Способ изготовления деталей из керамики для гис свч
Авторы патента:
Использование: электронная техника. Технический результат: снижение трудоемкости изготовления и стоимости деталей и повышение точности изготовления. Сущность изобретения: в качестве исходного материала используют готовые подложки из отожженной керамики, на которые после очистки поверхности наносят металлическую маску и проводят травление керамики с целью формообразования. Затем удаляют формообразователь-маску обработкой на воздухе при температуре травления. Далее разделяют подложку на отдельные детали и проводят их контроль. 2 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам изготовления деталей корпусов полупроводниковых приборов и элементов корпусов ГИС.
Известен способ изготовления деталей, например крышек колпачкового типа из диэлектрических материалов, полистирола и оргстекла, методом вытяжки-формовки в стальных штампах с подогревом заготовки при 120-150oС [1]. Недостатком данного способа является применение сложной дорогостоящей оснастки, окупающей себя лишь при крупносерийном производстве. Известен способ изготовления керамических деталей, включающий приготовление сырьевых материалов, предварительную обработку при 1300-1500oC, пластифицирование парафином, пчелиным воском и олеиновой кислотой, формование деталей горячим литьем под давлением на литьевых машинах путем заполнения металлических литьевых форм горячим шликером, затвердевание шликера в форме и извлечение детали из нее, термообработку на воздухе для удаления связки при 1000-1100oС в течение 20-40 ч, механическую обработку [2]. Недостатком данного способа является высокая трудоемкость изготовления и применение сложной дорогостоящей оснастки. Техническим результатом является снижение трудоемкости изготовления, снижение стоимости деталей за счет снижения стоимости применяемой оснастки и повышение точности изготовления. Технический результат достигается тем, что в известном способе изготовления деталей из керамики для ГИС СВЧ, включающем подготовку материала, изготовление формообразователя, процесс формообразования, удаление формообразователя, обработку материала в атмосфере, содержащей кислород, контроль параметров, в качестве исходного материала берут подложку из отожженной оксидной керамики, подготовку осуществляют очисткой, формообразователь изготавливают напылением пленки металла толщиной 0,5-10,0 мкм с последующей фотолитографией, процесс формообразования проводят травлением через формообразователь, удаление формообразователя проводят одновременно с обработкой при температуре травления, затем разделяют подложку на отдельные детали. Формообразователь может быть изготовлен напылением тугоплавкого металла. Процесс формообразования может проводится углетермическим травлением при 1000-1800oС в присутствии углерода в вакууме 1












Формула изобретения
1. Способ изготовления деталей из керамики для ГИС СВЧ, включающий подготовку материала, изготовление формообразователя, процесс формообразования, удаление формообразователя, обработку материала в атмосфере, содержащей кислород, контроль параметров, отличающийся тем, что, в качестве исходного материала берут подложку из отожженной оксидной керамики, подготовку осуществляют очисткой, формообразователь изготовляют напылением пленки металла толщиной 0,5-10,0 мкм с последующей фотолитографией, процесс формообразования проводят травлением через формообразователь, удаление формообразователя проводят одновременно с обработкой при температуре травления, затем разделяют подложку на отдельные детали. 2. Способ изготовления деталей для ГИС СВЧ из оксидной керамики по п.1, отличающийся тем, что формообразователь изготавливают напылением тугоплавкого металла. 3. Способ изготовления деталей из керамики для ГИС СВЧ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что процесс формообразования проводят углетермическим травлением при 1000-1800oС в присутствии углерода в вакууме 1

Похожие патенты:
Способ изготовления керамических пластин // 2173004
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве интегральных микросхем с поликристаллическими активными и пассивными компонентами
Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к технологии интегральных микросхем, формируемых на основе кремний на изоляторе (КНИ) структур
Изобретение относится к технологии получения кремний на изоляторе (КНИ) структур и может быть использовано при изготовлении радиационностойких интегральных схем (ИС) высокой степени интеграции и высокого быстродействия
Способ изготовления цветных фотошаблонов // 484816
Способ изготовления интегральных схем свч // 2206145
Изобретение относится к технологическим процессам интегральной электроники
Изобретение относится к электронной технике
Изобретение относится к электронной технике