Устройство для напыления л1икросхем

 

218262

Составитель Н. Давыдов

Редактор Н. Л. Корченко Техред А. А. Камышнмкова Корректоры: И. Л. Кириллова и С. А. Башлыкова

Заказ 2108/6 Тираж 530 Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Сеоова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 которых расположен внутри другого, испаритель напыляемого материала и держатели подложек микросхем, от.гипающееся тем, что, с целью повышения качества микросхем, испаритель установлен в наружном колпаке, держатели подложек и масок размещены во внутреннем колпаке, а опорная плита этого колпака снабжена перекрываемой скользящей заслонкой диафрагмой, служащей для прохода потока напыляемого материала из наруж5 ного колпака во внутренний.

Устройство для напыления л1икросхем Устройство для напыления л1икросхем 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к нанесению тонкопленочных покрытий в вакууме, в частности защитных, износостойких и декоративных покрытий на изделия из различных материалов

Изобретение относится к машиностроению, в частности к нанесению покрытий в вакууме, и может быть использовано при нанесении покрытий на режущий инструмент, изготовленный из сталей, твердых сплавов и керамических материалов

Изобретение относится к микроэлектронике и направлено на обеспечение минимальной неравномерности покрытия подложки тонкой пленкой распыляемого материала

Изобретение относится к устройствам для получения газофазным методом ультрадисперсных порошков и сплавов, а также для нанесения металлических покрытий в вакууме на металлические и неметаллические изделия

Изобретение относится к области получения высокотемпературных материалов, используемых для защиты от окисления и газовой коррозии и в качестве защитных покрытий термонагруженных деталей газовых турбин и двигателей внутреннего сгорания

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано для получения толстых пленок металлов при изготовлении, например, разводки коммутационных плат

Изобретение относится к материаловедению, а именно к способам изготовления преимущественно износостойких, прочных и жаропрочных материалов на металлической, металлокерамической или полимерной основе, а также изделий из этих материалов

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к устройствам взрывного испарения с резистивным нагревом для испарения металлов
Наверх