим, авторами была поставлена задача найти дешевый экспресс-метод определения концентрации редкоземельных примесей (ионов туллия и иттербия) в монокристаллических ферритах-гранатах.
Существуют способы контроля примеси в кристаллах гранатов, в которых пики дополнительного поглощения (центры окраски) связывают с конкретным типом примеси (ростовых дефектов) (см. Н.С. Ковалева и др. Связь образования радиационных центров окраски с ростовыми дефектами в кристаллах ИАГ: Nd. "Квантовая электроника", 1991, т.8, 11, с. 2435-2438). Однако данные способы применимы только для лазерных кристаллов-гранатов на основе Y
3Al
5O
12 и не могут использоваться для контроля ионов Тm
3+ и Yb
3+ в монокристаллических ферритах-гранатах.
Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является "Оптический способ контроля качества монокристаллических ферритов-гранатов" (см. Костишин В.Г., Медведь В.В., Летюк Л.М., Шипко М.Н. Патент РФ на изобретение 2157576. Зарегистрирован в государственном реестре изобретений Российской Федерации 10 октября 2000 г.) Однако данный способ применим для качественного контроля ионов свинца в ферритах-гранатах и не может использоваться для контроля других примесей (в частности ионов туллия и иттербия).
Сущность предлагаемого способа состоит в следующем. При попадании в додекаэдрическую подрешетку граната ионов Тm
3+ в его оптическом спектре поглощения появляется интенсивный пик с максимумом при
max = 0,685 мкм, а при попадании Yb
3+ - пик с максимумом при
max = 0,971 мкм.
Было найдено, что концентрация ионов Тm
3+ связана логарифмической функцией (фиг.1) с высотой пика (фиг.2), соответствующего иону Тm
3+, C
Tm = 1,123

ln(Н
Tm/Н
0) - 3,02; где Н
0 = 1 см
-1; Н
Tm - высота пика, соответствующего Тm
3+ с максимумом при
max = 0,685 мкм, см
-1; С
Tm - концентрация Т
m в атомах на формальную единицу граната, далее - формульные единицы (ф.е.).
Аналогично для Yb
3+ зависимость имеет вид С
Yb = 0,604

ln(Н
Yb/Н
0) - 0,86; где Н
Yb - высота пика, соответствующего Yb
3+ с максимумом при
max = 0,971 мкм, см
-1; С
Yb - концентрация Yb, ф.е.
Эти зависимости позволяют по высоте пика дополнительного поглощения определить концентрацию примеси Тm
3+ или Yb
3+.
Таким образом, признаками ПРЕДЛАГАЕМОГО способа являются: 1. Регистрируются оптические спектры отражения и пропускания материала.
2. На основе этих спектров рассчитывают и строят спектры оптического поглощения.
3. Для регистрации спектров используется спектральный диапазон

= (0,6

1,1) мкм.
4. Определяется высота пика при
max = 0,685 мкм для Тm-содержащих пленок, высота пика при
max = 0,971 мкм для Yb-содержащих пленок.
5. По формулам С
Tm = 1,123

ln(Н
Tm/Н
0) - 3,02; С
Yb = 0,604

ln(Н
Yb/Н
0) - 0,86 определяется концентрация в формульных единицах ионов Тm
3+, Yb
3+.
На фиг. 1 представлена логарифмическая зависимость между концентрацией ионов Тm
3+ и высотой пика, им соответствующего.
На фиг.2 показан способ определения высоты пика.
На фиг. 3 показан спектр поглощения эпитаксиальной монокристаллической пленки (BiTm)
3(FeGa)
5O
12 толщиной 7,74 мкм.
На фиг. 4 показан спектр поглощения эпитаксиальной монокристаллической пленки (YYbBi)
3(FeGa)
5O
12 толщиной 5,57 мкм.
Разработанный способ был реализован следующим образом. Образцами служили эпитаксиальные монокристаллические пленки (BiTm)
3(FeGa)
5О
12 и (YYbBi)
3(FeGa)
5О
12 толщиной h = (4

13) мкм, выращенные методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) на подложках Gd
3Ga
5О
12 ориентации (111), а также монокристаллические пластины Y
0,94Tm
1,2Bi
0,86Fe
5О
12 толщиной h=30 мкм и толщиной h = 60 мкм. Спектры пропускания и отражения регистрировались на спектрофотометре "Lambda-9" фирмы "Perkin-Elmer". Далее рассчитывался спектр поглощения, затем проводился анализ спектрального положения и высоты пиков и расчет концентрации ионов примеси.
Пример 1.
В качестве образца использовалась эпитаксиальная монокристаллическая пленка (BiTm)
3(FeGa)
5О
12 толщиной 7,74 мкм, выращенная методом ЖФЭ из раствора в расплаве на основе РbО-Вi
2О
3-В
2О
3. На фиг.3 представлен спектр поглощения пленки в диапазоне (0,6

1,1) мкм.
Как видно из фигуры, в спектре поглощения наблюдается интенсивный пик с
max = 0,685 мкм и высотой Н
Тm = 200 см
-1.
По формуле С
Tm = 1,123

ln(Н
Tm/Н
0) - 3,02 находим С
Tm = 2,93 ф.е.
Пример 2.
В качестве образца использовалась эпитаксиальная монокристаллическая пленка (YYbBi)
3(FeGa)
5О
12 толщиной 5,57 мкм, выращенная методом ЖФЭ из раствора в расплаве на основе СаСО
3-Вi
2О
3-V
2О
5. На фиг.4 представлен спектр поглощения пленки в диапазоне (0,6

1,1) мкм.
Как видно из фигуры, в спектре поглощения наблюдается интенсивный пик с
max = 0,971 мкм и высотой Н
Yb = 25 см
-1. По формуле С
Yb = 0,604

ln(Н
уb/Н
0) - 0,86 находим С
Yb = 1,08 ф.е.
Пример 3.
В качестве образца использовалась монокристаллическая пластина Y
0,94Tm
1,2Bi
0,86Fe
5О
12 толщиной h = 60 мкм. На фиг.5 представлен спектр поглощения указанного образца в диапазоне (0,6

1,1) мкм.
Как видно из фигуры, в спектре поглощения образцов наблюдается интенсивный пик с
max = 0,685 мкм и высотой Н
Tm = 42 см
-1.
По формуле С
Tm = 1,123

ln(Н
Tm/Н
0) - 3,02 находим С
Tm = 1,123

ln(42) - 3,02 = 1,18 ф.е.
Формула изобретения
Оптический способ контроля редкоземельных примесей в монокристаллических ферритах-гранатах, включающий их спектрофотометрию и анализ спектрального положения и высоты пиков, отличающийся тем, что в диапазоне длин волн

= (0,6

1,1) мкм регистрируют спектры оптического отражения и пропускания, рассчитывают спектр оптического поглощения, а концентрацию ионов туллия Тm и иттербия Yb рассчитывают по высоте характерных пиков поглощения:
Тm - по высоте пика с максимумом при

= 0,685мкм, используя формулу
С
Tm = 1,123

1n(Н
Tm/Н
0) - 3,02,
где С
Tm - концентрация ионов Тm в формульных единицах;
Н
Tm - высота пика оптического поглощения ионов Тm в см
-1, Н
0= 1 см
-1,
Yb - по высоте пика с максимумом при

= 0,971 мкм, используя формулу
C
Yb = 0,604

1n(Н
Yb/Н
0) - 0,86,
где С
Yb - концентрация ионов Yb в формульных единицах;
Н
Yb - высота пика оптического поглощения ионов Yb в см
-1, Н
0= 1 см
-1.
РИСУНКИ
Рисунок 1,
Рисунок 2,
Рисунок 3,
Рисунок 4,
Рисунок 5