Элемент оптической памяти

 

Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике в качестве запоминающих устройств. Элемент оптической памяти содержит гетероструктуру n-InSb-SiO₂-P-Si, полученную путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при 300^oС с последующей термической перекристаллизацией. Эффект оптической памяти составляет в нем ~ 40-50% при температуре жидкого азота в ближней ИК-области спектра.

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике в качестве запоминающих устройств.

Имеющиеся элементы оптической памяти на основе гетеропереходов А^IIB^VI и А^IIIB^V дают эффект оптической памяти до 30-40% в видимой области спектра [1] .

Элемент оптической памяти на основе гетероструктуры n-InSb-SiO₂-P-Si, полученной термической перекристаллизацией пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния, имеет в ближней ИК-области спектра 27 мкм эффект оптической памяти ~ 4050% при температуре жидкого азота. Коэффициент оптической памяти составляет ~ 10⁴10⁵.

Элемент оптической памяти изготавливается путем создания гетероструктуры n-InSb-SiO₂-P-Si, получаемой напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния при температуре ~300^oС с последующей термической перекристаллизацией. К P-Si и к пленке n-InSb припаивают эвтектическим сплавом In-Sn тонкие медные проволочки для измерения тока памяти после выключения освещения при температуре жидкого азота. Измерения дают значения тока памяти ~4050% после выключения освещения в ближней ИК-области спектра.

Литература [1] А. В. Симашкевич. Физические свойства гетеропереходов на основе соединений A^IIB^VI. Кишинев. Штиица, 1980 г., 162 с.

Формула изобретения

Элемент оптической памяти, содержащий гетероструктуру n-InSb--SiO₂-P-Si, отличающийся тем, что данная гетероструктура получена напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложку, которая выполнена из окисленного кремния, при 300^oС с последующей термической перекристаллизацией.