Устройство для определения параметров электрооптических кристаллов
Изобретение относится к устройствам для бесконтактного контроля качества фоточувствительных электрооптических кристаллов, применяемых в качестве основного элемента различных оптоэлектронных устройств. Цель изобретения - повышение производительности и информативности измерений. Устройство включает оптическую часть, состоящую из последовательно расположенных источника света, объектива, поляризатора, анализатора, второго объектива, первого фотоприемника, и электронную часть, содержащую первое фотоприемное устройство и два источника напряжения, в оптическую часть между объективом и поляризатором, а также между анализатором и фокусирующим объективом введены дополнительные фильтры с источником света, по второй оптической оси последовательно установлены фотозатвор, первое отражающее зеркало, третий объектив, третий фильтр, второе отражающее зеркало, полупрозрачное зеркало, оптически связанное с первой оптической осью, четвертый фильтр, четвертый объектив, второй фотоприемник, а в электронную часть введены блок управления зарядкой, регулируемые источники высокого напряжения, таймеры темнового и светового спадов потенциала, второе фотоприемное устройство, запоминающее устройство, блоки индикации и коммутации, а также электронный секундомер. 1 ил.
Изобретение относится к устройствам для бесконтактного контроля качества фоточувствительных электрооптических кристаллов, применяемых в качестве основного элемента различных оптоэлектронных устройств. Цель изобретения повышение производительности и информативности. Изобретение поясняется чертежом, на котором представлена схема устройства для определения параметров электрооптических кристаллов. Оптическая часть устройства содержит источник 1 света, объектив 2, фильтр 3 для выделения неактивной для фоточувствительных кристаллов области спектра, поляризатор 4, коронирующие электроды 5, расположенные симметрично относительно пластины 6 электрооптического кристалла, анализатор 7, фильтр 8 для пропускания той же области спектра, что и фильтр 3, объектив 9 для направления неактивного светового пучка на фотодиод 10, фотозатвор 11, зеркала 12,15, объектив 13, фильтр 14 для выделения активной для фоточувствительных кристаллов области спектра, полупрозрачное зеркало 16 для направления активного пучка на кристалл и пропускания неактивного пучка, фильтр 17 для пропускания только прошедшей через полупрозрачное зеркало части активного пучка и для поглощения неактивного света, объектив 18 для направления активного света на фотодиод 19. Электронная часть устройства содержит источник 20 высокого напряжения положительной полярности, источник 21 высокого напряжения отрицательной полярности, фотоприемное устройство 22 неактивного света, фотоприемное устройство 23 активного света, блок 24 управления зарядкой, запоминающее устройство 25, блок 26 индикации и коммутации, таймер 27 темнового спада, таймер 28 светового спада, электронный секундомер 29. Калибровка устройства для данного типа исследуемого кристалла проводится следующим образом. С помощью фотоприемного устройства 22 неактивного света устанавливают соответственно предельного значения шкалы блока 26 индикации и коммутации максимальному значению интенсивности неактивного света, проходящего через оптическую систему в отсутствие электрического поля на кристалле при параллельных поляризаторе 4 и анализаторе 7. С помощью блока 24 управления зарядкой устанавливают соответствие верхнего предельного значения шкалы блока 26 индикации и коммутации сигналу с блока 24, соответствующему максимальному напряжению короны: Uк 10кВ. Устройство работает следующим образом. Анализатор 7 устанавливают в положение, при котором интенсивность прошедшего через систему неактивного света равна О. С помощью таймера 27 темнового спада устанавливают время темнового спада потенциала. С помощью таймера 28 светового спада устанавливают время экспонирования кристалла активным светом. По сигналу "Пуск" включается цикл зарядки кристалла. Блок 24 управления зарядкой осуществляют с помощью источников 20 и 21 высокого напряжения и коронирующих электродов 5 зарядку образца в поле коронного разряда. Напряжение на коронирующих электродах возрастает по линейному закону. При достижении максимального значения интенсивности неактивного света Io, что соответствует зарядке кристалла до потенциала, равного полуволновому напряжению (U
/2), фотоприемное устройство 22 неактивного света дает команду блоку 24 управления зарядкой на отключение высокого напряжения. Одновременно происходит фиксирование максимального значения напряжения короны Uк и максимального значения интенсивности неактивного света Io с помощью запоминающего устройства 25. После этого запускается таймер 27 темнового спада. По окончании установленного времени темнового спада потенциала с помощью запоминающего устройства 25 фиксируется соответствующее значение интенсивности неактивного света I1, запускается таймер 28 светового спада и включается фотозатвор 11, открывающий пучок активного света. В момент попадания активного света на фотодиод 19 с помощью фотоприемного устройства 23 активного света включается электронный секундомер 29. Прекращение счета времени осуществляется при достижении значения интенсивности неактивного света, равного половине значения интенсивности I1, измеряемого перед началом экспозиции и зафиксированного в запоминающем устройстве 25. По окончании измерительного цикла в запоминающем устройстве фиксируются: 1) значение напряжения короны Uк в момент достижения интенсивности неактивного света максимального значения; 2) величина этой интенсивности Io; 3) значение интенсивности I1 в конечный момент темнового спада потенциала. На табло электронного секундомера фиксируется время t1/2 полуспада потенциала на кристалле при его экспонировании активным светом. Считывание значений Uк, Io, I1 осуществляют с помощью блока 26 индикации и коммутации. Информация хранится до сигнала "Пуск" очередного цикла измерений. Определение значений полуволнового напряжения U
/2, эффективного удельного сопротивления
эф и фоточувствительности S проводится по следующим формулам: U
/2 2(Uк-U3), (1) где Uк напряжение на коронирующих электродах, измеренное в момент достижения интенсивности неактивного света максимального значения (Io) и зафиксированное запоминающим устройством 25; Uз напряжение зажигания коронного разряда, которое является характеристикой применяемого зарядного устройства. Для примененного зарядного устройства при комнатной температуре U3 (3,6
0,05) кВ Время релаксации потенциала после выключения коронирующего напряжения определяется эффективным удельным сопротивлением
эф и емкостью кристалла, что позволяет провести оценку следующим образом:
эф
где tт время темнового спада потенциала, устанавливаемое таймером 27;
диэлектрическая постоянная кристалла;
о 8,85 10-12 ф/м;
U1 значение потенциала на кристалле в момент окончания темнового спада (соответствующая интенсивность зондирующего света I1регистрируется запоминающим устройством 25). Для линейного электрооптического эффекта значения интенсивности зондирующего света подчиняются закону:
I=Iosin
Учитывая это, формула (2) приобретает вид:
эф
. Фоточувствительность кристалла оценивают по времени полуспада потенциала на кристалле при его экспонировании активности светом или, учитывая (3), по времени полуспада интенсивности зондирующего света:
S (P t1/2)-1 (Дж/см2)-1, где Р мощность активного света (Вт/cм2), падающего на поверхность кристалла, является характеристикой устройства и измеряется при настройке;
t1/2 время (с) полуспада интенсивности зондирующего света, регистрируемое электронным секундомером 29. С помощью изобретения стало возможным контролировать целый комплекс ответственных параметров электрооптических фоточувствительных кристаллов, например: полуволновое напряжение, эффективное удельное сопротивление, фоточувствительность, определяющих основные эксплуатационные характеристики оптоэлектронных устройств, создаваемых на основе таких кристаллов. Новое устройство контроля параметров фоточувствительных электрооптических кристаллов в едином цикле имеет следующие преимущества по сравнению с прототипом: качественное, оперативное (20с), менее трудоемкое осуществление контроля параметров кристаллов. Значительно расширен круг измеряемых параметров (вместо одного параметра, как по прототипу, контролируют три). Не требуются специально подготовленные кристаллы с электрическими контактами.
Формула изобретения
РИСУНКИ
Рисунок 1