Датчик температурь!
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Сасетских
Социалистических
Республик (.""". ТЕНТ1, 0-! " -зс10ТЕ1А
Зависимое от авт. свидетельства №
Кл, 421, 8/02
Заявлено 18.111.1966 (№ 1062093/26-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 31.VI.1967. Бюллетень № 12
Дата опубликования описания 25ХП.19б7
МПК б 01k
УДК 536.532(088.8) Каститвт по делам изобретений и открытий при Совете Мииистрав
СССР
Авторы изобретения А. И. Кривоиосов, В. И. Русланов, A. И. Русланов и А. М, Локощенко
3 а язитель
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ
Предмет изобретения
Существуют различные датчики температуры, в том числе с использованием в качестве чувствительных элементов р — n-переходов полупроводниковых диодов и триодов на основе германия.
Применяемым термодатчикам, B той или иной мере решающим технические задачи термометрии, присущи отдельные недостатки, к числу которых относятся значительная инерционность, сравнительно большие размеры, а также необходимость схемных усложнений в устройствах преобразования температуры в параметры электрического сигнала, Предложенный датчик температуры отличается or извсстных тем, что в нем в качестве чувствительного элемента используется топкопленочный негистор, например, на основе окиси ниобия, обладающий симметричной устойчивой по току вольтамперной характеристикой с выраженными участками с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Повышение температуры окружающей среды приводит к уменьшению участка вольтамперной характеристики с отрицательным дифференциальным со IpoTHBëåíèåì и полному пропаданию его при температуре 100 — 130 С, при этом уменьшение напряжения на негисторе в открытом состоянии достигает 70% от напряжения переключения.
Малые габариты улучшают динамические свойства датчика, а симметричная вольтамперная характеристика с участками с отрицательным дифференциальным сопротивлением расширяет возможности применения его в чувствительных и преобразовательных схемах.
Пленочная технология и малый уровень ра10 бочях напряжений и токов облегчают возможности согласования негисторов с другими схемными элементами аналогичного исполнения.
На чертеже представлена схема включения предложенного датчика, где обозначено: 1—
15 негистор, 2 — нагрузка, 8 — источник постоянного напряжения.
20 Датчик температуры, содержащий полупроводниковый термочувствительный элемент, отли< аюи1ийся тем, что в нем, с целью расширения возможностей использования, увеличения чувствительности и уменьшения инерционно25 сти, чувствительный элемент выполнен в виде тонкопленочного негистора, например, на осно,е окиси ниобия.
197223
Составитель И. И. Дубсои
Техред Л. Я. Бриккер Корректоры: Н. В. Черетаевй и Л. В. Наделяева
Редактор Н, С. Коган
Типография, пр. Сапунова, 2
Заказ 2183/10 Тираж 535 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова д. 4
