Способ получения диэлектрических пленок
l89902
ОПИСАН И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Ссветскит
Социалистическит
РеспуЬлик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 04.Х!.1965 (№ 1036332/26-9) Кл, 21с, 2/30 с присоедин заявки №
МПК Н Olb
Приоритет
Опубликовано 16.Х11.1966. Бюллетень № 1
Дата опубликования описания 30.1.1967
Комитет по делам езоЬретений и OTlcpblTHA при Совете Министров
СССР
УДК 539.234:621.318 (088.8) 1
Известные способы получения диэлектрических пленок, основанные на термическом испарении в вакууме висмут-титанатных соединений и осаждении их на металлические, диэлектрические или полупроводниковые подложки, не позволяют получать пленки с малыми тангепсами угла диэлектрических Itoтерь, что ведет к снижению удельной емкости конденсаторов, в которых использованы данные пленки.
Для повышения удельной емкости конденсаторов с пленочным диэлектриком, изготовленным из висмут-титанатных соединений, и снижения тангенса угла диэлектрических потерь у материала пленки, предложено использовать в качестве висмут-титанатного соединения твердый раствор феррита висмута типа (Pb (Zr„Tit,) O,) tBiFeO,)t, Его тонким слоем наносят на испаритель, изготовленный из тугоплавкого металла, нанесенный слой расплавляют и образовавшееся защитное покрытие покрывают суспензией феррита висмута. Затем суспензию подвергают испарению, не допуская при этом испарения ранее нанесенного защитного покрытия, и осажденная на подложку пленка доокисляется на воздухе при 300 — 400 С в течение 0,5 — 2 час (температура и время зависят от толщины пленки).
Тонкоизмельченный твердый раствор феррита висмута, смешанный со спиртом (суспензия), наносят на коническую вольфрамовую спираль или на испаритель из тугоплавкого металла и плавят при давлении около
10 - ллт рт. ст., повторяя операцию несколько раз до образования сплошного защитного покрытия. Затем посредством термического испарения при давлении от 10 " до 2 ° 10 с лм рт. ст. поверхностного слоя, образованного свежей суспе. эней (не допуская испарения защитного покрытия), получают пленки.
Пленки могут быть получены при быстром (около 5 сек) или медленном (порядка
7 лшн) испарении суспензии, в зависимости от требуемых диэлектрических свойс1в пленок и
15 их толщины.
Предмет изобретения
20 Способ получения диэлектрических пленок, основанный на термическом испарении в вакууме висмут-титанатных соединений и осаждении их на металлические, диэлектрические и полупроводниковые подложки, отличаю25 шийся тем, что, с целью повышения удельной емкости конденсаторов с пленочным диэлектриком, изготовленным из висмут-титанатных соединений. и снижения тангенса угла диэлектрических потерь у материала пленки, в
30 качестве висмут-титанатного соединения исСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК
189902
Составитель Э. Фридолина
Редактор Е. Кречегова Техред Т. П. Курилко Корректоры: О. Б. Тюрина и Е. Д. Курдюмова
Заказ 4203/7 Тираж 535 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, д. 2 пользован твердый раствор феррита висмута типа (Pb(Zr» Ti>,) Оз)у (BiFe03)$ у, который наносят тонким слоем на испаритель, изготовленный из тугоплавкого металла, расплавляют нанесенный слой, покрывают образовавшееся на поверхности испарителя защитное покрытие суспензией феррита висмута, подвергают суспензию испарению, не допуская испарения ранее нанесенного защитного покрытия, и подвергают осажденную на подложку пленку доокислению на воздухе при температуре 300 †4 С в течение 0,5 — 2 час.
