Способ определения скорости распространения включенного состояния силовых тиристоров
Авторы патента:
Сущность изобретения: через испытуемый тиристор пропускают синусоидальные импульсы различной длительности и амплитуды. По результатам измерения динамического сопротивления в момент максимума тока, определяют среднюю и динамическую скорости распространения включенного состояния. 2 ил., 1 табл.
Изобретение относится к функциональным измерениям полупроводниковых приборов и может быть использовано при оптимизации электрофизических параметров элементной базы мощных высокочастотных тиристорных генераторов, а также при конструировании и испытаниях новых типов мощных быстродействующих тиристоров.
При подаче на управляющий электрод (УЭ) тиристора импульса управления вблизи УЭ образуется область начального включения (НОВ). НОВ под влиянием диффузионных и дрейфовых процессов с переменной скоростью распространяется по площади структуры тиристора. Эта динамическая скорость распространения включенного состояния (СРВС) тиристора зависит от электрофизических параметров p-n-p-n-структу- ры и его нагрузочного режима. Время РВС мощных быстродействующих тиристоров может на 1-2 порядка превышать длительность коммутируемого импульса тока. Поэтому процесс РВС в значительной степени определяет динамические свойства силовых быстродействующих тиристоров и ограничивает их нагрузочные режимы. Известен неразрушающий способ определения средней СРВС, известно также теоретическое описание процессов, происходящих при этом. Через тиристор пропускают прямоугольный импульс тока заданной амплитуды и наблюдают зависимость напряжения на тиристоре от времени. Средняя СРВС определяется как отношение максимального расстояния, на которое может распространяться включенное состояние, к промежутку времени между включением тиристора и установлением стационарного значения падения напряжения на исследуемом тиристоре. Данный способ позволяет измерить среднюю СРВС тиристоров без их разборки. К недостаткам этого способа можно отнести низкую точность определения момента наступления стационарного состояния в тиристоре, а также невозможность измерения динамики изменения СРВС. Целью изобретения является создание неразрушающего способа измерения средней и динамической СРВС в силовых тиристорах, а также повышение точности измерения средней СРВС. Поставленная цель достигается тем, что через испытуемый тиристор пропускают синусоидальные импульсы тока различной амплитуды и длительности, определяют каждый раз динамическое сопротивление, из топологии тиристора определяют рабочую площадь активного элемента, длину управляющего электрода, максимальное расстояние от равноудаленной точки на поверхности активного элемента до управляющего электрода (т.е. максимальное расстояние, на которое распространяется включенное состояние); определяют значение установившегося (стационарного) динамического сопротивления. Динамическую СРВС определяют как отношение произведения установившегося значения динамического сопротивления на рабочую площадь активного элемента тиристора к произведению динамического сопротивления, измеренного при данной длительности импульса тока, длины управляющего электрода и половины длительности импульса тока. Среднюю СРВС определяют как отношение рабочей площади активного элемента тиристора Sраб к произведению длины управляющего электрода и половины длительности импульса тока, при котором динамическое сопротивление достигает установившегося значения. Известен способ измерения СРВС с помощью регистрации рекомбинационного излучения, в котором области тиристора проводящие ток, вследствие излучательной рекомбинации, вызванной носителями заряда, дают излучение с длиной волны
















UТМ = U0 + Ldi/dt + Rд



При измерении UТМ в максимуме тока (т.е. при

Rд=



Установившееся значение Rд определяют при двух значениях постоянного тока СРВС, рассчитывают по выражению (4), как среднюю за каждый интервал времени (




Формула изобретения
РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3
Похожие патенты:
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для контроля и измерения критических значений прямого тока силовых полупроводниковых приборов (СПП)
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для оценки качества диэлектрических слоев на поверхности полупроводниковых структур, имеющих p-n-переход
Информационная система связи // 2019851
Изобретение относится к контрольно-измерительной и информационной технике и может быть использовано для приема и передачи дискретной информации при контроле полупроводниковых приборов, в том числе дистанционном контроле, например для контроля высокочастотных транзисторов, вмонтированных в схему, а также для информационного обмена между объектами
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано, в частности, для контроля качества транзисторов и транзисторных структур на различных этапах технологического цикла с целью раннего выявления приборов (транзисторных структур) с повышенным значением коэффициента шума на рабочей частоте
Способ отбраковки полупроводниковых приборов // 2010004
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности и качества полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к измерительной технике и может быть, в частности, использовано для определения добротности, концентрации легирующей примеси и глубоких примесных центров в полупроводниковых материалах, пленках и приборах (МДП-структуры, р-n переходы, контакты металл-полупроводник, эпитаксиальные слои и др)
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров
Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)
Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Устройство для контроля светодиодов // 2130617
Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов
Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим