Полупроводниковый преобразователь
Сущность изобретения: с внутренней стороны корпуса преобразователя выполнены концентрические приливы, образующие зазоры между корпусом и охладителями с уменьшающейся по ходу охлаждающего агента величиной. Это позволяет сделать равномерным нагрев полупроводниковых приборов по высоте корпуса, а снижение гидравлического сопротивления модуля за счет увеличения проходного сечения позволяет увеличить расход при той же мощности насосной установки. 1 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (s1>s Н 01 (25/00, 23/44
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4903990/07 (22) 13,12,90 (46) 07,03.93. Бюл. ¹ 9 (75) Г.Б.Черников (56) Патент Японии 46-18407, кл. Н 01 1 56 D2,, t971.
Авторское свидетельство СССР № 1352552, кл. Н 01 1 25/00, 1985, (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
Изобретение относится к электротехнике, а именно к конструкциям мощных высоковольтных преобразователей.
Цель изобретения - увеличение мощности преобразователя путем увеличения равномерности нагрева полупроводниковых приборов.
Сущность изобретения состоит в том, что с внутренней стороны корпуса на уровне расположения охладителей выполнены концентрические приливы с образованием зазоров между охладителем и корпусом, причем величины зазоров уменьшается по ходу движения электрической жидкости. По- . лупроводниковый преобразователь изображен на чертеже,.
Преобразователь содержит трубчатый корпус 1, в котором размещены полупроводниковые элементы 2, охладители 3 с ребрами 4, корйус имеет входной патрубок 5, приливы 6 с внутренней стороны, выходной патрубок 7, а также нажимное устройство 8 и электрические выводы 9 и 10.
Работает полупроводниковый преобразователь следующим образом. Размещен„„53J„„1800504 А1 (57) Сущность изобретения: с внутренней стороны корпуса преобразователя выполнены концентрические приливы, образующие зазоры между корпусом и охладителями с уменьшающейся по ходу охлаждающего агента величиной, Это позволяет сделать равномерным нагрев полупроводниковых приборов по высоте корпуса, а снижение гидравлического сопротивления модуля за счет увеличения проходного сечения позволяет увеличить расход при той же мощности насосной установки. 1 ил. ные s корпусе 1 полупроводниковые элементы 2 нагреваются от проходящего по ним тока, и тепловой поток через охладители 3 и ребра 4 передается диэлектрической жидкости, поступающий через входной патрубок 5. Поток охлаждающего агента проходит через ребра охладителя Q1 и между ребрами и концентрическими приливами 6 и q1. Часть потока Q1, проходящая ребра первого охладителя нагревается и q1, проходящая по зазору между первым приливом и охладителем, останутся с первоначальной температурой, т,е. холодной, Перед следующим охладителем поток диэлектрической жидкости разветвляется íà Q1 и qz, но теперь через ребра охладителя течет уже больше охлаждающей жидкости, так как зазор стал меньше; Q2 > Q1, à q1 >
>q2, Далее по мере движения охлаждающей жидкости вверх, к выходному патрубку
7, процесс повторяется, и через самый верхний охладитель проходит весь расход охлаждающей жидкости Q. так как зазор между ним и стенкой корпуса нулевой. Таким образом, получается. что нагрев полупроводниковых элементов оказывается
1800504
Составитель Г. Черников
Техред М.Моргентал Корректор Н, Милюкова
Редактор
Заказ 1168 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина. 101 более равномерным по высоте корпуса.
Снижение перепада температур между крайними по высоте полупроводниковыми элементами(по отношение к аналогичному режиму в прототипе) позволяет повысить допустимый ток (мощность) полупроводникового преобразователя. Кроме того, снижение гидравлического сопротивления модуля за счет увеличения проходного сечения позволяет увеличить расход 0 при той же мощности насосной установки.
Формула изобретения
Полупроводниковый преобразователь. содержащий цилиндрический изоляционный корпус, внутри которого размещены друг под другом полупроводниковые приборы, зажатые между охладителями и охлаждаемые диэлектрической жидкостью, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличения мощности преобразователя путем увеличения равномерности нагрева полупроводниковых приборов, с внутренней стороны корпуса на уровне расположения охладите10 лей выполнены концентрические приливы с образованием зазоров между охладителем и корпусом, причем величина зазоров уменьшается по ходу движения диэлектрической жидкости.

