Фотопреобразователь
Изобретение относится к области измерения оптического излучения в ультрафиолетовой области спектра. Фотопреобразователь содержит корригирующий фильтр (1), расположенный непосредственно перед фотоприемной площадкой (7) и связанный с ней конструктивно, выполненную из монокристаллического кремния n-типа подложку со сформированным на одной ее стороне слоем (5) диоксида кремния, имеющим окно (6), соответствующее площади фотоприемной площадки (7). На поверхность слоя (5) с окном (6) нанесен слой (8) аморфного гидрогенизированного кремния, поверх которого нанесена барьерообразующая пленка (9), на которой вне области окна (6) расположен электрод (10), а на другой стороне подложки (4) сформирован многослойный электрод. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области измерений оптического излучения солнца или искусственного источника в ультрафиолетовой части спектра, точнее к фотометрии, а именно к переносным приборам для измерения и регистрации ультрафиолетового излучения, воздействующего на объекты окружающей среды и человека.
Известен детектор ультрафиолетового излучения (JP, В, 3-52569, 91.08.12). Детектор содержит два основания, причем второе основание расположено с заданным промежутком относительно первого. Пленочный слой из окисла металла переходной группы нанесен на одно из оснований, а электролит помещен между основаниями. Пленочный слой представляет собой окись вольфрама, молибдена или ванадия. На одно из оснований можно нанести один электрод из прозрачного электропроводного слоя, на другое основание наносят другой электрод. Пленочный слой наносят на наружные поверхности обоих электродов, а электролит помещают между электродами. Известен фотопреобразователь УФ-излучения ("Фоточувствительность p-i-n-структур и структур с барьером Шоттки на основе a-Si:H в области УФ-излучения", Ж.Атаев и др. Письма в ЖТФ, т. 16, вып. 1, 1990 г., стр. 47-50). Известный фотопреобразователь представляет собой структуру на основе аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) с барьером Шоттки, состоящую из проводящей стальной подложки с нанесенными на нее слоями сильнолегированного a-Si: H n-типа (n+), собственного a-Si:H (i) и полупрозрачного барьерообразующего электрода из платины или паладия. Фотопреобразователь обладает высокой фоточувствительностью в области ближнего ультрафиолетового излучения. Заявителем решается задача создать универсальный фотопреобразователь для измерения ультрафиолетового излучения, воздействующего на объекты окружающей среды и человека. Поставленная задача решается тем, что фотопреобразователь выполнен на подложке и содержит пленку аморфного гидрогенизированного кремния, барьерообразующую пленку и электроды. Причем подложка выполнена из монокристаллического кремния n-типа с сформированным на одной ее стороне слоем диоксида кремния, имеющим окно, соответствующее площади фотоприемной площадки блока. На поверхность слоя диоксида кремния с окном нанесен слой аморфного гидрогенизированного кремния, на поверхность которого нанесена барьерообразующая пленка, на которой вне области окна сформирован точечный электрод. На другой стороне подложки сформирован многослойный электрод. Барьерообразующая пленка выполнена из платины. Точечный электрод выполнен из титана. Многослойный электрод содержит адгезионный титановый подслой, нанесенный непосредственно на подложку, проводящий слой меди, нанесенный на подслой с другой его стороны и защитный слой из титана на поверхности проводящего слоя. Вывод 15 к многослойному электроду подсоединен методом термокомпрессии или пайки. Положительный эффект изобретения обусловлен свойствами фотопреобразователя. Действительно, использование в качестве подложки (основы) монокристаллического кремния с высокой степенью чистоты обработки поверхности исключает появление локальных дефектов и проколов в пленке аморфного гидрогенизированного кремния. Это также обеспечивает и высокую надежность самого фотопреобразователя, а именно его стабильную работу в течение длительного времени при воздействии на него ультрафиолетового излучения, например солнца, без изменения параметров. Введение изолирующего слоя диоксида кремния позволяет существенно понизить токи утечки, а кроме того, обеспечивает возможность проведения подварки одного из выводов вне площади приемной площадки без разрушения барьера Шоттки и целостности пленки гидрогенизированного кремния. Таким образом удается существенно понизить величину темнового тока обратносмещенного барьера, увеличить фоточувствительность преобразователя и добиться высокой воспроизводимости параметров формируемых структур. Кроме того, наряду с барьером Шоттки, образованном на контакте барьерообразующей пленки и аморфного гидрогенизированного кремния, в структуре имеется еще и гетеропереход на границе монокристаллического кремния и аморфного гидрогенизированного кремния, что также приводит к повышению эффективности разделения неравновесных носителей заряда и, следовательно, к повышению фоточувствительности структуры фотопреобразователя. Необходимо отметить и технологичность изготовления структуры блока. Структура формируется в единой вакуумной системе, причем осаждение слоя аморфного гидрогенизированного кремния происходит в прерывистом режиме. Это обеспечивает формирование основного фоточувствительного слоя высокого качества с отношением фотопроводимости к темновой проводимости, достигающей 3

Формула изобретения
1. Фотопреобразователь, содержащий подложку (4), слой (8) аморфного гидрогенизированного кремния, барьерообразующую пленку (9), фотоприемную площадку (7) и электроды (10), отличающийся тем, что дополнительно содержит корригирующий фильтр (1), расположенный непосредственно перед фотоприемной площадкой (7) и связанный с ней конструктивно, а подложка выполнена из монокристаллического кремния n-типа с сформированным на одной ее стороне слоем (5) диоксида кремния, имеющим окно (6), соответствующее площади фотоприемной площадки (7), причем на поверхность слоя (5) диоксида кремния с окном (6) нанесен слой (8) аморфного гидрогенизированного кремния, поверх которого нанесена барьерообразующая пленка (9), на которой вне области окна (6) расположен точечный электрод (10), а на другой стороне подложки (4) сформирован многослойный электрод (11). 2. Фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что многослойный электрод (11) выполнен содержащим адгезионный титановый подслой (12), нанесенный непосредственно на подложку (4), проводящий слой (13) меди, нанесенный поверх титанового подслоя (12), защитный слой (14) из титана на поверхности проводящего слоя (13), а вывод (15) к многослойному электроду (11) подсоединен методом термокомпрессии или пайки.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2