Сверхпроводящий переключательный элемент
Использование: изобретение относится к средствам управления и может быть использовано в составе систем управления техническими объектами различного назначения, например химическим реакторами, энергоблоками атомных электростанций. Сущность: в сверхпроводящем переключательном элементе в качестве материала проводника использован высокотемпературный сверхпроводник с критической температурой выше температуры кипения жидкого азота в виде ленты, проволоки, пленки, массивной керамической заготовки. В качестве криогенной жидкости используют хладагенты с температурой кипения ниже критической температуры высокотемпературного сверхпроводника. Источником магнитного поля служит соленоид из сверхпроводящей или несверхпроводящей проволоки или ленты. В цепь проводника введен дополнительный входной канал для поступления управляющего токового сигнала. В цепь устройства для создания магнитного поля введен дополнительный входной канал для поступления постоянного опорного питания. 1 з.п. ф-лы. 2 ил.
Изобретение относится к средствам управления и может быть использовано в составе систем управления техническими объектами различного назначения, например химическим реакторами, энергоблоками атомных электростанций.
Известен переключательный элемент на базе сильноанизотропного высокотемпературного сверхпроводника [1] Предлагается реализовать переключательный элемент, представляющий собой монокристалл высокотемпературного сверхпроводника, оснащенный каналами для пропускания рабочего и управляющего токов. Рабочий ток пропускается в направлении оси с монокристалла высокотемпературного сверхпроводника, а управляющий ток в плоскости ab. При температуре ниже критической температуры Tc высокотемпературного сверхпроводника должно наблюдаться уменьшение значения рабочего тока при превышении управляющим током определенного значения. В "открытом" состоянии (сопротивление монокристалла высокотемпературного сверхпроводника R= 0) вдоль оси с течет ток, равный значению рабочего тока, причем рабочий ток меньше критического тока в направлении оси с, разрушающего сверхпроводимость. При пропускании в плоскости ab управляющего тока, меньшего критического тока, создаваемое которым магнитное поле больше верхнего критического поля для направления оси с, монокристалл высокотемпературного сверхпроводника в направлении оси с должен перейти в нормальное (несверхпроводящее или резистивное состояние), и рабочий ток должен уменьшиться. Недостатками известного переключательного элемента является его высокая стоимость вследствие использования дорогостоящих монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников, трудность манипулирования с монокристаллами с характерными размерами порядка 1 мм, необходимость работать при высоких значениях управляющего тока порядка 1000 А при температуре 77 К (температура кипения Ткип жидкого азота, являющегося основной криогенной жидкостью для высокотемпературных сверхпроводников), что в свою очередь влечет за собой сильное тепловыделение на контактах высокотемпературного сверхпроводника с подводящими проводниками, выполненными из несверхпроводящих металлов (медь, серебро и др.). Известен другой сверхпроводящий переключательный элемент (криотрон) [2] Проволочный сверхпроводящий переключательный элемент состоит из короткого отрезка сверхпроводящей проволоки (вентиля), изготовленной, например, из тантала, и источника создания магнитного поля окружающей вентиль катушки-соленоида, изготовленной из сверхпроводящего материала (например, из ниобия), критическое поле которого выше, чем критическое поле материала вентиля. Переключательный элемент функционирует при температуре ниже критических температур (Тc) материалов вентиля и устройства для создания магнитного поля (соленоида). Это достигается путем погружения переключательного элемента в криогенную жидкость с температурой кипения ниже критических температур материалов вентиля и соленоида. Из-за низких значений критических температур сверхпроводников, известных до открытия явления высокотемпературной сверхпроводимости в 1986 г. (из низкотемпературных сверхпроводников максимальное значение критической температуры Тc=23,2 К обнаружено у соединения Nb3Ge), в качестве криогенной жидкости применяли исключительно жидкий гелий (Ткип=4,2 К). При пропускании через соленоид управляющего тока Iупр генерируется магнитное поле, напряженность (Н) которого на оси соленоида равна H=nIупр, где n=N/L число витков обмоточного провода (N) на единицу длины (L) соленоида. При пропускании через сверхпроводящую проволоку (вентиль) кругового сечения с радиусом ro вентильного тока Ig на поверхности проволоки генерируется магнитное поле напряженностью H = Iq/(2
S область сверхпроводящего состояния проводника;
N область нормального (несверхпроводящего) состояния проводника;
I1 опорный ток к проводнику по каналу 4 (фиг. 1);
Iвх1 входной сигнал к проводнику по каналу 3 (фиг. 1);
I2 опорный ток к устройству для создания магнитного поля по каналу 6 (фиг. 1);
Iвх2 входной сигнал к этому устройству по каналу 5 (фиг. 1);
Ic критический ток, разрушающий сверхпроводимость, зависящий от токов I1+Iвх1 и I2+Iвх2;
Выбор значений величин I1 и I2 определяется условиями
I1<I при I2=0; I2<I при I1=0. Возможны четыре режима работы сверхпроводящего переключательного элемента, которым соответствуют четыре точки на фазовой диаграмме (фиг. 2):
Режим 1. При значениях Iвх1 и Iвх2, соответствующих выполнению условий
Iвх1<(I-I1); Iвх2<(I-I2), проводник находится в сверхпроводящем состоянии (точка 1 на фиг. 2), электросопротивление равно нулю, и по выходному каналу 9 (фиг. 1) сигнал не поступает сверхпроводящий переключательный элемент "открыт". Режим 2. При значениях Iвх1 и Iвх2, соответствующих выполнению условий
Iвх1<(1-I1); Iвх2>(Ic-I2),
проводник находится в нормальном (несверхпроводящем) состоянии (точка 2 на фиг. 2), электросопротивление его не равно нулю, и по выходному каналу 9 (фиг. 1) поступает сигнал сверхпроводящий переключательный элемент "закрыт". Частным случаем режима 2 является режим 2а
Iвх1=0; Iвх2>(Ic-I2),
при котором управление элемента полностью осуществляется по каналу 6 (фиг. 1). Режим 3. При значениях Iвх1 и Iвх2, соответствующих выполнению условий
Iвх1>(Ic-I1); Iвх2<(I-I2),
проводник находится в нормальном (несверхпроводящем) состоянии (точка 3 на фиг. 2), электросопротивление его не равно нулю, и по выходному каналу 9 (фиг. 1) поступает сигнал сверхпроводящий переключательный элемент "закрыт". Частным случаем режима 3 является режим За
Iвх1>(Ic-I1); Iвх2=0,
при котором управление элемента полностью осуществляется по каналу 3 (фиг. 1). Режим 4. При значениях Iвх1 и Iвх2, соответствующих выполнению условий
Iвх1>(Ic-I1); Iвх2>(Ic-I2),
проводник находится в нормальном (несверхпроводящем) состоянии (точка 4 на фиг. 2), электросопротивление его не равно нулю, и по выходному каналу 9 (фиг. 1) поступает сигнал сверхпроводящий переключательный элемент "закрыт". В режиме 4 управление осуществляется по каналам 3 и 6, и в этом случае имеет место полное взаимное резервирование управления.
Формула изобретения
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2