Способ сейсмического микрорайонирования
Использование: в инженерной сейсмологии, а именно в способах оценки интенсивности с учетом свойств грунтов, слагающих площадку строительства. Сущность: в грунте искусственным источником производят возбуждение сейсмических колебаний, регистрируют их сейсмоприемниками, расположенными на участках с различными инженерно-геологическими условиями, строят спектры колебаний исследуемого и эталонного грунтов. Измеряют скорости распространения поперечных волн и плотности исследуемого и эталонного грунтов и определяют частоты колебаний исследуемого и эталонного грунтов путем деления спектра горизонтальных колебаний на спектр вертикальных колебаний исследуемого и эталонного грунтов. Определяют приращения балльности из соотношения где
1 - плотность эталонного грунта, кг/м3; V1 - скорость распространения поперечной волны в эталонном грунте, м/с; f(н/v)1 - частота колебаний эталонного грунта, Гц;
2 - плотность исследуемого грунта, кг/м3; V2 - скорость распространения продольной волны в исследуемом грунте, м/с; f(н/v)2 - частота колебаний исследуемого грунта, Гц. По значениям приращений балльности судят о степени сейсмического эффекта. Технический результат: повышение надежности и точности за счет контроля за вкладом в результирующее грунтовое движение нелинейных явлений. 2 табл.
Изобретение относится к области инженерной сейсмологии, а именно к способам оценки интенсивности сотрясений с учетом свойств грунтов, слагающих площадку строительства.
Известен способ сейсмического микрорайонирования, включающий возбуждение сейсмических колебаний в грунте вибрационным источником и регистрацию их сейсмоприемниками, расположенными на участках с различными инженерно-геологическими условиями, определение значения скоростей поперечных волн, плотностей соответствующих грунтов и оценке на основе этих характеристик приращения балльности (патент РФ, 1787276, кл. G 01 V 1/00, 1993). Недостатком способа является низкая надежность. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предложенному является способ сейсмического микрорайонирования, включающий возбуждение сейсмических колебаний в грунте искусственным источником, регистрацию их сейсмоприемниками, расположенными на участках с различными инженерно-геологическими условиями, измерение плотностей исследуемого и эталонного грунтов, построение спектров колебаний исследуемого и эталонного грунтов, определение приращений балльности и суждение по значениям приращений балльности о степени сейсмического эффекта (см. патент РФ N 2099751, кл. G 01 V 1/00, 1998). Недостатком способа является низкая надежность и точность из-за отсутствия контроля за точностью определения частоты колебаний, исследуемой грунтовой толщи, что весьма важно для оценки их физического состояния или сейсмических свойств, обусловленных особенностями нелинейных явлений в грунтах при интенсивных сейсмических воздействиях. Техническая задача изобретения - повышение надежности и точности за счет контроля за вкладом в результирующее грунтовое движение нелинейных явлений. Для достижения поставленной технической задачи в способе сейсмического микрорайонирования, включающем возбуждение сейсмических колебаний в грунте искусственным источником, регистрацию их сейсмоприемниками, расположенными на участках с различными инженерно-геологическими условиями, измерение плотности исследуемого и эталонного грунтов, построение спектров колебаний исследуемого и эталонного грунтов, определение приращений балльности и суждение по значениям приращений балльности о степени сейсмического эффекта, измеряют скорости распространения поперечных волн, определяют частоту колебаний исследуемого и эталонного грунтов, а приращения балльности определяют из соотношения:



где

V1 - скорость распространения поперечной волны в эталонном грунте, м/с;
f(H/V)1 - частота колебаний эталонного грунта, Гц;

V2 - скорость распространения продольной волны в исследуемом грунте, м/с;
f(H/V)2 - частота колебаний исследуемого грунта, Гц;
и по значениям приращений балльности судят о степени сейсмического эффекта. Пример осуществления способа сейсмического микрорайонирования. На территории г. Гори были проведены геолого-геофизические работы по оценке сейсмической опасности грунтов, слагающих основные зоны города с проявленной интенсивностью сейсмического воздействия. В качестве источника создаваемого напряжения использовался импульсный невзрывной источник СИ-32 (энергия воздействия 50 кДж) со стандартным воздействием в виде импульса в пределах максимального действия источника, создающего в грунте напряжение не менее 5 кг/см2, что позволяет приблизиться к реальным сейсмическим воздействиям, строились спектры сейсмических колебаний, определялись скорости поперечной волны и частоты колебаний исследуемых и эталонных грунтов. Определялась плотность исследуемого и эталонного грунтов. В табл. 1 приведен расчет приращения балльности грунтов территории г. Гори. В табл. 2 приведены расчеты приращения балльности грунтов территории г. Гори по известным и предлагаемым способам. Преимущества предложенного способа сейсмического микрорайонирования заключаются в том, что интенсивности возбуждаемых колебаний приближаются к соответствующим характеристикам при землетрясениях, причем сопоставление частоты сейсмических колебаний грунтов, определяемой путем деления спектра горизонтальных колебаний на спектр вертикальных колебаний, позволяет непосредственно оценивать и контролировать степень нелинейности в грунтах и связь их с сейсмическими свойствами в виде приращения балльности на выделенных участках по величине изменения частот колебаний грунтов в связи с изменением напряженного состояния грунтов.
Формула изобретения

где

V1 - скорость распространения поперечной волны в эталонном грунте, м/с;
f(H/V)1 - частота колебаний эталонного грунта, Гц;

V2 - скорость распространения продольной волны в исследуемом грунте, м/с;
f(H/V)2 - частота колебаний исследуемого грунта, Гц;
при этом частоту колебаний исследуемого и эталонного грунтов определяют путем деления спектра горизонтальных колебаний на спектр вертикальных колебаний исследуемого и эталонного грунтов.
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2