Кристаллизатор
Использование: изобретение относится к металлургическому производству, а именно к конструкции плит кристаллизаторов для установок непрерывной разливки стали и других металлов. Сущность изобретения: кристаллизатор для непрерывной разливки стали включает плиты-стенки, изготовленные из меди или ее сплавов и имеющие на рабочих поверхностях износостойкое и теплостойкое покрытие. Рабочая поверхность стенок кристаллизатора выполнена с регулярным микрорельефом, гребни которого ориентированы перпендикулярно направлению хода движения слитка, а фактическая площадь поверхности больше номинальной в 1,2-1,5 раз. Микрорельеф имеет расстояние между гребнями 0,3-2 мм, а глубина впадин устанавливается по ходу движения слитка от 20 до 200 мкм. При этом толщина покрытий равна глубине впадин между гребнями. Регулярный микрорельеф выполнен под покрытием на поверхности стенки, а покрытие нанесено равномерным слоем, копирующим вершины и впадины рельефа. Регулярный микрорельеф на поверхности стенки может быть сформирован покрытием, имеющим переменную толщину. Регулярный микрорельеф на поверхности стенки может быть сформирован покрытием, имеющим переменные коэффициенты термического расширения, изменяющиеся по ходу движения слитка с шагом, равным 10-20 мм. Реализация изобретения позволит снизить потери на трение и повысить эффективность охлаждения за счет образования между изнашиваемыми поверхностями плита-слиток разделительного смазочного слоя. 4 з.п.ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к металлургическому производству, а именно к конструкции плит кристаллизаторов для установок непрерывной разливки стали и других металлов.
Известно устройство плит кристаллизаторов с покрытием, нанесенным гальваническим методом [1] . На изнашиваемые поверхности согласно этому изобретению наносится покрытие и другими материалами, что обеспечивает двухкратное повышение работоспособности кристаллизаторов. Недостатком этого известного устройства является низкая сцепляемость покрытия с поверхностью плиты и высокая гладкость его, что увеличивает молекулярную составляющую сил трения, обуславливает возможность схватывания материала плиты со слитком и, соответственно, ограничивает работоспособность плит. Кроме того, в гладком покрытии при деформировании плиты образуются напряжения, которые отслаивают его от поверхности плиты. Известно также устройство кристаллизатора для непрерывной разливки стали с покрытием переменной толщины [2]. Это устройство включает в себя изготовление кристаллизатора УHPC из меди или ее сплавов с электролитическим покрытием рабочей поверхности стенок покрытием из сплава системы никель-бор с содержанием бора до 0,06-0,3% по массе. При этом в нижней части стенки толщина покрытия выполняется вдвое толще, чем в верхней. К недостаткам этого известного устройства относятся высокая гладкость поверхности покрытия, что обуславливает ее прилегание к слитку и выдавливание смазки. Это повышает молекулярную составляющую сил трения и снижает износостойкость поверхности плиты. Гладкие поверхности плит способствуют выдавливанию из зазора разделительного смазочного слоя и обуславливают непосредственный контакт изнашиваемых поверхностей плит с поверхностью кристаллизируемого металла. Наиболее близким к предлагаемому является устройство плит кристаллизатора, выполняемого по способу изготовления широких граней кристаллизаторов для отливки тонких слябов [3], используемых в металлургии. Это устройство плит включает повышенную шероховатость поверхностей, контактирующих с охлаждающей жидкостью и кристаллизируемым металлом. Шероховатость осуществляется посредством дробеструйной обработки поверхностей плит. Повышенная шероховатость поверхности обеспечивает образование микрорельефа, который удерживает разделительную смазочную пленку и снижает потери на трение. Недостатком устройства-прототипа является то, что острые вершины неровностей при их хаотической ориентации и глубокие впадины между неровностями не образуют микрогидродинамических клиньев, что не позволяет образовывать гарантированный разделительный слой между поверхностью плиты и слитком при высоких контактных нагрузках. Поэтому вершины шероховатостей контактируют с поверхностью слитка и быстро изнашиваются. Кроме того, шероховатая поверхность плиты, не защищенная износостойким, теплостойким покрытием, изнашивается под воздействием горячей абразивной среды (синтетической смазки), которая обволакивает слиток. Поверхность плиты становится гладкой, что снижает ее способность удерживать смазку. При трении гладких поверхностей плиты и слитка разделительный смазочный слой между ними выдавливается, что обуславливает непосредственный их контакт и износ схватыванием. Этот процесс интенсифицируется высокими температурами (400-600oC) и давлением (до 400 МПа). Основной задачей, решаемой заявляемым изобретением, является исправление указанных недостатков, а именно образование между изнашиваемыми поверхностями плита-слиток разделительного смазочного слоя, который снижал бы потери на трение и повышал бы эффективность охлаждения. Это достигается созданием на поверхности плиты микрорельефа, вершины которого образовывали бы с поверхностью слитка микрогидродинамические клинья, что позволяет удерживать во впадинах микрорельефа синтетическую смазку, образуя гидроподъемную силу на микрогидродинамических клиньях. Подъемная сила суммируется по всем вершинам и обеспечивает устойчивый зазор между плитой и слитком. Зазор заполняется теплопроводным разделительным смазочным слоем, обеспечивающим передачу тепла и снижающим потери на трение. Тепловые потоки от слитка к кристаллизатору идут через тонкий разделительный слой, который имеет фактический контакт со слитком и плитой выше номинального, так как фактическая поверхность плиты за счет развитого микрорельефа увеличена в 1,2-1,5 раза. Это увеличивает эффективность стока тепла через плиту кристаллизатора. Поставленная задача решается тем, что устройство плит кристаллизатора включает в себя известные по прототипу признаки: плиты, изготовленные из меди и ее сплавов и имеющие на рабочих поверхностях износостойкое покрытие переменной толщины, и неизвестные ранее существенные признаки: рабочая поверхность стенок кристаллизатора выполнена с регулярным микрорельефом, гребни которого ориентированны преимущественно перпендикулярно направлению хода движения слитка, а фактическая площадь поверхности больше номинальной в 1,2-1,5 раза. При этом регулярный микрорельеф имеет расстояние между гребнями 0,3-2 мм, а глубина впадин увеличивается по ходу движения отливки от Rz= 20 мкм до Rz=200 мкм, при этом толщина покрытий равна глубине впадин между гребнями. Предлагаемое изобретение включает в себя существенные признаки, также известные ранее по совокупности с другими признаками, обеспечивающими другой эффект. Возможно выполнение регулярного микрорельефа под покрытием на поверхности стенки, а покрытие наносить равномерным слоем, копирующим вершины и впадины рельефа. Возможно формирование регулярного микрорельефа на поверхности стенки кристаллизатора покрытием, имеющим переменную толщину или переменные коэффициенты термического расширения, изменяющиеся по ходу движения слитка с шагом 10... 20 мм. Такими признаками, как рабочая поверхность стенок кристаллизатора, выполнена с регулярным микрорельефом, гребни которого преимущественно ориентированы перпендикулярно направлению хода движения слитка, обеспечивается образование микрогидродинамических клиньев. Наличие в устройстве плит кристаллизатора такого признака, как фактическая площадь поверхности больше номинальной в 1,2-1,5 раза, обеспечивает лучший сток тепла от слитка. При этом регулярный микрорельеф имеет расстояние между гребнями 0,3-2 мм, а глубина впадин увеличивается по ходу движения слитка от Rz=20 мкм до Rz=200 мкм, а толщина покрытий равна глубине впадин между гребнями. Использование вышеприведенных существенных признаков обуславливает оптимизацию контакта плита + смазка + слиток в зависимости от контактных нагрузок и температуры поверхности слитка, а также толщины (податливости) стенок слитка. При увеличении толщины стенок слитка они становятся более жесткими и допускается контакт их с более высокой шероховатостью. Кроме того, по ходу движения слитка увеличиваются контактные нагрузки, что предъявляет к прочности покрытия повышенные требования. С увеличением шероховатости возможность покрытия упруго деформироваться возрастает. Техническая сущность и принцип действия кристаллизатора показана на чертежах: На фиг. 1 показана плита кристаллизатора с покрытием. На фиг. 2 показан разрез по зазору плита + смазка + слиток при перемещении слитка, где микрорельеф на поверхности плиты сформирован под покрытием. На фиг. 3 показан разрез по зазору плита + смазка + слиток при перемещении слитка, где микрорельеф на поверхности плиты сформирован покрытием с переменной толщиной. Рабочая поверхность 1 плит (см. фиг. 1) кристаллизатора имеет оптимальную шероховатость, сформированную многошариковым накатником или путем напыления покрытия, изменение толщины которого обеспечивает создание микрорельефа на поверхности плиты. Охлаждение плит осуществляется водой, прокачиваемой по каналам 2. При неравномерном покрытии на гладкой поверхности стенки кристаллизатора 3 рабочая поверхность плиты 2 (см. фиг. 2) приобретает шероховатость, состоящую из системы маслоемких впадин. При вытягивании слитка 4 на боковых поверхностях стенок кристаллизатора во впадинах образуются микрогидродинамические клинья 5, которые обеспечивают жидкостный режим трения. Такой же механизм трения наблюдается при создании оптимальной шероховатости рабочей поверхности плиты путем нанесения равномерного покрытия на поверхность, имеющую оптимальный микрорельеф, полученный вибрационным накатыванием (фиг. 3). В данном случае, при перемещении слитка 4 также образуются микрогидродинамические клинья 5, которые обеспечивают жидкостный режим трения, но покрытие 6 нанесено равномерным слоем. Защита микрорельефа износостойким покрытием повышает его способность противостоять износу абразивом, который содержится в синтетических смазках. При нагреве покрытия с переменным коэффициентом термического расширения образуется микрорельеф, обусловленный разницей температурного приращения покрытия по толщине. Тяжелонагруженный контакт нагретых поверхностей плита-слиток воспринимает нагрузку без заедания только в условиях жидкостного или полужидкостного терния, когда значительная часть нагрузки передается через гидродинамическую смазочную пленку. При отсутствии разделяющей среды между выступами микрорельефа возникает схватывание (микросварка), которое обуславливает заедание и износ схватыванием. При этом наблюдается деформирование поверхностей и образование нового микрорельефа, характерного для данного вида контакта. При малых скоростях скольжения происходит сближение мягких поверхностей плиты и слитка. При достижении критически низкой толщины смазочного слоя площадь металлического контакта увеличивается и схватывание принимает катастрофический характер, наступает заедание. Взаимодействие выступов микрорельефа металлических поверхностей вносит существенные изменения в распределение интенсивности тепловыделения на площадке мгновенного контакта. Наличие на контактирующих поверхностях плита-слиток микрорельефа определяет дискретный характер их соприкосновения. Действительная площадь касания всегда меньше номинальной, ограниченной внешними размерами сопряжения тел. Это приводит к большим контактным деформациям и перемещениям материала трущихся поверхностей. Анализ теоретических зависимостей упруго-пластического контактирования шероховатых поверхностей показывает, что контактная жесткость поверхностей зависит от радиуса скругления вершин гребней, расстояния между гребнями и их высоты. Согласно изобретению устройство медных плит кристаллизатора с покрытием осуществляется с регулярным микрорельефом, гребни которого ориентированы преимущественно перпендикулярно направлению хода движения слитка, а фактическая площадь поверхности была бы больше номинальной в 1,2-1,5 раза. При этом регулярный микрорельеф имеет расстояние между гребнями 0,3-2 мм, а глубина впадин увеличивается по ходу движения слитка от Rz=20 мкм до Rz=200 мкм, при этом толщина покрытий равна глубине впадин между гребнями. Кроме того, регулярный микрорельеф может быть сформирован покрытием, имеющим переменную толщину. Толщина смазочного слоя в какой-либо точке микрорельефа поверхности кристаллизатора записывается уравнением




Формула изобретения
1. Кристаллизатор для непрерывной разливки стали, содержащий плиты-стенки, изготовленные из меди или ее сплавов и имеющие на рабочих поверхностях износостойкое и теплостойкое покрытие, отличающийся тем, что рабочая поверхность плит-стенок выполнена с регулярным микрорельефом, гребни которого ориентированы перпендикулярно направлению движения слитка, а его фактическая площадь в 1,2 - 1,5 раза больше номинальной. 2. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что расстояние между гребнями регулярного микрорельефа равно 0,3 - 2 мм, а глубина впадин выполнена с их увеличением по ходу движения слитка от 20 до 200 мкм, при этом толщина покрытия равна глубине впадин. 3. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что регулярный микрорельеф выполнен на поверхности стенки, а покрытие нанесено равномерным слоем, копирующим гребни и впадины рельефа. 4. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что микрорельеф сформирован покрытием, имеющим переменную толщину. 5. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что микрорельеф на поверхности стенки сформирован покрытием, имеющим переменные коэффициенты термического расширения, изменяющиеся по ходу движения слитка с шагом, равным 10 - 20 мм.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3