Способ градуировки дефектоскопа приповерхностных расслоений в изделиях из диэлектриков

 

Использование: изобретение относится к контрольно-измерительной технике применительно к дефектометрии композиционных диэлектрических материалов. Сущность изобретения: на пути ллоских электромагнитных волн к бездефектному образцу устэнавливают на подпорках пластины различной толщины, изготовленные, как и подпорки, из того же материала, что и бездефектный образец. Изменяя толщину пластин и используя подпорки различной высоты, получают однозначные зависимости в виде эталонных годографов коэффициента отражения от толщины и местоположения приповерхностных расслоений . 2 ил. Ј

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТ ИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!15 6 01 N 22/02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

Г1РИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4887572/09 (22) 04.12.90 (46) 07.11.92, Бюл, № 41 (71) Физико-механический институт йм. Г.В.

Карпенко (72) О.Б. Лящук и B.È. Матвеев (56) Применение радиоинтроскопии в промышленности, М.: Изд. ЦНИИТЭИ приборостроения, 1967, с. 84, Колодий Б.И„Ля щук О,Б, Численное решение прямых задач электромагнитной рефлектометрии плоскослоистых диэлектриков, Львов, ФМИ, 1988. с. 29 (Предпр. АН УССР, Физ.-Mex. ин-т им. Г,М.

Карпенко, ¹ 128). (54) СПОСОБ ГРАДУИРОВКИ ДЕФЕКТОСКОПА ПРИПОВЕРХНОСТНЫХ РАСИзобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для создания дефектоскопов электромагнитного контроля толщины и местоположения приповерхностных дефектов в виде плоских расслоений е композиционных диэлектрических материалах.

Известен способ градуировки дефектоскопа глубины залегания де<, exra в изделиях из диэлектриков, заключающийся в том, что от одного или двух излучателей СВЧ-колебания направляются по нормали к поверхности объекта контроля, после взаимодействия с ним фиксируют отраженный сигнал и по изменению сигнала судят о наличии дефекта и глубине ега залегания.

Известный способ. позволяя надежно обнаруживать различны» гипы дефектов, в

„„!Ж„„1774237 А1

СЛОЕНИЙ В ИЗДЕЛИЯХ ИЗ ДИЭЛЕКТРИКОВ (57) Использование; изобретение относится к контрольно-измерительной технике применительно к дефектометрии композиционных диэлектрических материалов. Сущность изобретения: на пути плоских электромагнитных волн к бездефектному образцу устанавливают на подпорках пластины различной толщины, изготовленные, как и подпорки, из того же материала, что и бездефектный образец, Изменяя толщину пластин и используя подпорки различной высоты, получают однозначные зависимости в виде эталонных годографов коэффициента отражения от толщины и местоположения приповерхностных расслоений. 2 ил, том числе наиболее опасные для полимерно-композиционных материалов — расслоения, не позволяет одновременно определять их местоположение — глубину залегания и толщину расслоения, Данный способ наиболее близок к предлагаемому и принимается за прототип.

Цель изобретения — упрощение градуиравки дефектоскопа толщины и глубины местоположения приповерхностных расслоений.

Поставленная цель достигается тем, чта в способе градуировки дефектаскопа приповерхностных расслоений в изделиях иэ диэлектриков, заключающемся в облучении эталонного образца электромагнитной волной, измерении коэффициента атражвния и определении зависимости коэффициента

1774237 отражения от глубины залегания и толщины расслоения, в качестве эталонного образца используют бездефектный образец, на поверхности которого установлены пластины различной толщины на подпорках, которые изготовлены из того же материала, что и бездефектный образец, а зависимость коэффициента отражения от глубины залегания и толщины расслоения определяют путем облучения пластин различной толщины и изменения высоты подпорок соответственно.

На фиг. 1 и 2 показаны схема одного из вариантов устройства, реализующего предложенный способ и пример годографов для типичного обьекта контроля.

Устройство состоит из генератора СВЧколебаний 1, узла 2 разделения излучаемого и принимаемого сигналов, приемно-излучающей антенны 3, диэлектрической линзы 4, пластин 5 различной толщины, подпорок 6, бездефектного образца 7, диэлектрической подложки 8, блока 9 регистрации.

Электромагнитные волны СВЧ-диапазона из генератора 1 направляют в узел 2 разделения излучаемого и принимаемого сигналов и далее к приемно-излучающей антенне 3, в раскрыве которой располо>кена линза 4, трансформирующая их в плоский фронт. Далее волны попадают на пластины

5, расположенные на подпорках 6 фиксированной высоты d, Перемещая пластины различной толщины на пути волн, можно получать различную глубину местоположения расслоения h. Отраженные от системы: пластины 5, воздушное пространство, бездефектный образец 7 и подло>кка 8 электромагнитные волны поступают в антенну 3 через линзу 4 и далее на узел 2 разделения, после чего происходит их регистрация в блоке 9, В качестве иллюстрации на фиг. 2 представлены годографы комплексного коэффициента отражения V (ReV и ImV — его действительная и мнимая составляющие)

5 при перпендикулярном зондировании плоской электромагнитной волной частоты 40

ГГц диэлектрической пластины толщиной в бездефектном состоянии 2 см, расположенной на толстой диэлектрической под10 ложке. Относительные диэлектрические проницаемости и тангенсы угла потерь пластины и подложки имеют следующие значения: я =4; юг=5; т9д =0,02; tgBz =0,5.

Приповерхностные расслоения толщи15 ной d залегают в пластине на глубинах и, изменяющихся от 0,25 до 2,25 мм, Полученные годографы, а также годографы для других случае показывают, что для приповерхностных тонких расслоений мож20 .но получать однозначную информацию о глубине расположения и толщине расслоений, Формул а и зоб рете н и я

Способ градуировки дефектоскопа при25., поверхностных расслоений в изделиях из диэлектриков, заключающийся в облучении эталонного образца электромагнитной волной, изменении коэффициента отражения и определении зависимости коэффициента

30 отражения от глубины залегания и толщины расслоения, отличающийся тем,что, с целью упрощения способа, в качестве эталонного образца используют бездефектный образец, на поверхности которого установ35 лены пластины. различной толщины на подпорках, которые изготовлены из того же материала, что и беэдефектный образец, а зависимость коэффициента отражения от .глубины залегания и толщины расслоения

40 определяют путем облучения пластин различной толщины и изменения высоты подпорок соответственно,.

1774237

Составитель О,Лящук

Техред M,Ìîðãåíòàë Корректор И,Муска

Редактор .

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 3923 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5