Способ снятия пластмассовых покрытий
Авторы патента:
Сущность изобретения: при удалении покрытий полупроводниковых приборов плазму создают путем пропускания тока в газовой среде над обрабатываемым покрытием, а воздействие на покрытие осуществляют сгустками плазмы длительностью 10 - 15 мкс, которые формируют с помощью импульсного магнитного поля. 1 ил.
Изобретение относится к электронной технике, к механической обработке полупроводниковых приборов в пластмассовых корпусах, где снятие покрытий с изделий производится путем обработки их сыпучими материалами, эжектируемыми воздухом через форсунки [1] .
Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления тонких структур для контактирования полупроводников [2] , где покрытие удаляется путем испарения под действием импульсного излучения эксимерным лазером, получаемого кратковременным включением излучения. Этот способ требует уникальности оборудования при низкой производительности ввиду малых зон обработки и экранирующего действия порошкообразных остатков облоя. Целью изобретения является повышение эффективности и качества снятии покрытия, которая достигается тем, что при снятии покрытий полупроводниковых приборов, плазму создают путем пропускания тока в газовой среде над обрабатываемым покрытием, а воздействие на покрытие осуществляют сгустками плазмы длительностью 10-15 мкс, которые формируют с помощью импульсного магнитного поля. Для обработки покрытия применяется электродуга постоянного тока косвенного действия. На чертеже 1 - внутренний цилиндрический электрод, 2 - наружный цилиндрический электрод, 3 - электрическая дуга, 4 - изделие, 5 - катушка, 6 - покрытие. Расстояние электродов от обрабатываемой поверхности зависит от скорости вращения и длины перемещения дуги и от термостойкости покрытия. Геометрические и электрические параметры дуги, необходимые для разогрева покрытия: напряжение дуги 30 В при токе 100 А, напряжение холостого хода 180 В, длина дуги 1,5-2 мм, ширина дуги 1-1,5 мм. Например, для снятия пластмассового облоя полупроводниковых приборов, получаемого в виде пленки толщиной до 1 мм, расстояние между электродами и поверхностью равно 3-4 мм при скорости перемещения дуги 20 м/с. Для снятия автомобильной краски расстояние между электродами и поверхностью можно увеличить до 4-5 мм при скорости перемещения дуги 20 м/с. В обоих случаях расход инертного газа равен 1 л/с, а диаметр окружности перемещения дуги - 100 мм. В сравнении с известным техническим решением в предлагаемом способе не только увеличивается производительность снятия покрытия, но обеспечивается снятие с изделий покрытий повышенной толщины, исключается ручная операция дозачистки. (56) 1. Электронная промышленность, 1982, N 1, с. 59-63. 2. Заявка ФРГ N 3608410, кл. Н 01 L 21/48, 1987.Формула изобретения
СПОСОБ СНЯТИЯ ПЛАСТМАССОВЫХ ПОКРЫТИЙ , включающий воздействие на покpытие плазмой и механическое удаление покpытия, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности пpи снятии покpытий полупpоводниковых пpибоpов, плазму создают путем пpопускания тока в газовой сpеде над обpабатываемым покpытием, а воздействие на покpытие осуществляют сгустками плазмы длительностью 10 - 15 мкс, котоpые фоpмиpуют с помощью импульсного магнитного поля.РИСУНКИ
Рисунок 1
Похожие патенты:
Изобретение относится к твердотельной электронике и может быть использовано для предэпитаксиальной обработки подложек из дифторида бария BaF2 при изготовлении фотоприемных устройств
Способ локального травления подложек из твердых растворов теллурида свинца-теллурида олова // 1814451
Изобретение относится к области оптоэлектроники, может быть использовано в технологии изготовления лазеров и фотоприемных устройств ИК-диапазона
Изобретение относится к разрезанию неметаллических, преимущественно полупроводниковых и диэлектрических, материалов на тонкие пластины, используемые в качестве подложек интегральных схем
Способ изготовления дифракционной решетки // 1629930
Состав для полирования силленитов // 1565298
Способ изготовления диодных матриц // 1277842
Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов и может быть использовано при изготовлении сфер небольшого диаметра из монокристаллических феррогранатов
Селективный травитель для дийодида ртути // 928946
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, преимущественно к технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике
Полировальный состав для полупроводников типа а2ivi и способ полирования полупроводников типа а2ivi // 2170991
Изобретение относится к материаловедению полупроводников
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии, и может использоваться для анализа микроструктуры керамики: выявления границ зерен, анализа распределения зерен по размерам
Изобретение относится к области очистки сапфировых подложек для гетероэпитаксии нитридов III группы, которые в дальнейшем применяются для изготовления различных оптоэлектронных элементов и устройств
Способ получения монокристаллического sic // 2454491
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем
Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов на основе CdHgTe, в частности к улучшению параметров приборов, их однородности по пластине и стабильности во времени и может найти применение для создания матриц, например, n-p-переходов или других полупроводниковых приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии химической обработки и пассивации поверхности полупроводников, и может быть использовано при изготовлении фотоприемников ИК-диапазона на основе твердых растворов
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что маска из диэлектрика или металла изготавливается до роста алмазной пленки на подложке с ровной поверхностью, обеспечивающей субмикронные размеры маски, с последующим формированием на маске алмазной пленки и вскрытием окна со стороны подложки, что обеспечивает доступ со стороны подложки реагентов для травления алмазной пленки через маску. Изобретение обеспечивает формирование субмикронной маски для травления алмазной пленки до роста алмазной пленки. 6 ил.,1 табл.
Использование: для получения структур (деталей) аксиальной конфигурации. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает использование нескольких полупроводниковых подложек, на всех поверхностях которых создают электропроводящий слой, собирают подложки в виде пакета, а электрический разряд инициируют в режиме образования расплава, перед инициированием разряда в пакете формируют по крайней мере одно сквозное отверстие, обладающее заданной формой, геометрическими размерами и аксиальной симметрией и ось которого ориентирована строго параллельно профилирующему электроду, а последующее инициирование электрического разряда в режиме образования расплава осуществляют в условиях перемещения профилирующего электрода вокруг отверстия по заданной траектории, повторяющей его контур. Технический результат: обеспечение возможности повышения универсальности способа эрозионного копирования карбидокремниевых структур. 1 ил.