Структура с переменной емкостью
Использование: в радиоэлектронике, автоматике и т.п. в качестве конденсатора, привода или генератора электрической энергии. Сущность изобретения: структура с переменной емкостью имеет две пластины, между которыми расположено множество диэлектрических пленок с токопроводящими покрытиями, обращенными в сторону одной пластины. Соседние пленки непосредственно соединены между собой на участках непосредственного соединения, расположенных с постоянным шагом, причем для последующих соседних пленок эти участки смещены на половину шага, образуя ячеистую структуру, ячейки которой способны изменять свою конфигурацию при перемещении пленок из одного крайнего положения в другое в направлении, перпендикулярном поверхностям пластин, с которыми связаны крайние пленки. В крайнем положении, соответствующем максимальной емкости, ячейки смыкаются противоположными в направлении перемещения поверхностями по всей их площади, а в крайнем положении, соответствующем минимальной емкости, между противоположными поверхностями ячеек образуется зазор переменной величины, имеющей минимальное значение вблизи участков непосредственного соединения. 3 з.п. ф-лы, 15 ил.
Изобретение относится к электромеханике, а более точно к структуре с переменной емкостью, и может быть использовано в радиоэлектронике, устройствах автоматики и вычислительной техники и других областях в качестве привода возвратно-поступательного перемещения и генератора электрической энергии.
Известна структура с переменной емкостью, содержащая два электрода, первый из которых выполнен в виде гибкой пластины, закрепленной в корпусе. Второй электрод имеет выпуклую поверхность, обращенную к первому электроду, причем на этой поверхности выполнены изолированные друг от друга сферические выступы, имеющие при перемещении второго электрода в направлении к первому возможность контактировать с первым электродом. В структуре также предусмотрен механизм взаимного перемещения электродов. Указанная структура позволяет регулировать емкость в пределах площади контакта сферических выступов с первым электродом. Однако диапазон изменения емкости в данной конструкции структуры ограничен габаритами электродов. Известна также структура с переменной емкостью, содержащая две пластины и множество диэлектрических пленок, расположенных между пластинами одна над другой, крайние из которых жестко связаны с пластинами и которые снабжены токопроводящим покрытием, расположенным на их поверхностях, обращенных в сторону одной пластины, и имеют участки механического соединения соседних диэлектрических пленок, расположенные с постоянным шагом и со смещением на половину этого шага для последующих соседних диэлектрических пленок, причем токопроводящие покрытия всех диэлектрических пленок, расположенных через одну, электрически соединены соответственно с двумя выводами. В указанной структуре с переменной емкостью участки соединения соседних диэлектрических пленок образованы жесткими монолитными прокладками, в частности кольцевыми, жестко связанными с диэлектрическими пленками. Такое соединение соседних диэлектрических пленок либо не позволяет диэлектрическим пленкам контактировать друг с другом, либо ограничивает площадь их контакта из-за наличия прокладок. По существу, указанная конструкция позволяет изменять объем структуры не более чем в два раза, тем самым ограничивая диапазон изменения емкости, который является более широким по сравнению с описанной конструкцией структуры, но недостаточным для объектов, использующих структуру с переменной емкостью в качестве исполнительного механизма. В основу изобретения положена задача создать структуру с переменной емкостью, в которой за счет уменьшения расстояния между соседними диэлектрическими пленками на участках их соединения обеспечивалось бы увеличение диапазона изменения емкости. Поставленная задача решается тем, что в структуре с переменной емкостью, содержащей две пластины и множество диэлектрических пленок, расположенных между пластинами одна над другой, крайние из которых жестко связаны с пластинами и которые снабжены токопроводящими покрытиями, расположенными на их поверхностях, обращенных в сторону одной пластины, и имеют участки механического соединения соседних диэлектрических пленок, расположенные с постоянным шагом и со смещением на половину этого шага для последующих соседних диэлектрических пленок, причем токопроводящие покрытия всех диэлектрических пленок, расположенных через одну, электрически соединены соответственно с двумя выводами, на участках соединения соседних диэлектрических пленок эти диэлектрические пленки непосредственно соединены между собой. Каждый участок непосредственного соединения соседних диэлектрических пленок представляет собой множество дискретных отрезков. Периферийные участки токопроводящих покрытий всех диэлектрических пленок, расположенных через одну, непосредственно соединены между собой, при этом выводы соединены с этими периферийными участками. Для непосредственного соединения периферийных участков токопроводящих покрытий всех диэлектрических пленок, расположенных через одну, диэлектрическими пленками служат слои плоского рулона, образованного намоткой двух диэлектрических пленок с токопроводящими покрытиями, при этом участки непосредственного соединения соседних слоев плоского рулона расположены на его плоских участках и перпендикулярны направлению намотки. На фиг. 1 изображен общий вид предлагаемой структуры в крайнем положении диэлектрических пленок, соответствующем минимальной емкости структуры (поперечный разрез пластин и диэлектрических пленок); на фиг. 2 - вид по стрелке А на фиг. 1; на фиг. 3 - то же, в другом крайнем положении диэлектрических пленок, соответствующем максимальной емкости структуры; на фиг. 4 - вид по стрелке Б на фиг. 3; на фиг. 5 - структура с участками непосредственного соединения соседних диэлектрических пленок, представляющими собой сплошные прямые линии, вид сверху; на фиг. 6 - то же, представляющими собой множество дискретных отрезков прямой, вид сверху; на фиг. 7 - структура с участками непосредственного соединения соседних диэлектрических пленок, представляющими собой множество дискретных отрезков дуг, ориентированных по концентрическим окружностям вид сверху; на фиг. 8 - вариант выполнения структуры в виде плоского рулона из двух диэлектрических пленок, аксонометрия; на фиг. 9 - общий вид датчика линейного перемещения объектов, частичный поперечный разрез; на фиг. 10 - общий вид электростатического двигателя со средством возврата подвижной пластины структуры с переменной емкостью в исходное положение, выполненным в виде пружины, частичный продольный разрез; на фиг. 11 - временная диаграмма напряжения на выходе первого генератора чередующихся разнополярных импульсов электростатического двигателя; на фиг. 12 - то же, со средством возврата подвижной пластины структуры с переменной емкостью в исходное положение, выполненным в виде аналогичной структуры с переменной емкостью, частичный продольный разрез; на фиг. 13 - временная диаграмма напряжения на выходе второго генератора чередующихся разнополярных импульсов электростатического двигателя; на фиг. 14 - общий вид электростатического генератора, частичный продольный разрез; на фиг. 15 - временная диаграмма напряжения на выходе генератора чередующихся разнополярных импульсов электростатического генератора. Структура с переменной емкостью (конденсатор переменной емкости) содержит две пластины 1 и множество диэлектрических пленок 2, расположенных между пластинами 1 одна над другой, крайние из которых жестко связаны с пластинами 1 и которые снабжены токопроводящими покрытиями 3, расположенными на их поверхностях, обращенных в сторону одной пластины 1. В описываемом варианте диэлектрические пленки 2 выполнены из полиэтилентерефталата и имеют токопроводящее покрытие 3 из алюминия. Диэлектрические пленки 2 непосредственно соединены между собой на участках 4 непосредственного соединения соседних диэлектрических пленок. При этом участки 4 расположены с постоянным шагом h и со смещением на половину этого шага h для последующих соседних диэлектрических пленок 2 и образуют ячеистую структуру. В ячеистой структуре токопроводящие покрытия 3 всех диэлектрических пленок 2, расположенных через одну, соединены соответственно с двумя выводами 5, а ячейки 6 способны изменять свою конфигурацию при перемещении диэлектрических пленок 2 из одного крайнего положения (см. фиг. 1) в другое крайнее положение (см. фиг. 3) в направлении, перпендикулярном поверхностям пластин 1. При этом участки 4 непосредственного соединения соседних диэлектрических пленок обеспечивают ячейкам 6 такое изменение конфигурации, при котором ячейки 6 смыкаются противоположными в направлении перемещения поверхностями по существу по всей их площади (см. фиг. 3 и 4) в одном крайнем положении пленок 2, соответствующем максимальному значению емкости структуры с переменной емкостью. В другом крайнем положении пленок 2, соответствующем минимальному значению емкости структуры с переменной емкостью, между противоположными поверхностями ячеек 6 образуется зазор переменной величины, имеющий минимальное значение вблизи участков 4 непосредственного соединения соседних диэлектрических пленок. Таким образом, конфигурация ячеек 6 в крайнем положении диэлектрических пленок 2, соответствующем минимальному значению емкости структуры с переменной емкостью, зависит от того, каковы участки 4 непосредственного соединения и как они расположены. Используемые в настоящее время диэлектрические пленки 2 имеют толщину 10-0,01 мкм, при этом непосредственное их соединение может быть осуществлено с помощью клея, а также лазерной и диффузионной сварки, что является более предпочтительным с точки зрения минимального расстояния между диэлектрическими пленками 2 на участке 4 непосредственного соединения. В зависимости от областей применения структуры с переменной емкостью и способов соединения диэлектрических пленок 2 участки 4 непосредственного соединения соседних диэлектрических пленок представляют собой линии, расположенные по существу на одинаковых расстояниях друг от друга по их длине: сплошные прямые линии 7, множество дискретных отрезков 8 прямой, ориентированных по прямым линиям, а также множество дискретных отрезков 9 дуг, ориентированных по концентрическим окружностям. В показанном на фиг. 1 варианте структуры с переменной емкостью ячейки 6 образованы участками 4, представляющими собой сплошные прямые линии 7, при которых ячейки 6 имеют в сечении, перпендикулярном их осям, ромбовидную форму в одном из промежуточных или крайнем положении диэлектрических пленок 2, соответствующем минимальному значению емкости структуры с переменной емкостью. Выводы 5 структуры могут быть непосредственно связаны с каждым соответствующим токопроводящим покрытием 3 (см. фиг. 2). Для упрощения конструкции выводы 5 (см. фиг.1) связаны с периферийными участками 10 токопроводящих покрытий 3 (см. фиг. 2) диэлектрических пленок 2, расположенных через одну, а сами участки 10 (см. фиг. 1) непосредственно соединены между собой, например, с помощью токопроводящего клея. При этом выводы 5 в описываемом варианте присоединены к металлическим скобам 11, охватывающим периферийные участки 10. Для непосредственного соединения периферийных участков 10 токопроводящих покрытий 3 (см. фиг. 2) всех диэлектрических пленок 2 ячеистой структуры, расположенных через одну, диэлектрическими пленками 2 служат слои плоского рулона 12, образованного намоткой двух диэлектрических пленок 13 с токопроводящими покрытиями 14. При этом линии 15 соединения соседних слоев плоского рулона расположены с постоянным шагом h на его плоских участках и перпендикулярны направлению намотки. Для последующих соседних слоев плоского рулона 12 линии 15 соединения смещены по существу на половину шага h, что соответствует соединению отдельных диэлектрических пленок 2 (см. фиг. 1-7). Перестройка структуры с переменной емкостью осуществляется следующим образом. В результате механического перемещения пластин 1, которое может быть осуществлено, в частности, с помощью механизма перестройки, изменяется величина зазора между противоположными в направлении перемещения поверхностями всех ячеек 6 ячеистой структуры. При этом изменяется усредненное расстояние между токопроводящими покрытиями 3 (см. фиг. 2) диэлектрических пленок 2, а следовательно, и емкость структуры с переменной емкостью в соответствии с выражением: C=


Формула изобретения
1. СТРУКТУРА С ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТЬЮ, содержащая две пластины и множество диэлектрических пленок, расположенных между пластинами одна над другой и выполненных с токопроводящими покрытиями, расположенными на их поверхностях, обращенных в сторону одной пластины, и участками механического соединения соседних диэлектрических пленок, расположенных с постоянным шагом и со смещением на половину этого шага для соседних диэлектрических пленок, причем токопроводящие покрытия всех диэлектрических пленок, расположенных через одну, электрически соединены соответственно с двумя выводами, а крайние диэлектрические пленки жестко связаны с пластинами, отличающаяся тем, что на участках соединения соседних диэлектрических пленок эти диэлектрические пленки непосредственно соединены между собой. 2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что каждый участок непосредственного соединения соседних диэлектрических пленок представляет собой множество дискретных отрезков. 3. Структура по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что периферийные участки токопроводящих покрытий всех диэлектрических пленок, расположенных через одну, непосредственно соединены между собой, при этом выводы соединены с периферийными участками. 4. Структура по п.3, отличающаяся тем, что диэлектрическими пленками служат слои плоского рулона, образованного намоткой двух диэлектрических пленок с токопроводящими покрытиями, при этом участки непосредственного соединения соседних слоев плоского рулона расположены на его плоских участках и перпендикулярны направлению намотки.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6, Рисунок 7, Рисунок 8, Рисунок 9, Рисунок 10, Рисунок 11, Рисунок 12, Рисунок 13, Рисунок 14, Рисунок 15