Фотоэлектрический приемник
205I72
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
"3..Г" злу74
Зависимое от авт, свидетельства №
Заявлено 02.V 1.1966 (№ 1082853/26-25) с присоединением заявки №
Кл. 21g, 29/30
Приоритет
МПК Н Oll
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Опубликовано 13.XI 1967. Бюллетень № 23
Дата опубликования описания 26.1.1968
УДК 621.383:535.215 (088,8) Авторы изобретения
А. С. Шефов и Я. Б. Герчиков
Заявитель
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРИЕМНИК
Изобретение относится к конструкции фотоэлектрического приемника.
Известна конструкция фотоэлектрического приемника, содержащсго фоточувствительный слой, нанесенный на массивную стекляннуто подложку, имеющую выступы в виде конусов, пирамид или призм, причем между фоточувствительным слоем и массивной стеклянной подложкой расположена промежуточная просветляющая пленка, что приводит к увеличению чувствительности фотоэлектрического приемника из-за уменьшения отраженной составляющей светового потока за счет интерференции лучей, отраженных от двух граней промежуточной просветляющей пленки.
Недостаток известной конструкции заключается в том, что наличие промежуточной просветляющей пленки усложняет технологию изготовления фотоэлектрического приемника, так как промежуточная просветляющая пленка должна обеспечивать выполнение ряда требований: отсутствие взаимодействия с материалом фотокатода, определенная толщина, высокая прочность.
Предложенная конструкция фотоэлектрического приемника отличается от известной тем, что минимальные потери света обеспечиваются за счет выбора угла у основания фигуры стеклянной подло>кки, который должен быть больше угла полного внутреннего отражения материала подложки.
Проведенная экспериментальная проверка показала, что с углами при основании конт/сов, пирамид или призм, составляющими 6(—
80 С, интегральная чувствительность прибора возрастает более, чем в 2 раза по сравнению с известными фотоэлектрическими приемниками.
Увеличение угла при основании конусов, пирамид или призм свыше 80 С приведет к резкому увеличению потерь света.
Таким образом предложенная конструкция фотоэлектрического приемника обеспечивает высокое повышение чувствительности фотокатода, работающего на просвет, при устранении технологических трудностей изготовления, имеющих место в приборах с промежуточной просветляющей пленкой.
Предложенное устройство может быть использовано принципиально в фотоприемнике любого типа, работающем на просвет: в фотоэлементах, фэу, фото- лбв, в передающих трубках и преобразователях изображения, а также в тонкопленочных полупроводниковых фотодетекторах.
На чертеже изображен фотоэлектрический приемник, состоящий из полупрозрачного фотослоя 1, нанесенного на прозрачную подлож30 ку 2, одна сторона которой плоская, а на дру.g М
ГОЙ (co cTopoHbl фотослоя) 11ме!О ся Выст с пы 8 в виде конусов, пирамид или призм.
Экспериментальный макет представляет собой мультищелочной фотокатод, нанесенный на стеклянную подложку, имеющую выступ в виде конуса с диаметром основания 3 лл и углом прп основании а,=-70 .
Предмет изобретения
Фотоэлсктри !сский приемник, содержащий
205!72 полупрозра гпый фоточувствительный слой, нанесенный на прозрачную подложку, имеющую
co cTopoH b((j)oToI1уВс Витсльнocо пы в виде конусов, пирамид или призм, отлича!Ои!ийся тем, что, с целью увеличения чувствительности приемника и упрощения технологии его изготовления, угол прп основании конусов, п11р11мпд плп np!r:1!il составляет 60—
80 .
Составитель И. Н. Еремина
Рсдакгор В. Д. Пенькова Корректоры Л. Я, Ьриккер Корректоры: М. П. Ромашова и Г. И. Плешакова
Заказ 4226 13 l Hliclii i)35 Подписное
Ц1-!!1ИП!! Комитета по делам иаоорстеиии и о!крытий ири C:>ветс Мипистров ССС!
Москва, Цс!п1к ир. Серова, д. 4
ТI!I!!!Ãpафии, Iil). 1 i!ill itÎ!!3, 2
