Транзисторный ключ
Изобретение относится к коммутации силовых электрических сигналов, например в устройствах автоматики или преобразовательной техники. Транзисторный ключ содержит силовой МДП-транзистор 1 с нагрузкой 3 и токоизмерительным резистором 2. В момент включения транзистора 1, когда он входит в линейный режим работы, транзистором 6 обеспечивается форсирование напряжения затвор-исток, чем исключается негативное влияние эффекта Миллера и уменьшается длительность включения тока стока и напряжения сток-исток и повышается быстродействие в целом, 1 ил. W е
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (я)з Н 03 К 17/687
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ! -6М
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ "" .",, К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4930829/21 (22) 25.04,91 (46) 30.06.93. Бюл. ЬЬ 24 (71) Уральское отделение Всесоюзного научно-исследовательского института железнодорожного транспорта (75) Б.С.Сергеев и В.И.Головин (56) Патент ФРГ
hk 3538184, кл. Н 03 К 17/08. 1987.
Патент. Японии
ЬЬ 61-51810, кл. H 03 К 17/10, 1986.
Авторское свидетельство СССР
N- 1497736, кл. Н 01 К 17/687, 1987. (54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ
„„5Q,, 1824á73 А1 (57) Изобретение относится к коммутации силовых электрических сигналов. например в устройствах автоматики или преобразоваTBIIbHoA техники. Транзисторный ключ содержит силовой МДП-транзистор 1 с нагрузкой 3 и токоизмерительным резистором 2. В момент включения транзистора 1, когда он входит в линейный режим работы, транзистором 6 обеспечивается форсирование напряжения затвор-исток, чем исключается негативное влияние эффекта Миллера и уменьшается длительность включения тока стока и напряжения сток-исток и повышаф ется быстродействие в целом, 1 ил.
1824673
U .çîáðåòåíèå относится к импульсной тех « ко, а именно к устройствам силовой .оммугвции электрических сигналов, и может быть использовано в источниках вторичного электропитания для построения импульсных транзисторных преобразователей постоянного напряжения.
Целью изобретения является устранение названных недостатков, а именно повышение быстродействия.
На чертеже приведена схема полевого транзисторного ключа.
Ключ соаеожит силовой МДП-транзистор 1, сток которого через первый резистор
2 соединен с нагрузкой 3. Стабилитрон 4 анодом и катодом соответственно подключен к истоку и затвору МДП-транзистора 1, затвор последнего через второй резистор 5 соединен с коллектором р-и-р-биполярного транзистора 6, базой через конденсатор 7 подключенного к стоку МДП-транзистора 1, а эмиттером — к точке соединения нагрузки
3 и первого резистора 2. Параллельно базе и эмиттеру транзистора 6 подключен третий резистор 8.
Полевой транзисторный ключ работает следующим образом.
B запертом состоянии МДП-транзистора 1 (ключ выключен) напряжение на затворе равно нулю, ток с1ока отсутствует и падение нэпр; кения н» резисторе 2 равно
«:, л о. Биполя, ь и транзистор 6 заперт и не .1р эво,пит тока.
При посту««ленин положигельного импульса Uynp управ «ения начинает заряжаться емкость затвор-исток транзистора 1. До
;ох пср, пока напряжение затвор-исток не достигнет порогового уровня, l ранзистор 1 остается запертым, По достижении напряжения этого уровня транзистор начинает открываться и входит в линейныи режим работы. Появляется и увеличивается его ток сгока. Это вызывает появление паде«ия напряжения на первом резисторе 2, что обусловливает ток базы биполярного транзистора 6, так как конденсатор 7 заряжается от падения напряжения на резисторе 2. Открывается биполярный транзистор
6, что вызыоает увеличение напряжения на затворе транзистора 1, так как через резистор 5 затвор соединяется со,стоком, Степень увеличения напряжения на затворе определяется внутренним сопротивлением источника управляющих Uynp имг!ульсов и емкостью затвор-исток
Таким образом,. на этапе включения
МДП-транзистора, когда он входит в линейный режим и должно было бы проявиться
55 негагивное влияние эффекта Миллера, напряжение на затворе форсированно увеличивается, чем исключается влияние этого эффекта, Причем увеличение сопротивления исто:ника Uynp импульсов вызывает увеличение амплитуды форсирующего импульса, это же относится и к сопротивлению соединительной линии от схемы управления
Uynp до силового транзистора 1.
После полного открывания силовосо транзистора 1 и установления тока стока, а также заряда конденсатора 7, ток в базу транзистора 6 прекращается, он запирается. В соответствии с этим прекращается импульс форсирования напряжения на затворе транзистора 1, и он остается в открытом установившемся состоянии. На его входе присутствует положительный импульс напряжения от источника Uynp
КОГДа ИМПУЛЬС НаПРЯжЕНИЯ Uynp l«Рекращается, начинается разряд входной (затвор-исток) емкости транзистора 1. По достижении напряжения на входе порогового уровня транзистор 1 входит в линейный режим работы и он запирается. Схема приходит в исходное состояние.
Уменьшение длительности коммутационного процесса включения МДП силового транзистора 1 достигается за счет форсирования напряжения затвор-исток. Причем для организации форсирования не требуется введения каких-либо времязадающих цепей. определяющих длительность импульса форсирования, Он существует на протяжении времени существования линейного режима транзистора 1. Кроме того, для создания этого импульса не требуется применение какого-либо дополнительного источника питания, используется силовая цепь нагрузки. Это определяет возможность отказа от довольно сложной схемы управления или от форсирования напряжения затвор-исток большими амплитудами импульсоB Uynp
Формула изобретения
Транзисторный ключ, содержащий биполярный транзистор, резисторы, конденсатор и МДП-силовой транзистор, в стоковую цепь которого включена нагрузка, которая соединена с шиной питания, а параллельно затвооу и истоку катодом и анодом включен стабилитрон. о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения быстродействия между стоком МДП-силового транзистора и нагрузкой включен первый резистор, а затвор МДП-силового транзистора через второй резистор соедиН8Н с коллектором биполярного транзистора, база которого через конденсатор
1824673
Составитель 6. Сергеев
Техред М. 4оргентал
Корректор М. Ткач
Редактор Л. Павлова
Заказ 2228 Тираж Подписное
В НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раущская наб.. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 подключена к стоку МДП-силового транзистора. а эмиттер — к точке соединения нагрузки и первого резистора, причем параллельно базоэмиттерному переходу би полярного транзистора включен третий резистор.


