Почвенный субстрат для выращивания рассады овощных культур
Использование: сельское хозяйство, в частности производство субстратов для выращивания рассады овощных культур в парниках и теплицах. Сущность изобретения: питательный субстрат содержит, мас. торф 30,0 50,0; фосфорные удобрения в расчете на P2O5 0,006 0,4; калийные удобрения в расчете на K2O 0,03 0,2 и карбонатный сапропель - остальное. При этом дополнительно в субстрат вводят азотные удобрения в расчете на азот 0,04 0,25 мас. и бесподстилочный птичий помет в количестве 10 20 мас. при сухом остатке 30 36 мас. 2 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к производству питательных грунтов для выращивания рассады овощных культур в парниках и теплицах.
Известен почвенный грунт для выращивания рассады, включающий верховой торф, азотные, фосфорные, калийные удобрения, микроэлементы. Однако он недостаточно эффективен при выращивании рассады, требует точного подбора микроэлементов и дополнительного введения их по отдельности в виде подкормки. Наиболее близким к предлагаемому является почвенный грунт для выращивания рассады овощных культур, включающий низинный торф с влагоемкостью 500-700 на 100 мас.ч. торфа

Формула изобретения
1. ПОЧВЕННЫЙ СУБСТРАТ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ РАССАДЫ ОВОЩНЫХ КУЛЬТУР, включающий сапропель, торф, фосфорные и калийные удобрения, отличающийся тем, что в качестве сапропеля используют карбонатный сапропель при следующем соотношении компонентов, мас. Торф 30,0 50,0 Фосфорные удобрения (в расчете на Р2О5) 0,006 0,4 Калийные удобрения (в расчете на К2О) 0,03 0,2 Карбонатный сапропель Остальное 2. Субстрат по п. 1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит азотные удобрения в количестве 0,04 0,25 мас. (в расчете на азот). 3. Субстрат по п. 1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит бесподстилочный птичий помет в количестве 10 20 мас. при сухом остатке 30 - 36 мас.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3MM4A Досрочное прекращение действия патента из-за неуплаты в установленный срок пошлины заподдержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 28.11.2009
Дата публикации: 10.12.2011