Способ контроля толщины фторопластового покрытия

 

Изобретение относится к измерительной технике и имеет целью повышение точности спос.оба контроля толщины фторопластрвого покрытия на полиимидной пленке в процессе нанесения этого покрытия на ее поверхность путем окунания в водную эмульсию фторопласта. Способ заключается в том, что полиимидную пленку, смоченную эмульсией фторопласта, помещают в электрическое поле измерительного конденсатора, измеряют емкость конденсатора и оценив.аюттолщину фторопластового покрытия по величине изменения емкости. Дополнительно перед началом измерения экранируют электрическое поле конденсатора водной суспензией фторопласта на площади, эквивалентной номинальной толщине фторопластового покрытия на полиимидной пленке, корректируют показания измерительного конденсатора относительно номинальной толщины покрытия и после прекращения экранирования конденсатора выполняют контроль толщины фторопластового покрытия. 3 ил.

СОК>3 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИ (ЕСКИХ

РГСПУБЛИК

s G 01 В 7/08 ваго покрытия. 3 ил.

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4884522/28 (22) 12,09.90 (46) 23.02,93. Бюл, Кг 7 (75) И,Д. Пупышев, А.В. Кухаренко и К.И.

Власов (56) Валитов А.M. и др, Приборы и методы контроля толщины покрытий. — Л,: Машиностроение, 1970, с.11?.

Авторское свидетельство СССР

N . 1539512,кл. G 01 В 7/08, 1987. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ФТОРОПЛАСТОВОГО ПОКРЫТИЯ (57) Изобретение относится к измерительной технике и имеет целью повышение точности способа контроля толщины фторопластового покрытия на полиимидной пленке в процессе нанесения этого покрытия на ее поверхность путем окунания в

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения толщины фторопластового покрытия на полиимидной пленке в процессе нанесения этого покрытия на ее поверхность.

Известен способ контроля толщины покрытия емкостным методом путем размещения пленки с покрытием между. металлической подло>ккой (первая обкладка конденсатора) и датчиком (вторая обкладка конденсатора) измерения емкости полученного конденсатора и вычислении толщины покрытия rlo известной формуле емкости плоскопараллельного конденсатора.

Известный способ имеет низкую точность из-за влияния влажности.

Известен способ контроля толщины покрытия путем размещения пленки с нане!

Ж,» 1796887А1 водную эмульсию фторопласта. Способ заключается в том, что полиимидную пленку, смоченную эмульсией фторопласта, помещают в электрическое поле измерительного конденсатора, измеряют емкость конденсатора и оцениваюттолщину фторопластового покрытия по величине изменения емкости, Дополнительно перед началом измерения экранируют электрическое поле конденсатора водной суспензией фторопласта на площади, эквивалентной номинальной толщине фторопластового покрытия на полиимидной пленке, корректируют показания измерительного конденсатора относительно номинальной толщины покрытия и.после прекращения экранирования конденсатора выполняют контроль толщины фторопластосенным слоем водной суспензии фторопласта в поле измерительного конденсатора и измерении отклонения емкости конденсатора от этого размещения.

Известный способ имеет низкую точность контроля при изменении проводимости водной фторопластовой суспензии, преимущественно имеющей место при сме-, © не ее партий. 4

Целью изобретения является повышение точности контроля.

Поставленная цель достигается тем, что: д участок пленки с нанесенным на него путем окунания в водную суспензию фторопласта покрытием помещают в электрическое поле измерительного конденсатора, измеряЮт электрический параметр конденсатора и по изменению этого параметра судят о толщине покрытия, при этом перед измерением

1796887 электрического параметра экранируют электрическое поле конденсатора водной суспензией фторопласта на площади, эквивалентной наминальной толщине фторопластового покрытия, и при отклонении электрического параметра конденсатора от номинальной величины осуществляют его корректировку, На фиг. 1 приведена блок-схема процесса нанесения фторопластового покрытия на 10 полиимидную пленку; на фиг. 2 и 3 — в двух сечениях взаимное расположение емкостного измерительного преобразователя и кюветы с суспензией фторопласта для экранирования электрического поля. 15 установка для нанесения фторопластового покрытия включает рулон 1 с полиимидной пленкой 2, ванну с водной фторопластовой суспензией 3. Пленка 2 охватывает вращающийся вал 4, окунаемый во 20 фторопластовую суспензию в ванне 3. Пленка 2 проходит через термокамеру 5 и и ринимается на рулон 6. Между ванной 3 и термокамерой 5 установлен емкостный измерительный преобразователь 7.

Емкостный измерительный преобразователь 7 (фиг. 2, 3) представляет собой П-об-, разный корпус 8, в котором закреплены электроды 9 (обкладки конденсатора). Емкостный измерительный преобразователь 7 30 электрически соединен с блоком измерения 10, в котором имеется элемент регулирования 11 (переменный резистор). В плоскости симметрии GMKocTHofo измерительного преобразователя 7 помещается пленка с на- 35 несенным покрытием, либо кювета 12 с водной суспензией фторопласта. Кювета изготовлена из органического прозрачного полимера.

Полиимидная пленка с рулона 1 посту- "0 пает в ванну 3, в которой происходит нанесение на ее поверхность слоя водной фторопластовой суспензии толщиной 15-60 мкм, B термокамере 5 происходит испарение влаги из суспензии и спекание частиц 45 фторопласта,в результате чего на полиимидной пленке образуется одно или двустороннее покрытие с номинальной толщиной

5-10 мкм.

Способ контроля толщины фторопла- 50 стового покрытия осуществляют следующим образом.

Предварительно для перерабатываемой партии суспензии осуществляют градуировку емкостного измерительного 55 преобразователя 8 следующим образом.

Смоченную водной суспензией фторопласта полиимидную пленку помещают в электрическое поле преобразователя. устанавливают соответствие показаний преобразователя от действия покрытия толщине этого покрытия, измеренной контрольным методом, например, по разности толщин пленки до и после нанесения покрытия.

Затем осуществляют экранирование электрического поля конденсатора водной суспензии фторопласта на площади, эквивалентной номинальной толщине фторопластового покрытия.

Для этого вместо пленки в конденсатор помещают дополненную фторопластовой суспензией из этой же партии кювету 12, площадь которой подбирают экспериментально таким образом, чтобы показания конденсатора при этом были равны или близки (не менее 0,9) к его показаниям при номинальной толщине покрытия. Данная величина показания конденсатора принимается за номинальную величину. Далее процесс измерения толщины покрытия пленки осуществляют путем помещения пленки, выходящей из ванны 3, в электрическое поле измерительного конденсатора 7, измеряют электрический параметр конденсатора и по изменению этого параметра судят о толщине покрытия.

При смене партии суспензии кювету заполняют новой партией суспензии, помещают в конденсатор, и при отклонении электрического параметра от номинальной величины осуществляют его корректировку.

Данный способ контроля толщины покрытия позволяет снизить погрешность измерения по сравнению с прототипом в 4 раза.

Формула изобретения

Способ контроля толщины фторопластового покрытия, наносимого на полиимидную пленку путем ее окунания в водную эмульсию фторопласта, заключающийся в том, что участок пленки с нанесенным на него покрытием помещают в электрическое поле измерительного конденсатора, измеряют электрический параметр конденсатора и по изменению этого параметра судят. о толщине покрытия, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности контроля, перед измерением электрического параметра экранируют электрическое поле конденсатора водной суспензией фторопласта на площади, эквивалентной номинальной толщине фторопластового покрытия, и при отклонении электрического параметра конденсатора от номинальной величины осуществляют его корректировку.

1796887

1796887

Составитель И.Пупышев

Техред М.Моргентал .. Корректор М.Петрова

Редактор

Ф

Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 642 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., 4/5