Магнитопровод

 

Применение: в электротехнике. Сущность: магнитопровод навит из нескольких лент магнитомягкого аморфного материала. Часть этих лент переведена в кристаллическое состояние и намагничена в направлении его средней линии, 3 ил.

союз советских социАлистических

РЕСПУБЛИК

tss)s Н 01 F 3/00

ГосудАРстВенное пАтен1 ное

ВЕДОМСТВО СССР (ГоспАтент cccp) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ (21) 4781822/07 (22) 16.01.90 (46) 15.03.93. Бюл. № 10 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро при Заводе Торизонт" (72) Г.П,Сергеев и Н.Н.Ершов (73) Завод Торизонт" (56) Заявка ФРГ ¹ 3040368, 1982, Н 01 F

3/14..

Патент Великобритании № 2133932, Н 01 F 3/04, 1984.

Заявка Японии ¹ 63-7009, кл. Н 01 F

27/24, 1988.

Патент CLUA № 4433474, кл. Н 01 F7/06, 1984, Заявка Ф РГ ¹ 2832731, кл. Н 01 F 1/12, 1980.

Изобретение относится к электротехнике. в частности к устройству магнитопроводов дросселей,. работающими с полями подмагничивания; созданными постоянной составляющей выпрямленного тока.

Целью изобретения является упрощение изготовления магнитопровода, эа счет исключения дополнительной операции по кристаллизации его участка, На фиг.1 показан магнитопровод; на фиг.2 — петли гистерезиса при перемагничивании однополярными импульсами; на фиг.3 — зависимость изменения приращения магнитной индукции и потерь энергии в стали от величины напряженности магнитного поля при однополярном перемагничивании.

Магнитопровод ОЛ 16/24-5 иавит в две ленты иэ аморфных магнитомягких сплавов: .Одна лента из сплава АМАГ-183 Яе

0.021.180.ТУ (1), другая лента (2) иэ сплава

24КСР ТУ14-1-3730-84 (см. рис.1), Магнито„„ЯЦ„„18О2878 АЗ (54) МАГНИТОП РО В ОД (57) Применение: в электротехнике. Сущность: магнитопровод навит из нескольких лент магнитомягкого аморфного материала.

Часть этих лент переведена в кристаллическое состояние и намагничена в направлении его средней линии. 3 ил. провод термообработан при температуре

450 С в течение 20 мин. При термообработке лента из сплава 24КСР оказалась переведенной в кристаллическое состояние. Затем

I импульсом тока 10 кА, пропущенным через QQ окно магнитопровода, кристаллизованный { ") сплав намагничен в направлении средней линии магнитопровода. На рис,2 представлена петля перемагничивания магнитопровода, на которой указаны частные петли перемагничивания при однополярном на- О© магничивании, при изменении напряженности поля в положительном направлений перематничиаание идет по частной петле (1

ABCDEA, при изменении полярности напряженности магнитного поля перемагничивание магнитопровода идет по петле

AFEA, Характеристики полученного магнитопровода следующие: при перемагничивании положительными импульсами тока частотой 10 кГц до напряженности магнитного поля Н = 50 А/м: магнитная проницае1802878 мость,и = 9000, приращение магнитной индукции Л В - 0,57 Т, потери в стали Pci.уд.

=0,18 Вт/кг (см. рис.З); при таком же режиме перемагничивания, только отрицательными импульсами тока: ф-950, -Ь 8 0,06 Т, Рс .ул. - 0,05 Вт/кг; при перемагничивании по полной петле гистерезиса потери в стали на anote 10 кГц при магнитной индукции

0,5 Т составили 1;5 Вт/кг, Кроме того, упрощения изготовления магнитопровода повышается надежность его работы, так как свойства его определяются свойствами сплава АМАГ-183, который не имел центров кристаллизации, будет оставаться достаточно долго аморфным.

Формула изобретения

5 Магнитопровод, выполненный витым из. ленты аморфного магнитомягкого материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления, магнитопровод . выполнен из нескольких лент, часть из кото10 рых переведена в кристаллическое состояние и намагничена в направлении-его средней линии, 1802878

Составитель Г. Сергеев

Редактор С. Кулакова Техред М.Моргентал Корректор Т. Вашкович

Закаэ 862 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат."Патент", r, Ужгород, ул.Гагарина, 101