Подложка для пленочных гибридных схем

Авторы патента:

Э. В. Гертман , Н. В. Шипов Институт точной механики , вычислительной техники СССР

H01L27 - Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее (способы и аппаратура, предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, H01L 21/70,H01L 31/00-H01L 49/00; конструктивные элементы и особенности таких приборов H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 49/00; блоки, состоящие из нескольких отдельных приборов на твердом теле, H01L 25/00; блоки, состоящие из нескольких электрических приборов, вообще H05K)

205155

Союз Соеетских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14.Х.1965 (№ 1032718!26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 13,XI.1967. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 26.1.1968

Кл. 21g, 11/02

МПК H 011

УДК 621.382.3.002.2 (088.8) комитет по делам изобретений и открытий при Совете 6йииистрое

СССР

Авторы изобретения

Э. В. Гертман и H. В. Шипов

Институт точной механики и вычислительной техники АН СССР

Зая витель

ПОДЛОЖКА ДЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ ГИБРИДНЫХ СХЕМ

Известные подложки для пленочных гибридных схем, изготовленные, например из стекла, снабженные токопроводящими выводами, установленными заподлицо с поверхностью подложки, характеризуются невысокой механической прочностью и не обеспечивают вакуумную герметизацию микросхемы.

В описываемой подложке для пленочных гибридных схем одновременное использование подложки в качестве корпуса, а также повышение механической прочности и обеспечение вакуумной герметизации микросхемы достигнуто размещением указанной подложки в корытообразном металлическом основании, образующем корпус-подложку посредством спая стекла с металлом.

Конструкция описываемой подложки приведена на чертеже.

Как видно из чертежа, стеклянная подложка 1 образует спай с металлическим тонкостенным корытообразным основанием 2. Расположенные по периферии подложки 1 выводы 8 сошлифованы заподлицо с поверхностью подложки 1, на которую напыляют требуемую схему, В дальнейшем к манжете 4 основания 2, снабженной зигом 5 по периметру, припаивают крышку (на чертеже не показана), полностью герметизируя полученную микросхему.

10 Предмет изобретения

Подложка для пленочных гибридных схем, изготовленная, например, из стекла, снабженная токопроводящими выводами, установленными заподлицо с поверхностью подложки, отличающаяся тем, что, с целью одновременного использования подложки в качестве корпуса, а также повышения механической прочности и обеспечения вакуумной герметизации микросхемы, указанная подложка размещена в корытообразном металлическом основании, образующем корпус-подложку посредством спая стекла с металлом.

205155

Составитель Л. Матевосов

Редактор А. М, Соловьева Текред Л. Я. Ьриккер Корректоры; Л, В. Наделяева и Г. И. Плешакова

Заказ 4226/6 Тираж о35 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и огкргвгий при Совете Министров ССС!

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типографии, пр. Сапунова, 2

Фототермоэл емент // 173341

Устройство для температурной стабилизации фотодиодов // 143481

Интегральная схема с двумя типами моп-транзисторов // 2100874

Микрополосковый направленный ответвитель // 2101808

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в радиотехнических устройствах различного назначения в качестве элементной базы тонкопленочных интегральных высокочастотных узлов таких как разделительно-суммирующие устройства, радиочастотные мультиплексеры, фазовращатели, фильтры и другие

Способ прямого нанесения пленочного рисунка // 2103847

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности, к технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков с помощью лазерного луча и к устройствам, позволяющим реализовать такую технологию

Полупроводниковая интегральная схема // 2104601

Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Бикмоп-прибор и способ его изготовления // 2106719

Линия передачи // 2108639

Изобретение относится к области электронной техники и микроэлектроники, а именно к линиям передачи

Комплементарная биполярная транзисторная структура интегральной схемы // 2111578

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к разработке комплементарных биполярных транзисторных структур при производстве интегральных схем

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Интегральный логический элемент // 2115998

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, к интегральным логическим элементам БИС