Вещество для пассивного лазерного затвора
H01S3/11 - в которых добротность оптического резонатора быстро меняется, например импульсные приборы
Изобретение относится к материалам лазерной техники, в частности к материалам для изготовления пассивных лазерных затворов или систем развязки многокаскадных генераторов. Сущность изобретения: предлагается вещество для пассивных лазерных затворов - прозрачная стеклокерамика с кристаллической фазой нормальной шпинели и примесью ионов Со2+ от 0,005 до 0,2 мас. %. Предлагаемое вещество обладает низкой интенсивностью насыщения поглощения и технологично в производстве. 1 ил., 2 табл.
Изобретение относится к материалам лазерной техники, в частности к материалам для изготовления пассивных лазерных затворов или систем развязки многокаскадных генераторов.
Для создания импульсных твердотельных лазеров, излучающих импульсы длительностью 0,5 - 100 нс, используется режим модуляции добротности резонатора лазера. Для модуляции добротности резонаторов твердотельных лазеров, работающих в диапазоне длин волн 1,5 мкм, используются пассивные лазерные затворы на основе кристаллов фторидов кальция и стронция с примесью ионов урана U: CaF2, U: SrF2, [1 и 2], кристалла селенида цинка с примесью ионов кобальта Co:ZnSe [3 и 4] и кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с примесью ионов кобальта Co:YSGG [5]. Процесс модуляции добротности резонатора с помощью затворов из упомянутых кристаллов основан на свойстве насыщающегося поглощения в области 1,5 мкм. Насыщающееся поглощение в этих кристаллах обусловлено электронными и электронно-колебательными переходами в примесных ионах U4+ или Co2+. Выращивание монокристаллов фторидов и селенидов приводят из газовой фазы, гидротермальным способом, кристаллизацией из расплава методом Бриджмена-Стокбаргера. Каждый из указанных способов требует специального оборудования с дорогостоящей футеровкой и создания определенных условий: вакуума или давления, атмосферы инертного газа. Производство монокристаллов гадолиний-скандий-галлиевого граната Co:YSGG является дорогостоящим из-за необходимости использования иридиевых тиглей, значительной трудоемкости и высоких энергозатрат при выращивании кристаллов. Известна прозрачная стеклокерамика с кристаллической фазой ганита, содержащая примесные ионы кобальта Co2+ [6]. Исследование поглощения этого вещества в области 1,2 - 1,6 мкм показали, что величина параметра насыщения поглощения не велика, однако в состоянии насыщения поглощения присутствует большое остаточное поглощение. Это препятствует использованию этого материала в пассивных лазерных затворах. Причина большого остаточного поглощения связана с большой концентрацией примеси оксида CoO, предложенной в [6] (до 1 мас.%), что приводит к образованию дополнительных типов поглощающих в области длин волн 1,5 мкм центров с участием ионов Co2+, но интенсивность насыщения поглощения этих дополнительных центров велика для использования материала в лазерах. Наиболее близким к предлагаемому по совокупности существенных признаков является кристалл иттрий-алюминиевого граната с примесью ионов кобальта Co: Y3Al5O12. Интенсивность насыщения поглощения на длине волны 1,54 мкм для данного кристалла составляет 100 МВт/см2 [5]. Из-за большой величины интенсивности насыщения поглощения в веществе-прототипе приходится использовать фокусирующие линзы для создания необходимой для открытия затвора интенсивности генерируемого излучения. Это усложняет конструкцию резонатора и предъявляет повышенные требования к элементам резонатора по стойкости к излучению. Кроме того, производство монокристаллов иттрий-алюминиевого граната Co:Y3Al5O12 как и Co:GSGG является дорогостоящим. Задачей изобретения является создание вещества для пассивных лазерных затворов для области длин волн 1,2 - 1,6 мкм, обладающего низкой интенсивностью насыщения поглощения и технологичного в производстве. Для решения этой задачи нами предлагается новое вещество для пассивных лазерных затворов - прозрачная стеклокерамика с кристаллической фазой номинальной шпинели и примесью ионов Co2+ от 0,005 до 0,2 мас.%. Нормальная шпинель - кристаллическое соединение со структурой шпинелей и с общей формулой AB2O4, где A - тетраэдрически координированный двухвалентный катион, B - октаэдрически координированный трехвалентный катион. Ионы Co2+, замещающие в этом кристалле ионы двухвалентного металла, поглощают излучение в области 1,2 - 1,6 мкм. На чертеже представлен спектр поглощения характерного представителя этого класса веществ - стеклокерамики с кристаллической фазой ганита ZnAl2O4 и примесью ионов Co2+. Полоса поглощения в области 1,2 - 1,6 мкм обусловлена электронно-колебательным переходом между основным состоянием 4A2 и возбужденным 4T1. Нами были проведены исследования насыщения поглощения предлагаемых веществ. В результате установлено, что интенсивность насыщения поглощения на длине волны 1,54 мкм не более 30 МВт/см2. Небольшая, по сравнению с прототипом, величина интенсивности насыщения обусловлена относительно большой величиной дифференциального сечения поглощения, которое составляет около 3

Формула изобретения
Вещество для пассивного лазерного затвора, работающего в области длин волн 1,2 - 1,6 мкм, содержащее ионы Co2+, отличающееся тем, что оно является прозрачной стеклокерамикой с кристаллической фазой нормальной шпинели и содержит от 0,005 до 0,2 мас.% оксида кобальта CoO.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2
Похожие патенты:
Твердотельный лазерный излучатель // 2112304
Изобретение относится к лазерной технике, а более конкретно, к твердотельным лазерным излучателям, используемым в импульсных лазерных дальномерах, локаторах, целеуказателях
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к неодимсодержащим твердотельным технологическим лазерам с пассивной модуляцией добротности резонатора
Способ синхронизации мод в лазерах // 2090967
Изобретение относится к области лазерной техники, в частности к способам синхронизации мод в лазерах
Твердотельный импульсный лазер // 2087063
Изобретение относится к лазерной технике, а более конкретно к импульсным твердотельным лазерам, используемым в импульсных лазерных дальномерах
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к неодимсодержащим твердотельным технологическим лазерам с пассивной модуляцией добротности, и может быть использовано для получения одномодового импульсно-периодического режима генерации излучения с высокой пространственной яркостью, большой длиной когерентности и малой расходимостью
Импульсный твердотельный лазер // 2054772
Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к твердотельным лазерам, и может быть использовано в конструкции лазеров и усилителей, генерирующих мощные пико-фемтосекундные импульсы с последующей возможностью управления длительностью импульсов в компрессорах на основе дисперсионных линий задержки
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к неодимсодержащим твердотельным технологическим лазерам с пассивной модуляцией добротности резонатора, и может быть использовано для получения одномодового импульсно-периодического режима генерации с высокой пространственной яркостью излучения, обладающего большой длиной когерентности и малой расходимостью
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к неодимсодержащим твердотельным технологическим лазерам с пассивной модуляцией добротности резонатора, и может быть использовано для получения одномодового импульсно-периодического режима генерации с высокой пространственной яркостью излучения, обладающего большой длиной когерентности и малой расходимостью
Твердотельный лазер // 2034383
Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в твердотельных лазерах с модуляцией добротности
Лазер // 2124791
Изобретение относится к лазерной технике, в частности к импульсным твердотельным лазерам с электрооптической модуляцией добротности, и может быть использовано при разработке импульсных источников лазерного излучения
Изобретение относится к лазерной технике
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к неодимосодержащим твердотельным технологическим лазерам с пассивной модуляцией добротности резонатора
Лазер // 2164724
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к технологическим лазерам с активной модуляцией добротности резонатора
Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано в мощных лазерных системах
Кювета фототропного затвора для лазеров // 2177666
Изобретение относится к лазерной технике и может быть применено в нелинейных поглощающих элементах, используемых в качестве пассивных лазерных затворов и оптических развязок
Кювета фототропного затвора для лазеров // 2177667
Способ выращивания кристаллов галлий-скандий-гадолиниевых гранатов для пассивных лазерных затворов // 2321689
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов для пассивных лазерных затворов, используемых в современных лазерах, работающих в ИК-области спектра