Способ получения защитного слоя на тонкопленочном носителе информации магнитного диска

 

Изобретение относится к производству информационной техники, в частности к способам производства магнитных дисков. Сущность изобретения заключается в том, что перед формированием зоны реакции наносят рабочий материал на поверхность диска. Зону реакции формируют в виде плазменной струи атмосферного давления из смеси инертных и окислительных газов. При этом защитный слой получают при n-разовом (где n 1) пересечении диском плазменной струи.

Изобретение относится к производству информационной техники, в частности к способам производства магнитных дисков.

Известны способы получения защитного тонкопленочного носителя информации магнитного диска, при котором на поверхности формируется защитный слой в вакууме, путем напыления [1] Однако известные способы не позволяют получить защитный слой тонкопленочного носителя информации при атмосферном давлении.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является способ получения защитного слоя тонкопленочного носителя информации, при котором формируют плазменную зону реакции между поверхностью диска, окислителем, рабочим материалом и окисляют рабочий материал в среде плазмы с получением защитного слоя на диске, расположенном в зоне реакции [2] Данный способ получения защитного слоя предполагает использование сложной вакуумной техники, кроме того, адгезия защитного слоя к рабочему не достаточно прочна.

Целью изобретения является упрощение технологии, увеличение износостойкости защитного покрытия.

Цель достигается за счет того, что в способе, при котором формируют плазменную зону реакции между поверхностью диска, окислителем и рабочим материалом и окисляют рабочий материал в среде плазмы инертных и окислительных газов с получением защитного слоя на диске, расположенном в зоне реакции, перед формированием зоны реакции наносят рабочий материал на поверхность диска, зону реакции формируют в виде плазменной струи атмосферного давления, а защитный слой получают окислением слоя рабочего материала при n-разовом (где n 1) пересечении диском плазменной струи.

Способ осуществляют следующим образом.

Гидродинамически непрерывный плазменный поток формируется с помощью n-струйного плазмотрона, где n 2; 4, окисляющий газ O₂ вводится в область слияния струи. Давление окружающей среды атмосферное. Магнитный диск перемещался в направлении, перпендикулярном направлению плазменного потока. Толщина образуемого покрытия зависит от количества контактов плазмы с поверхностью.

Пример выполнения способа получения защитного слоя тонкопленочного носителя информации магнитного диска.

Защитное покрытие получают на диске, рабочий слой которого состоит из сплава Со₈₀Ni₂₀, плазменный поток с температурой ниже 10^4оС формируют, например, с помощью четырехструйного дугового плазменного генератора с магнитным управлением. Мощность разряда не более 28 кВт. Плазменный газ азот или аргон. Давление окружающей среды 1 атмосфера. Скорость истечения струи дозвуковая. Кислород вводится в область слияния плазменных струй. Магнитный диск перемещается со скоростью 4 м/с. Рабочая поверхность окислялась от 100 до 0,4 мкм. Магнитные параметры после процессов окисления соответствовали исходным параметрам.

Таким образом, получение защитного слоя на тонкопленочном носителе информации при использовании плазменной струи атмосферного давления из смеси инертных и окислительных газов приводит к значительному увеличению износостойкости защитного покрытия при упрощении технологии.

Формула изобретения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАЩИТНОГО СЛОЯ НА ТОНКОПЛЕНОЧНОМ НОСИТЕЛЕ ИНФОРМАЦИИ МАГНИТНОГО ДИСКА, при котором формируют плазменную зону реакции между поверхностью диска, окислителем, рабочим материалом и окисляют рабочий материал в среде плазмы инертных и окислительных газов с получением защитного слоя на диске, расположенном в зоне реакции, отличающийся тем, что перед формированием зоны реакции наносят рабочий материал на поверхность диска, зону реакции формируют в виде плазменной струи атмосферного давления, а защитный слой получают окислением слоя рабочего материала при n-разовом (где n 1) пересечении диском плазменной струи.