Устройство для измерения слабых магнитных полей
Применение: в устройствах контроля и управления, в магнитометрии, Сущность изобретения: устройство для измерения слабых магнитных полей содержит чувствительный к магнитному полю элемент 2 из тонкопленочного магнитомягкого материала , расположенный на подложке 1, работающий на планарном эффекте Холла и имеющий контактные площадки 3. В качестве такого материала использован пермало лой толщиной 200-400 А. На той же подложке по гибридной технологии выполнена интегральная схема, позволяющая произвести развязку по питанию чувствительного элемента и увеличить его магнитную чувствительность, где 5 - конденсатор частотной коррекции операционного усилителя , 6 - резисторы делителя обратной связи и входа, 7 - операционный усилитель, 8 - контактные площадки внешних устройств. 1 ил. J 3 3 V 2 1 i±t+ СП С 00 со XI го ь (Л Z/Avr. -f-f/f
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (si)s G 01 R 33/06
1 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ, : ВЕДОМСТВО СССР, : (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ .,: К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
5г 4 2
1 (21) 4892255/21
; (22) 17.12.90, (46) 30.08.93. Бюл. ¹ 32
: :(71) Белорусский государственный университет им. В.И.Ленина (72) Л.А.Андрало, И.И,Васильев, В.И.Проко; шин и В,А.Ярмолович
; (56) Авторское свидетельство СССР
: :¹ 1529943, кл. G 01 R 33/06, 1989.
: :(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СЛА, : БЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ
: (57)!!рименение: в устройствах .онтроля и
: управления, в магнитометрии, Сущность
: изобре-ения: устройство для измерения
: : слабых магнитных полей содержит чувстви. тельный к магнитному полю элемент 2 из
„„5U„„1837245 А1 тонкопленочного магнитомягкого материала, расположенный на подложке 1, работающий на планарном эффекте Холла и имеющий контактные площадки 3, B качестве такого материала использован пермало лой толщиной 200-400 А. На той же подложке по гибридной технологии выполнена интегральная схема, позволяющая произвести развязку по питанию чувствительного элемента и увеличить его магнитную чувствительность, где 5 — конденсатор частотной коррекции операционного усили-. теля, 6 — резисторы делителя обратной связи и входа, 7 — операционный усилитель, 8— контактные площадки внешних устройств.
1 ил.
1837245
Составитель Л. Андрало
Техред М.Моргентал Корректор М. Куль
Редактор
Заказ 2863 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101
Изобретение относится к магнитометрии и может быть использовано в устройствах контроля и управления..
Целью изобретения является упрощение изготовления l1 уменьшение затрат на производство устройства за счет исполнения всех элементов в планарной технологии микроэлектроники.
На чертеже представлено устройство для измерения слабых магнитных полей в разрезе.
Устройство содержит подложку 1 с расположенными на ней элементом 2, чувствительным к магнитному полю, четырьмя контактными площадками 3, соединительными проводами 4, конденсатором 5 частотной коррекции операционного усилителя, резисторами G делителя обратной связи и входа, операционным усилителем 7, контактными площадками 8 для присоединения внешних устройств.
Устройство работает следующим образом.
Магнитное поле. направление которого казана стрелкой, создает в чувствительном элементе 2 магнитный поток, который действует на носители электрического тока, протекающего через контакты, подключенtlbl0 к источнику напряжения через разделительные резисторы. В результате этого на двух других контактах чувствительного элемента появляется разность потенциалов, которая пропорциональна величине магнитного поля. Эта разность потенциалов через входное соп ротивление подается на диффе5 ренциальный вход операционного усилителя. Усиленный сигнал, пропорциональный величине магнитной индукции, снимается с выходной контактной площадки и подается на измерительный прибор либо систему управления.
Формула изобретения
Устройство для измерения слабых магнитных полей, содержащее подложку, "5 гибридную интегральную схему, чувствительный к магнитному полю элемент, о тл ич а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения изготов lBIIMsl и уменьшения затрат на производство за счет исполнения всех элементов в планарной технологии микролектроники, чувствительный к магнитному полю элемент выполнен тонкопленочным из магнитомя гкого материала толщиной 200о
25 400 А и имеет форму эллипса, у которого соотношение полуосей находится в пределах от 1/10 до 1/100, причем в центральной части эллипса выполнены четыре контактных площадки иэ неферромагнитного мате30 риала для крепления питающих и сигнальных проводов.
