Сегнетокерамический полупроводниковый чип-конденсатор
Использование: изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении конденсаторов постоянной емкости на основе полупроводниковой сегнетокерамики с поверхностным реоксидированным слоем. Цель изобретения повышение удельной объемной емкости и снижение тангенса угла потерь, достигается тем, что сегнетокерамический полупроводниковый ЧИП-конденсатор выполнен в виде прямоугольного параллелепипеда на пластине из полупроводниковой сегнетокерамики, поверхность которой покрыта реоксидированным диэлектрическим слоем заданной толщины. Поверхность параллелепипеда имеет замкнутый деметаллизированный поясок, металлические электроды и контактные площадки. Параллелепипед выполнен с определенным соотношением размеров его длины, ширины и высоты. Металлические электроды выполнены методом вжигания серебряной пасты или напыления и расположены центрально-симметрично один относительно другого на наибольших по площади гранях параллелепипеда, а замкнутый деметаллизированный поясок расположен поперек каждой из наибольших по площади граней вблизи контактных площадок и примыкает к деметаллизированным боковым граням параллелепипеда. 4 ил. 2 табл.
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве конденсаторов постоянной емкости на основе полупроводниковой сегнетокерамики с поверхностным реоксидированным слоем (тип 3).
Конденсаторы реоксидированного типа представляют собой полупроводниковую пластину, на поверхности которой методом восстановления-окисления сформирован тонкий диэлектрический слой и нанесены металлические электроды, образующие блокирующий электрический контакт с реоксидированной сегнетокерамикой. Выпускаемые в настоящее время полупроводниковые керамические конденсаторы имеют форму диска, покрытого герметизирующим компаундом, и радиальные проволочные выводы (ТУ 11-84 ОЖО. 460.045 ТУ "Конденсаторы керамические К10У-5"). Аналогичную конструкцию имеют конденсаторы 3 типа, выпускаемые в США (ULTRA-CAP DISC Capacitors каталог N 4677, 1988 г. фирма Centralab) Японии (фирма Nichicon, Electronic Parts Catalog 1986, р.169(18)) и др. странах. Недостатком указанной конструкции конденсаторов является невозможность их применения для автоматизированного поверхностного монтажа не печатные платы и в гибридных микросхемах. Кроме того, наличие защитного эпоксидного или фенольного покрытия увеличивает размеры конденсаторов и снижает их удельную объемную емкость в сравнении с ЧИП-конденсаторами. Известен бескорпусной полупроводниковый конденсатор, пригодный для поверхностного монтажа, с электродами, нанесенными в виде узких параллельных полосок или спиралей на поверхности цилиндрического стержня, выполненного из керамики на основе титаната бария [1] Недостатками данной конструкции конденсаторов являются невысокая удельная объемная емкость и большие электрические потери (0,03


















расположение разделительного пояска вдоль граней со сторонами L, H и поперек граней со сторонами L, W и переход с грани на грань вблизи контактов обеспечивает направление движения токов высокой частоты по направлению самой короткой стороны Н, при этом эквивалентное последовательное сопротивление полупроводникового объема ЧИПа оказывается минимальным и, следовательно, значения тангенса угла потерь в радиочастотном диапазоне также минимальны. Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники не позволило выявить в них указанные отличительные признаки. Это позволяет сделать вывод о соответствии технического решения критерию "существенные отличия". Конденсатор (фиг. 3, 4) содержит пластину из полупроводниковой сегнетокерамики 7, вся поверхность которой покрыта реоксидированным диэлектрическим слоем 8 заданной толщины, на который за исключением узкого замкнутого пояска 9 нанесены электроды 10, например, методом вжигания серебряной пасты или напыления меди. На торцах пластины поверх электродов 10 нанесены методом лужения контактные площадки 11. Конденсатор работает следующим образом. При приложении электрического напряжения к его контактам 11 реализуется электрическая емкость между каждым из двух металлических электродов 4 и отделенным от них диэлектрическим слоем 8 полупроводниковым слоем керамики 7, который выполняет роль внутреннего электрода так, что эти две емкости оказываются включенными последовательно через сопротивление полупроводникового слоя 7. Хотя конденсатор с электродами, выполненными из различных материалов (металла и полупроводниковой сегнетокерамики) является полярным, но два таких конденсатора включены встречно, поэтому конструкция ЧИП-конденсатора как единого целого является неполярной. Электрическая емкость конденсатора задается диэлектрической проницаемостью



Суд > 0,63 мкФ/см3 (удельная емкость прототипа);
Со

См

карта плановых процентов по ЕСТД 73201.00001 (пооперационный выход годных изделий з-да Кулон (ЛНПО Позитрон) на 1990, утв. 28.09.89) для многослойного керамического конденсатора К10-17;
Ч. -Г. Мэнгин, С.Макклелланд. Технология поверхностного монтажа. Будущее технологии сборки в электронике. М. Мир, 1990, с.17, 183, 184. В табл.2 приведены значения параметров, соответствующие примерам реализации конденсаторов
Как видно из данных, представленных в табл.2, поставленная цель достигается при соблюдении указанных пределов отношения L/W и L/H (примеры 6-10, 14-19 и 21-27) и не достигается, если оба или хотя бы один из пределов нарушается, т. к. при этом либо существенно уменьшается удельная объемная емкость (пример 29), либо снижается процент выхода годных заготовок после обжига Go ниже 95% (примеры 12, 13, 28), либо нарушается правильность установки ЧИПа при автоматизированном монтаже (Gм< <99,9%) примеры 1,2,3,4,5,11,13,20. Тангенс угла потерь ЧИП-конденсатора в радиочастотном диапазоне существенным образом зависит от конфигурации электродов, которые образуются при различных способах расположения разделительного пояска. Минимальные потери получаются у предлагаемой конструкции, что подтверждается данными табл. 3. Предлагаемая конструкция ЧИП-конденсатора позволяет повысить удельную емкость более чем в 3 раза (с 0,63 мкФ/см3 для прототипа до 2,20 мкФ/см3 для заявляемого конденсатора) при сопоставимых типо-номиналах и типо-размерах конденсаторов, а также уменьшить тангенс угла потерь tg

с 0,63 до 0,21 при частоте f 106 Гц и
с 1,17 до 0,87 при частоте f 107 Гц (для L x W x H 2х1,6х1,1 мм и Сн 2,2 нФ прототип и для L x W x H 1,5 х 1,15 х 0,88 мм и Сн= 3,3 нФ заявляемый конденсатор). При этом заявляемое техническое решение позволяет реализовать автоматизированный поверхностный монтаж на печатные платы и в гибридных микросхемах. По сравнению с известными типовыми конструкциями конденсаторов (например, с монолитным керамическим конденсатором К10-17) заявляемый ЧИП-конденсатор обеспечивает, с одной стороны, сокращение расхода драгоценных металлов, а, с другой стороны, упрощение технологии его изготовления и снижение трудоемкости технологического процесса.
Формула изобретения


где L, W, H длина, ширина и высота соответственно,
при этом длина выбрана в диапазоне 1,5-8,0 мм, металлические электроды расположены центрально-симметрично один относительно другого на противоположных основаниях и смежных с ними наименьших по площади гранях параллелепипеда, при этом контактные площадки расположены на металлических электродах на боковых гранях параллелепипеда, замкнутый деметаллизированный поясок расположен поперек каждого из оснований диагонально симметрично и примыкает к боковым граням параллелепипеда со сплошным диэлектрическим слоем и контактными площадками соответственно.
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7