Способ получения поликристаллического кремния

 

Использование: в полупроводниковых приборах. Сущность изобретения: хлорсиланы подают в камеру кристаллизации со скоростью не менее 800 л/мин, воздействуя на них поперечным магнитным полем с индукцией 0,1-0,8 Тл, в камере осуществляют нагрев до температуры кристаллизации в водородной атмосфере и сьем кристаллов. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧ Е С К ИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (51)5 С 01 В 33/02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ (21) 4848475/26 (22) 09.07,90 (46) 30.09.92. Бюл, ¹ 36 (71) Мариупольский металлургический институт (72) З.B. Харламова (56) Реньян В.Р, Технология полупроводникового кремния, М,; Металлургия, 1969, с.

23.

Изобретение относится к области получения поликристаллов и может применяться для получения поликристаллов кремния с улучшенными свойствами, используемого после переработки в полупроводниковых изделиях.

Ближайшим техническим решением, принятым за прототип является способ получения поликристаллического кремния, включающий подачу исходного продукта, нагрев до температуры кристаллизации в водородной среде и съем поликристаллов.

Однако, эффективность процесса мала и качество получаемого поликристаллического кремния низкое, т. е. продукт получается хрупким, Цель изобретения — повышение выхода и снижение хрупкости продукта, Поставленная цель достигается тем, что в способе получения поликристаллического кремния, включающем подачу исходного продукта, нагрев до температуры кристаллизации в водородной среде и съем поликристаллов, подачу исходного продукта (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ (57) Использование: в полупроводниковых приборах. Сущность изобретения: хлорсиланы подают в камеру кристаллизации со скоростью не менее 800 л/мин, воздействуя на них поперечным магнитным полем с индукцией 0,1-0,8

Тл, в камере осуществляют нагрев до температуры кристаллизации в водородной атмосфере и съем кристаллов. 1 табл, ведут со скоростью не менее 800 л/мин при воздействии поперечного магнитного поля с индукцией 0,1 — 0,8 Тл, причем индукцию магнитного поля изменяют прямопропорционально скорости подачи.

При скорости подачи менее 800 л/мин процесс малоэффективен. Максимальное значение скорости в настоящее время ограничивается возможностями установки и может быть 19СО л/мин. Однако, это не является предельным значением скорости подачи для данного способа, При совершенстве установки скорость подачи исходного сырья может возрастать неограниченно, При индуктивности магнитного поля менее 0,1 Тл качество получаемого продукта ниже.

При индуктивности магнитного поля более 0,8 Тл возникает опасность магнитного резонанса молекул исходного продукта, При нарушении прямопропорциональной зависимости скорости подачи исходного материала и индуктивности поперечного

1765116

Составитель 3,Харламова

Техред М.Моргентал Корректор С,Юско

Редактор

Заказ 3350 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035; Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

ПрОизводственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 магнитного поля снижается эффективность процесса и качество получаемого продукта.

Пример конкретного выполнения, В условиях лаборатории были проведены испытания, результаты которых приве- 5 дены в таблице. Исходное вещество— трихлорсилан. Получение поликристаллов кремния осуществляют в присутствии водорода при 1200 С.

Продукт при подаче в камеру подверга- 10 ют воздействию поперечного магнитного поля, Анализ результатов показывает, что процесс более эффективен при пропорциональном увеличении скорости и индукции. 15

Однако, при скоростях выше 1700 л/мин, как показали исследования, процесс становится неэкономичным, т. к. выход готового продукта не увеличивается.

Следовательно, предложенная совокупность признаков позволяет повысить выход продукта и получить поликристаллы кремния с пониженной хрупкостью, Формула изобретения

Способ получения поликристаллического кремния, включающий подачу хлорсиланов в камеру кристаллизации, нагрев до температуры кристаллизации в водородной атмосфере и съем кристаллов, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения выхода и снижения хрупкости продукта, подачу хлорсиланов ведут со скоростью не менее

800 л/мин при воздействии поперечного магнитного поля с индукцией 0,1 — 0,8 Тл.