Способ анализа диэлектриков

Авторы патента:

G01N23/225 - с использованием электронного или ионного микроскопа (трубки с электронным или ионным пучком для микроанализа H01J 37/00)

Использование: при физико-химическом анализе составов поверхностей твердых тел методом ионной эмиссии. Сущность изобретения: согласно способу, ведут облучением порошкового диэлектрика корпускулярным , зондом на поверхности исследуемого образца, на котором накапливается положительный заряд. Удаление заряда с поверхности образца осуществляется через электропроводящий порошок, предварительно слрессованный с порошком анализируемого диэлектрика. Отток заряда происходит за счет взаимодействия первичных ионов с электропроводящими участками исследуемого диэлектрика. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 G 01 N 23/225

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4923774/25 (22) 13.02.91 (46) 07,03.93. Бюл. N. 9 (71) Самарский филиал Научно-исследовательского института технологии и организации производства двигателей (72) В,Н.Титов и Н.Н.Евграфова (56) Практическая растровая электронная микроскопия/Под ред. Дж. Гоулдстейна и

Х,Яковица. вЂ” М,; Мир, 1978, С, 235 вЂ” 237.

Авторское свидетельство СССР

¹ 1409906, кл. G 01 N 23/225, 1988.

Изобретение относится к способам физико-химического анализа состава поверхности твердых тел методом вторичной ионной эмиссии.

Цель изобретения вЂ” повышение точности анализа.

Поставленная цель достигается тем, что, согласно способу, анализа диэлектриков, включающему подготовку образца, облуче-, ние исследуемого образца корпускулярным зондом, удаление заряда с поверхности образца, регистрацию спектра вторичных ионов, по которому судят о концентрации определяемых элементов, подготовку образца исследуемого вещества к анализу проводят путем прессования с электропроводящим порошком. Стекание.заряда происходит за счет взаимодействия первичных . ионов с электропроводящими участками . спрессованного образца.

„„. Ж„„1800338 Al (54) СПОСОБ АНАЛИЗА ДИЭЛЕКТРИКОВ (57) Использование: при физико-химическом анализе составов поверхностей твердых тел методом ионной эмиссии. Сущность изобретения: согласно способу, ведут облучением порошкового диэлектрика корпускулярным зондом на поверхности исследуемого образца, на котором накапливается положительный заряд. Удаление заряда с поверхности образца осуществляется через электропроводящий порошок, предварительно спрессованный с порошком анализируемого диэлектрика. Отток заряда происходит за счет взаимодействия первичных ионов с электропроводящими участками исследуемого диэлектрика. 2 ил.

Пример конкретного исполнения. Диэ лектрик в виде порошка смешивали в пропорции 1:1 с порошком свинца и спрессовывали в виде таблетки. Для анализа испольэовали масс-спектрометр типа

МС-7201М, работа которого основана на методе вторичной ионной эмиссии. Бомбардировку осуществляли ионами аргона.

На фиг.1 и 2 показаны масс-спектры диэлектрика на основе MgQ, полученные без примеси элвктропроводящего порошка свинца и с примесью соответственно. При сравнении их видно, что на фиг.2 массспектр имеет лучшие характеристики по разрешению масс, что повышает точность анализа.

Использование предложенного способа анализа диэлектриков обеспечивает, по сравнению с существующими способами, следующие преимущества; (180033S возможность анализа диэлектриков без конструктивных изменений в приборе; повышение точности анализа.

Формула изобретения

Способ анализа диэлектриков, включающий подготовку образца, облучение образца корпускулярным зондом, удаление заряда с поверхности образца, регистрацию спектра вторичных ионов, по которому

Фиг /

М 57

Ю 10 j ф

Составитель В,Титов

Техред М.Моргентал КоРРектоР С.Шекмар

Редактор

Заказ 1160 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035. Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

<Ъ

Ъ 0 б5.

tQ о

3 судят о концентрации определяемых элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа за счет улучшения разрешения регистрируемого спектра при анализе порошковых диэлектриков, подготовку образца исследуемого вещества к анализу проводят путем прессования с электропроводящим порошком,

Электронный микроскоп для исследования процессов молекулярно-лучевой эпитаксии // 1772702

Изобретение относится к технике электронной микроскопии и может быть использовано в технологии полупроводников, Целью изобретения является повышение оперативности и качества электронномикроскопических исследований процессов молекулярно-дучевой эпитаксии непосредственно в приборе за счет обеспечения более чистых условий взаимодействия молекулярного пучка с образцами и вариации этих условий без нарушения вакуумных условий в зоне исследований

Способ препарирования ультрадисперсных порошков и сред для электронно-микроскопического анализа // 1739266

Изобретение относится к методам исследования вещества с использованием электронных микроскопов

Способ получения двухступенчатых углеродных реплик для электронно-микроскопического анализа // 1693496

Изобретение относится к способам получения объектов для электронной микроскопии , в частности для изучения топографии поверхности разрушения

Способ приготовления тест-объекта для растрового электронного микроскопа // 1688155

Изобретение относится к технологии приготовления тест-объектов (ТО) для электронной микроскопии

Способ приготовления штриховой меры для калибровки увеличения электронных микроскопов // 1684615

Изобретение относится к технике электронной микроскопии и может быть использовано при создании тест-объектов для настройки электронных микроскопов

Способ фиксирования образцов при исследованиях в растровом электронном микроскопе // 1608531

Способ определения степени дефектности покрытий // 1608530

Изобретение относится к инструментальному анализу материалов и может быть использовано для дефектоскопии поверхностей полимерных неорганических, металлических материалов

Способ приготовления тест-объекта в виде штриховой меры для градуировки увеличения электронных микроскопов // 1597669

Изобретение относится к технологии приготовления тест-объектов в виде штриховой меры с дифракционных решеток (ДР) и может быть использовано для градуировки увеличения электронных микроскопов

Способ изготовления образца для исследования методом электронной микроскопии // 1589109

Изобретение относится к области исследования методом просвечивающей электронной микроскопии порошковых материалов, в частности к способу изготовления образца из порошковых материалов для исследований тонкой структуры и фазового состава

Способ получения металлической реплики для анализа нанометрических каналов в трековых мембранах // 2115915

Изобретение относится к области исследований и анализа материалов путем определения их физических свойств, а именно для исследования параметров каналов нанометрических размеров в трековых мембранах, и может быть использовано при изготовлении объектов из трековых мембран для анализа с помощью просвечивающей электронной микроскопии

Способ и устройство для анализа состава дна углублений // 2123178

Способ анализа твердых тел // 2124716

Изобретение относится к области инструментального химического анализа, в частности к области аналитической химии

Способ масс-спектрометрического анализа твердого вещества // 2315388

Изобретение относится к физическим методам анализа состава и структуры вещества, а именно к применению метода вторично-ионной масс-спектрометрии для анализа структурно-энергетического состояния поверхностного слоя вещества, и может быть использовано в структурообразовании и повышении износостойкости новых материалов при изготовлении деталей ответственного назначения

Способ формирования изображения топографии поверхности и устройство для его осуществления // 2329490

Изобретение относится к области формирования в цифровом виде трехмерного изображения реального физического объекта, а именно к формированию топографического изображения объекта, исследуемого методами сканирующей микроскопии

Детектор электронов // 2412503

Изобретение относится к области электронного приборостроения, а более конкретно - к конструкции детекторов электронов, и может найти преимущественное использование в электронных микроскопах

Газозаряжающий контейнер, аппарат атомного зонда и способ анализа положения водорода в материале // 2466376

Способ приготовления препаратов для исследования просвечивающими методами в электронном микроскопе // 1833809

Способ определения профиля поперечного распределения примеси германия в жиле и оболочке кремниевых стекловолокон // 2546716

Использование: для определения профиля поперечного распределения примеси германия в жиле и оболочке кремниевых стекловолокон. Сущность изобретения заключается в том, что изготавливают из эпоксидной смолы таблетку-держатель с образцами анализируемых стекловолокон и проводят последующий анализ образцов на растровом электронном микроскопе, при этом образцы анализируемых стекловолокон размещают вертикально в держателе-таблетке из эпоксидной смолы, после чего держатель-таблетку облучают рентгеновским излучением и загружают одновременно с держателем-таблеткой, содержащей эталонные образцы стекловолокон, в рабочую камеру растрового электронного микроскопа с оптическим каналом регистрации, далее визуально по виду и размерам концентрических кольцевых, различающихся по интенсивности свечения люминесцирующих участков на торцевых поверхностях тестируемых и эталонных стекловолокон визуально определяют профиль поперечного распределения примеси германия по поперечному сечению стекловолокна. Технический результат: обеспечение возможности экспрессного, визуального, отвечающего метрологическим требованиям способа определения профиля поперечного распределения примеси германия в центральной жиле и в приграничных, прилегающих к центральной жиле областях оболочки стекловолокон, легированных германием. 2 ил.

Способ исследования стойкости стекловолокна к воздействию агрессивной среды // 2547579

Изобретение относится к строительству, а именно к способу исследования процесса дисперсного армирования и микроармирования бетонов для повышения их трещиностойкости. Для этого изучают взаимодействие стекловолокна с цементным камнем в течение заданного времени. Предварительно стекловолокно наклеивают на пластиковую пластинку, вкладывают ее в форму для приготовления цементных образцов и заливают цементным тестом. Пластиковую пластинку с приклеенным стекловолокном вкладывают таким образом, чтобы стекловолокно соприкасалось с цементным тестом. После отвердения цементные образцы извлекают из формы и отделяют волокно от пластинки. Затем волокно исследуют с помощью рентгеноспектрального анализа и электронной микроскопии. Способ позволяет определить элементный состав, структуру продуктов взаимодействия волокна с цементным камнем. Кроме того, оценивают стойкость стекловолокна по сравнению диаметра стекловолокна после испытания с диаметром исходного волокна. Изобретение позволяет сравнивать применение стекловолокон различного состава в качестве армирующих материалов. 7 ил.