Фотополупроводниковое устройство
Сова Советских
Социалистических
Республик
РИЯ! от<>Рсчому свидетельств
21, 11/02
21, 29,01
Заьисимое от:BT. сзидетельства Л =
I
Заявлено 27Л 11.1963 (№ 849342/26-25) с присоединением заявки М
М!ilc, И 01i, Н Oli
" 1,1 621 383:537.311 Зо (088.8) Приоритет
Опубликовано 11,Õ,1966, Бюллетень Л" 20
Комитет оо делам изобретеиий и открытий ори Совете Мкиистрое
СССР
Дата опубликования описания 28.Х!.1966
Авторы изобретения Ф. A. Левина, В. С. Мыльников, Г. И. Рыбалко, Д-1т. Б.
A. М. Сладков, A. И. 1 еренин и Л. 1О. Ухин
3 а я в! 1 ген I
ФО1 ОПОЛУН РОВОДИ К:- .,ОВОЕ УСТРОЙСТВО
Че — С С вЂ” R или
Ме — С:-С вЂ” К вЂ” С - С Ме (2) Извес-но применение органическHx полупров дников для изготовления электрофотографических слоев, в частности полиинов общей формулы К вЂ” (С С),. — К где и =- 2, R и К вЂ” органические радикалы.
Предложено фотополупроводниковое устроНсТВ0, в котором, c He
Лцетилениды металлов (1) и (2) чувствительны в видимой, ультрафиолетовой и рентгеновской областях спектра и могут применятьа и чистом виде и со связующими веществами.
Злектрофотографические слои, приготовленные в виде суспензии таких ацетиленидов в
5 полимерных связу:ощих, хорошо сохраняют положительные и отрицательные заряды.
Предмет изобретения
Фотополупро"-одниковое устройство с орга10 ническим чувствительным элементом, отлитаю иееся тем, что, с целью повышения его чувствительности, чувствительный элемент выполнгнот из ацетпленидов мста Iлов общей формулы
15 т, .Ле — С (— К или
Ме — С вЂ” С---К -С: С- — Ме, где R и R — органические радикалы, содер жащие илп не содержащие функциональные
20 группы, Ме — металл.
