Полупроводниковый датчик давления
Использование: в первичных преобразователях давления, в электрический сигнал. Цель - повышение точности и снижение трудоемкости юстировки датчика. Сущность изобретения: датчик содержит пьезомост 10, сформированный на кремниевом упругом элементе и соединенный одной диагональю с управляемым источником питания 11 пьезомоста, а другой- с дифференциальным усилителем 12, имеющим вход 13 смещения сигнала, а также термомост 14, измерительная диагональ которого соединена с операционными усилителями 17, 18 с резисторами 23, 24 в цепях обратной связи. Для повышения точности и снижения трудоемкости юстировки датчика в нем один конец диагонали термомоста с большим по абсолютной величине градиентом напряжения от температуры подключен к инверсным входам двух операционных усилителей 17, 18, через резисторы 21, 22, а другой конец диагонали - к их прямым входам, в свою очередь выход одного из операционных усилителей 17 соединен с входом 13 смещения сигнала дифференциального усилителя 12 пьезомоста, а выход другого усилителя 18 - с управляющим входом источника питания 11 пьезомоста. 8 ил.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в первичных преобразователях давления в электрический сигнал для систем автоматического управления в информационных, контрольных и других приборах, работающих в широком диапазоне температур, в частности в электронных системах зажигания автомобилей.
Известен полупроводниковый датчик давления, содержащий пьезомост, сформированный на кремниевом упругом элементе и соединенный одной диагональю с управляемым источником питания пьезомоста, а другой с дифференциальным усилителем [1] В сигнале пьезомоста кремниевого датчика присутствуют два рода температурных погрешностей. Во-первых, при изменении температуры кристалла изменяются длина и пьезорезистивные свойства резисторов пьезомоста, что изменяет их чувствительность. При этом выходной сигнал изменяется пропорционально изменению чувствительности пьезорезисторов и имеет характер мультипликативной погрешности. Для ее компенсации следует изменять ток питания пьезомоста обратно пропорционально изменению чувствительности. Во-вторых, разница в реальных параметрах пьезорезисторов, наличие балансировочного резистора и температурные деформации мембраны при неизменном давлении приводят к появлению аддитивной погрешности, складывающейся с полезным сигналом. Для ее компенсации из сигнала пьезомоста вычитают некоторую величину, пропорциональную температуре. Схема построения известного датчика позволяет компенсировать мультипликативную составляющую влияния температуры на выходной сигнал, однако не оказывает влияния на аддитивную составляющую. Наиболее близким техническим решением является полупроводниковый датчик давления, содержащий пьезомост, сформированный на кремниевом упругом элементе и соединенный одной диагональю с управляемым источником питания пьезомоста, а другой с дифференциальным усилителем, имеющим вход смещения сигнала, а также термомост, измерительная диагональ которого соединена с операционными усилителями с резисторами в цепях обратной связи [2] Известное техническое решение позволяет компенсировать как мультипликативную, так и аддитивную составляющие температурной погрешности. Однако процесс юстировки датчика по данной схеме весьма сложен из-за взаимовлияния этих двух составляющих, что требует их одновременной компенсации. Неизбежно возникающие при этом технологические погрешности снижают точность юстировки датчика. Целью изобретения является повышение точности и снижение трудоемкости юстировки датчика давления за счет раздельной компенсации аддитивной и мультипликативной погрешностей. Для этого в полупроводниковом датчике давления, содержащем пьезомост, сформированный на кремниевом упругом элементе и соединенный одной диагональю с управляемым источником питания пьезомоста, а другой с дифференциальным усилителем, имеющим вход смещения сигнала, а также термомост, измерительная диагональ которого соединена с операционными усилителями с резисторами в цепях обратной связи, один конец диагонали термомоста с большим по абсолютной величине градиентом напряжения от температуры подключен к инверсным входам двух операционных усилителей через резисторы, а другой конец диагонали к их прямым входам, в свою очередь выход одного из операционных усилителей соединен с входом смещения сигнала дифференциального усилителя пьезомоста, а выход второго усилителя с управляющим входом источника питания пьезомоста. Это позволяет корректировать напряжение питания пьезомоста в зависимости от температуры, компенсируя тем самым мультипликативную составляющую погрешности, и задавать смещение на дифференциальный усилитель, компенсируя аддитивную погрешность. На фиг.1 показан чувствительный элемент кремниевого датчика давления; на фиг. 2 принципиальная схема датчика; на фиг.3-8 варианты построения термомостов. Основой полупроводникового датчика давления является пьезомост (фиг.1), состоящий из четырех пьезорезисторов 1 и 2, расположенных на кремниевой мембране 3 в зонах действия максимальных сжимающих и растягивающих напряжений. Мембрана сформирована на кремниевом кристалле 4 селективным травлением. Пьезорезисторы 1, выделяющие растягивающие напряжения и пьезорезисторы 2, выделяющие сжимающие напряжения, включены в противоположные плечи пьезомоста. Пьезомост сбалансирован при определенном перепад давлений на мембрану резистором 5, расположенным на кристалле или вне его. На концы 6 и 7 диагонали питания подается питающий ток, с концов 8 и 9 измерительной диагонали снимается сигнал, характеризующий давление. На фиг.2 изображена принципиальная схема датчика. Он содержит пьезомост 10 с источником питания пьезомоста 11, измерительный дифференциальный усилитель 12 с отдельным входом смещения 13, термомост 14 с внешним или внутренним источником питания 15, на который подается термостабильное опорное напряжение Vr от внешнего или внутреннего источника опорного напряжения 16, а также два корректора 17 и 18 соответственно аддитивной и мультипликативной составляющих погрешности, выполненных на операционных усилителях. Конструктивно схема выполнена в виде микросборки кристаллов так, что все элементы находятся в одинаковых температурных условиях. Источник питания 15 термомоста выполнен на операционном усилителе, на прямой вход которого подано опорное напряжение Vr от внутреннего термостабильного источника напряжения 16. Возможно питание термомоста от внешнего источника тока или напряжения. Термомост сбалансирован при опорной температуре юстировки датчика давления, с концов его измерительной диагонали 19 и 20 снимаются два напряжения Vt1 и Vt2 соответственно, разность которых пропорциональна отклонению температуры от опорной. В отличие от традиционных схем термомостов, выделяющих температурный сигнал, где температурные градиенты напряжений Vt1 и Vt2 стремятся получить с разными знаками, термомост 14 формируется из активных термочувствительных и пассивных элементов так, чтобы знаки температурных градиентов напряжений Vt1 и Vt2 были одинаковыми, а температурный градиент напряжения Vt1 был на 20 40% ниже по абсолютной величине, чем градиент Vt2 Sign(dVt1/dT)=Sign(dVt2/dT), (1) dVt1/dT=(0,5 0,8)
Формула изобретения
Полупроводниковый датчик давления, содержащий пьезомост, сформированный на кремниевом упругом элементе и соединенный одной своей диагональю с управляемым источником питания пьезомоста, а второй с дифференциальным усилителем, имеющим вход смещения сигнала, а также термомост, измерительная диагональ которого соединена с операционными усилителями с резисторами в цепях обратной связи, отличающийся тем, что один конец диагонали термомоста с большим по абсолютной величине градиентом напряжения от температуры подключен к инверсным входам двух операционных усилителей через резисторы, а второй конец диагонали к их прямым входам, при этом выход одного из операционных усилителей соединен с входом смещения сигнала дифференциального усилителя пьезомоста, а выход другого усилителя с управляющим входом источника питания пьезомоста.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7