Магнитофорный аппликатор

 

Использование: в рефлексотерапии при г воздействии различными факторами на би- . ологически активную точку и прилегающие к ней зоны. Сущность изобретения: устройство содержит гибкую пластину с центральным отверстием, на равном расстоянии от которого и друг от друга выполнены дополнительные отверстия, диаметр каждого из которых меньше диаметра основного отверстия . Благодаря наличию дополнительных отверстий обеспечивается возможность од-- повременного воздействия на биологически активную точку и прилегающие к ней зоны несколькими видами рефлексотерапии, что. .повышает эффективность лечения. 1 з.п. ф . лы, 2ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУ6ЛИК

5U 1801022 А3 (st)s А 61 N 2/08, А 61 Н 39/06

ГОСУДАРСТВЕНЮЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР

;(ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

1 2 (21) 4835777/14 к ней зоны. Сущность изобретения: устрой(22) 07.06.90 ство содержит гибкую пластину с централь(46) 07.03.93.-Бюл. hk 9 ным отверстием, на равном расстоянии от (71) Семипалзтинскийтосудзрственный ме- которого и друг от друга выполнены дополдицинский институт . . нительные отверстия, диаметр каждого из (72) В.И Нагибин и Б.О.Орззгалиев которых меньше диаметра основного отаер(73) Б.О.Орззгалиев и В.И.Нагибин:: стия, Благодаря наличию дополнительных ° „-" (56) Авторское свидетельство СССР отверстий обеспечивается возможность од-.

-. ".: N. 1393425, кл. А 61 Н 39/06, 1988. .. -.-. - новременного воздействия нз биологически (54) МАГНИТОФОРНЫЙ АППЛИКАТОР "активную точку и прилегающие к ней зоны (57) Использование: в рефлексотерзпии при - несколькими видами рефлексотерзпии, что. воздействии различными факторами на би- »повышает эффективность лечения. 1 з.п. фологически активную точку и прилегающие . лы, 2 ил. г:»... °, :,,; *. г

--":".. : -;: рефлект ,.-:,;,Целью изобретения является обеспече- . - друга расположены дополнительные отвер; " - " йие локального воздействия нз биологиче- :; „"."стия 3, которые(см. фиг.2) могутсообщзться . - ф

»се активную точку и прилегзющие к ней ", -" - с центральным отверстием 2. - -:.::. " Ж;, ::.::.-!," : " аонн енергооомена одноеременно насколь-:," -.. : При толщине магнитофорного елллика- О 1 кими видами рефлексотерзпии. ": — - ". тора 2-3 мм с учетом абсолютной и относиЦельдостигзется тем.что вмзгнитофор- " тельной площадей точки "акупунктуры, ( ном аппликзторе." выполненном. в форме ... прилегающей к ней зоны энергообменз, ди- д:4.:

- - " ::-, .;: : пластины с отверстием. в пластине выпол-: " .аметра зкупунктурной иглы, диаметр цент- Ра:.,--,,нены дополнительные отверстия, рзсполо- .."рзльногоотверстиязппликзторзсоставляет, I ..".В ,- -: женные нз равном расстоянии отосновного . 5 10 мм. а расстояния между ним и боковы- :.„ь.". -=; .-. и друг от друга. диаметр которых меньше " .ми отверстиями 2-10 мм, при этом количе- ф -". диаметра основного отверстия. -- "-, " - - - ство боковых отверстий четное. Равное, (фЭ ".".

При этом основное отверстие сообщено .; расстояние боковых отверстий друг от друга, +"".! ;- ;;;с дополнительными. " "", ;"-, :,.:.:..... =: "-:-:-"-- - "-": Ми

Нз фиг. 1 предстзвленз схема предло-" "--" печивзет равномерность усиления и/или ., .-;., сверху; на фиг.2-тоже, пои. 2 ф-лы. "зону энергообменз, а сообщение центрзль- "

Мзгнитофорный зппликатор содержит:.-.. ного отверстия с боковыми,усиливзет, это .

""; .:.":Ф"..:.,"; гибкую пластину 1. выполненную из нзмаг- -- "-". воздействие в еще большей степени. поI

3 1801022

3: . г !

t %Р .,".4Я т 3цфуу ;,, @ф:;: »ь»,ф::,, i »

Р ..Ъ с

»

1 I

° > скольку дополнительное раздражающее кально его ткани; 2 вариант — дополнительвоздействие проходит через БАТ. ное рефлекторное воздействие не произвоМагмитофорный эппликатор применя-, дят ни через одну точку. В этом случае ют следующи л образоМ. суммарная площадь всех отверстий наиНаходят и обозначают точку акупункту- Б большая, что еще более снижает эффективры. Обрабатывают кожу больного, э также ность магнитотераоии, достигаемой поверхность магнитофорного эппликатора . предложенным магнитофорным аппликатораствором антисептика. Помещают магни- ром. Поокончэниирефлекторноговоздейст-. тофорный эппликатор на кожу пациента та- вия магнитофорный эппликатор снимают с ким образом, чтобы центральное отверстие 10 поверхности кожи, а при необходимости его располагалось над обозначенной точкой . оставляют нэ срок до 90 суток, проводя или экупунктуры, Фиксируют эппликатор к ко- не проводя дополнительную рефлексотера- же. Через центральное отверстие 2 вводят e we через отверстия в.магнитофорном аппкохсу нэ нужную глубину акупунктурную иг- ликэторе. Во время проведения лу. Экспозицию экупунктуры выбирают с 15 последующих сеансов эппликатор повораучетом достижения. возбуждающего или - - чивают вокруг БАТ для воздействия на друтормозного эффекта. Боковые отверстия эп- гие участки энергообмена, пликаторэ используют для дополнительно- . Таким образом. магнитофорный аппли?;»- .:" -;- :. го рефлекторного воздействия через них на . катор обеспечивает локальное воздействие

-. .- ;: "."-", "- прилежащую к экупунктурной точке зону 20 нз биологически активную точку и прилега эйергообменэ(УФО, лазер, тормо-, ферма- ющие к ней зоны энергообмена одноврековоздействие), при этом это воздействие в мемно несколькими . видами одних случаях может осуществляться одно-: рефлексотерэпии.

Л-,-;:;..-...:,,-; "временно с иглоукэлывамием через цент-. :-. " -,=::

, " -.:-;:. .- "ральмое .отверстие (для достижения 25 Формуn э изобретения

= >."-,.: .-майбольшег6возбуждэющегоэффектэ),ли- . - 1. Магнитофорный вппликвтор..имею „ .=,:::- ?."- ::. :. " рефлекторного воздействия нэ экупунктур- . ". обеспечения локального воздействия на би- ..

, :,,," „::,:;*;;,-;:- .-".- ". нуюточкуилй прилежащую кнвй зонузнер- 0 ологически активную точку и прилегающие

,,-!„ = -" ., - .: .". гообменэ Ьозможны3 варианте: 1 вариант- . к ней зоны энергообменэ одновременно не ." .".....:;-. -,,:-=.".... -.. через центральное отверстие мэгнитофор- :: сколькими видами рефлексотерапии, в пла :-. „„",: ного эппликэторэ осуществляют экупункту- стиме выполнены- дополнительные

° ° ° ° ° ° Ф" " :>..:,,",". py, э рефлекторное воздействие через . -" отверстия. расположенные на равном рас,:, . ;; "-"= -другие отверстия ме производят," что в це- .З6.;стоянии от основногр и друг or друга, див,",+ -., -.. .: 9..л»ом в силу уменьшения площэдл MefHH ."-Ъ -,. „-,-."..„. форного,аппликэторэ.нэ суммарную : отверстия, ; ."-." * .-"..., площадь" этих отверстий :уменьшает cwiy " ".-.-:"- :: 2. Аппликэтор п»о ir. 1,о т л и ч э ю щ и й"„- .: . .", .-:; —"..„. воздействия постоянным магнитным полем =: +::c я тем, что основное отверстие сообщено с

° ° °

1801022

ИГ. I.

ФЯГ. 2.

Составитель В.Нагибин

Редактор А.Хорина Техред М.Моргентал

Корректор.С.Патрушева

Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул.Гагарина. 101

Заказ 1 1В1 Тираж . Подписное

ВЯИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035. Москва, Ж-36, Раушскэя наб., 4/5