Составной транзистор
Использование: в полупроводниковой Электронике, в генераторных и усилительных устройствах. Сущность изобретения: составной транзистор содержит транзисторы 1 и 2 одинаковой структуры, обратный диод 3 и стабилитрон 4. База первого транзистора соединена с эмиттером второго транзистора, переход база-эмиттер которого шунтирован обратным диодом. База второго , эмиттер первого и объединенные коллекторы первого и второго транзисторов являются соответственно базой, эмиттером и коллектором составного транзистора. Стабилитрон включен последовательно с диодом , при этом их аноды соединены,в результате чего уменьшается время запирания транзистора 1, что приводит к повышению быстродействия составного транзистора. 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (5!)5 Н 03 F 3/19
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ABTOPCKOMY CBMQETEflbCTBY (21) 4949592/21 (22) 26.06.91 (46) 23.65.93. Бюл, М 19 (75) НЯ.Юрьев (56) Транзисторы: Справочнйк. — М.: Радио и связь, 1989, с.5-6, рис.3, (54) СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР (57) Использование: в полупроводниковой электронике, в генераторных и усилительных устройствах. Сущность изобретения: составной транзистор содержит транзисторы 1 и 2 одинаковой структуры, обратный диод 3 и стабилитрон 4. База первого тран„„Я2„„1817225 А1
2 зистора соединена с эмиттером второго транзистора, переход база — эмиттер которого шунтирован обратным диодом. База второго, змиттер первого и объединенные коллекторы первого и второго транзисторов являются соответственно базой, эмиттером и коллектором составного транзистора. Стабилитрон включен последовательно с диодом, при этом их аноды соединены, в результате чего уменьшается время запирания транзистора 1, что приводит к повышению быстродействия составного транзистора. 1 ил.
1817225 и падением напряжения на диоде 3 и стабилитроне 4. В результате такого включения диода и стабилитрона уменьшается время запирания транзистора 1 и, как результат этого, уменьшается время запирания всего составного транзистора, что приводит к llQвышению его быстродействия.
Составитель Н.Юрьев
Техред M.Ìîðãåíòàë
Редактор Т.Иванова
Корректор M.Ïåòðîâà
Заказ 1730 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может использоваться в генераторных и усилительных устройствах.
Целью изобретения является повышение быстродействия.
На чертеже приведена принципиальная электрическая схема составного транзистора.
Составной транзистор содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, обратныйдиод 3 и стабилитрон 4, Составной транзистор работает следующим образом.
При подаче на базу транзистора 1 относительно эмиттера транзистора 2 отрицательного запирающего напряжения к переходу база-эмиттер транзистора 1 прикладывается запирающее напряжение, равное падению напряжения на диоде 3 и 20 стабилитроне 4, а к переходу база — эмит1 ер транзистора 2 прикладывается разность напряжений между напряжением управления
Формула изобретения
Составной транзистор, содержащий первый и второй транзисторы одинаковой структуры, база первого транзистора соединена с эмиттером второго транзистора, переход база-эмиттер которого шунтирован обратным диодом, при этом база второго, эмиттер первого и объединенные коллекто- . ры первого и второго транзисторов являются соответственно базой, эмиттером и. коллектором составного транзистора, о тл ича ющийся тем,что,сцельюповышения быстродействия, последовательно с диодом включен стабилитрон, при этом аноды диода и стабилитрона соединены.
![Составной транзистор](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/772/7723773-s.jpg)
![Составной транзистор](https://img.poleznayamodel.ru/img_pat/772/7723774-s.jpg)