Способ формирования лесокультурных площадок на каменистых склонах

 

Использование: сельское и лесное хозяйство . Сущность изобретения. На склоне под углом к основному уклону нарезают в противоположных направлениях траншеи. С обеих сторон траншей устраивают земляные валики. В местах пересечения траншей устанавливают подпорные стенки с углом раствора, соответствующим углу пересечения траншей. Траншею за подпорными стенками заполняют почвогрунтом из валиков с верхней стороны траншеи, формируя выемочно-насыпные площадки террасовидного профиля, „ ил.

союз соВетских

СОЦИАЛИСтИчЕС ИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 А 01 В 13/16,79/02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4698098/15 (22) 27.03.89 (46) 07.09.92. Бюл, М 33 (71) Украинское научно-производственное объединение "Лес" (72) Н,Н.Агапонов, Ю.К.Телешек и В.B.Çàмлел ый (56) Авторское свидетельство СССР

N 946418. кл. А 01 В 13/16, 1980. (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛЕСОКУЛЬТУРНЫХ ПЛОЩАДОК НА КАМЕНИСТЫХ СКЛОНАХ

Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к способам формирования лесокультурных площадок на каменистых склонах, и может быть использовано в лесном хозяйстве при создании мелиоративных насаждений.

В горных и равнинных районах СССР определенная часть безлесных площадей представлена каменистыми склонами или берегами гидрографической сети, на которых проведение работ по подготовке почвы и посадке лесных культур связано со значительными трудностями.

Известен способ формирования лесокультурных площадок на каменистых склонах (кн. Ф.К.Кочерги. Типы лесных культур для Узбекистана. Ташкент: Госиздат УЗССР, 1954, с.134-140). включающий устройство выемочно-насыпных площадок террасовидного профиля с обратным уклоном их полот. Ы 1759245 А1 (57) Использование: сельское и лесное хозяйство. Сущность изобретения. На склоне под углом к основному уклону нарезают в противоположных направлениях траншеи, С обеих сторон траншей устраивают земляные валики. В местах пересечения траншей устанавливают подпорные стенки с углом раствора, соответствующим углу пересечения траншей. Траншею за подпорными стенками заполняют почвогрунтом из валиков с верхней стороны траншеи, формируя выемочно-насыпные площадки террасовидного профиля. ил. на и сооружение почвенных валиков по бокам. За счет придания поверхности площадок обратного уклона и ограничения по бокам земляными валиками повышается их противоэрозионная устойчивость. Однако такая конструкция площадок требует повышенных трудовых затрат для их изготовления, особенно на склонах с маломощной каменистой почвой.

Известен также способ формирования лесокультурных площадок на каменистых склонах (авт,св. СССР Q 912072, кл. А 01 В

13/16, 1979), включающий предварительное глубокое рыхление почвогрунта вдоль по склону и устройство террасовидных площадок иэ разрыхленного плодородного слоя почвы. Такое предварительное глубокое рыхление облегчает работу по формированию площадок и позволяет улучшить водный и питательный режимы

1759245 корнеобитаемого слоя в местах посадки растений, Однако этот способ малоэффективен в аридных условиях. где за счет открытых глубоких щелей, устроенных путем безотвального рыхления почвогрунта, на инсолируемых склонах происходит сильное иссушение осваиваемой площади. Сильному иссушению в этих условиях подвергается и насыпная часть самой лесокультурной площадки.

В качестве прототипа выбран способ форми рова ни я лесокул ьтурных площадок на каменистых склонах (авт. св, СССР М

946418, кл. А 01 В 13/16, 1980), содержащий нарезку по диагонали к основному уклону в противоположных направлениях траншей, оборудованных с нижней стороны водозадерживающими земляными валиками, и сооружение в местах их пересечения выемочно-насыпных площадок с террасовидным поперечным профилем, Такое устройство посадочных мест обеспечивает задержание и концентрированную подачу поверхностного стока с расчетного микроводосбора на лесокультурные площадки.

Недостатками этого способа формирования посадочных мест в аридных условиях на склонах с маломощной каменистой почвой являются высокая дренированность и малая устойчивость насыпного корнеобитаемого слоя из каменистого почвогрунта на лесокультурных площадках. Последняя здесь обуславливается деформациями и просадкой насыпного почвогрунта, Цель изобретения — предупреждение деформации, улучшение пищевого и водного режимов насыпного корнеобитаемого слоя посадочных мест в аридных условиях на инсолируемых склонах с маломощной почвой.

Цель достигается тем, что при нарезке траншей земляные валики устраивают с обеих сторон траншей, в местах их пересечения устанавливают подпорные стенки с углом раствора, соответствующим углу пересечения траншей, а лесокультурные площадки формируют, заполняя траншею за подпорными стенками почвогрунтом из валиков с верхней стороны траншеи.

Установка подпорной стенки в местах пересечения траншей обеспечивает экранизацию нижней части корнеобитаемого слоя почвогрунта насыпных площадок, что сокращает потери почвенной влаги на отток ее по уклону и интенсивное испарение, а предотвращает сползание насыпного грунта.

Техническая сущность предлагаемого способа формирования лесокультурных

50 валиков 4. Подгорные валики 3 сохраняют непрерывными на всем осваиваемом участке для задержания поверхностного стока при выпадении экстремальных дождей.

Поверхности насыпных лесокультурных

55 площадок 7 придается обратный уклон в

6-80. После естественного уплотнения наСыпного грунта на лесокультурных площадках производят посадку растений.

Предлагаемый способ формирования в условиях аридного климата лесокультурных

40 площадок с дополнительным питанием их корнеобитаемого слоя за счет поверхностного стока, поступающего с расчетных водосборов, поясняется фиг. 1 — 3.

На фиг. 1 дан общий вид (сверху) осваиваемого участка склона после нарезки по диагонали непрерывных траншей с одновременным формированием по их сторонам земляных валиков; на фиг, 2 — он же после устройства следующих траншей и валиков с противоположным направлением; на фиг. 3 — он же после установки подпорных стенок в местах пересечения противоположных траншей и формирования лесокультурных площадок из почвогрунта нагорных земляных валиков.

Предлагаемый способ предусматривает нарезку на участке склона 1 непрерывных траншей с образованием по их сторонам земляных подгорных 3 и нагорных 4 валиков. пересечения их другими траншеями 5, расположенными по диагонали к основному уклону участка, установку подпорных стенок V-образного профиля и формирование непосредственно перед подпорными стенками насыпных лесокультурных площадок 7 с мощным корнеобитаемым слоем из почвогрунта нагорных земляных валиков 4.

Подгорная стенка 6 Ч-образного профиля изготавливается из армированного желеэобетона, металла, а облегченные ее варианты — из пластмасс.

Сущность предлагаемого способа заключается в следующем.

На склоновом участке 1 по диагонали к основному его уклону нарезают непрерывные траншеи 2 с образованием земляных валиков на подгорной 3 и нагорной 4 их сторонах. Затем в прямо противоположном направлении устраивают вторые траншеи 5 с такими же земляными валиками. Расстояwe между траншеями (параллельными и противоположными) устанавливают исходя из расчетных параметров микроводосборов лесокультурных площадок. В местах пересечения траншей устанавливают подпорные стенки 6, после чего приступают к формированию насыпных лесокультурных площадок

7. Для этого используют грунт из нагорных

1759245

55 площадок с дополнительным увлажнением их корнеобитаемого слоя за счет поверхностного стока на инсолируемых склонах с маломощными каменистыми почвами по сравнению с прототипом обладает техническими преимуществами, указанными в таблице, Ожидаемый зкономический эффект от применения в аридных условиях предлагаемого способа формирования на инсолируемых склонах с маломощной каменистой почвой насыпных лесокультурных площадок с подпорными стенками достигается за счет: лучшего накопления и сбережения (на

10-15% в период вегетации) в корнеобитаемом слое посадочных мест доступной растениям почвенной влаги, что создает предпосылки для высокой их сохранности; повышения устойчивости насыпных площадок на склонах к различным деформациям к разрушению; сокращения затрат на дополнения лесных культур при высокой (90% и более) их сохранности (при низкой сохранности растений на их дополнение на 1 га затрачивается до 1,1 человеко-смены и до 5,49 руб.), Предлагаемый способ апробировали на объекте мелиорации Беловодской ЛМС в

Беловодском районе Ворошиловградской области. Под эксперимент был взят коренной инсолируемый берег р.Деркул крутизной до 20 . Берег сложен чистым мелом. В покрове преобладала маломощная (10-15 см) дерново-карбонатная почва на дел ювии мела. Поверхность берега частично (в верхней и нижней частях) покрыта травянистой растительностью.

В 1986 г нэ экспериментальном участке крутизной 14-19 по диагонали к горизонталям через 3,5 м прокладывали траншеи глубиной 30 и шириной до 20 см. Дно траншеи рыхлили на глубину до 30 см. Траншеи прокладывали в противоположных направлениях, они пересекались одна с другой под углом 120 .

Подпорные стенки изготавливали из листового железа толщиной 4 мм. Высота их в растворе составляла 0,9 м, а по краям боковин — 0,5 м. Боковины брали длиной 1,2 м, раствору боковин стенки придавали угол

1200, Подпорные стенки устанавливали вручную в местах пересечения траншей и с нижней стороны укрепляли путем засыпки грунта в траншею и последующего его уплотнения.

Следующей операцией являлось формирование корнеобитэемого слоя лесокультурной площадки. Рыхлый почвогрунт из нагорных валиков перемещали в емкость, образованную с нагорной части между боковинами подпорной стенки. Объем грунта, перемещаемого нэ одну площадку ромбической формы размером до 2 м, составлял

1,3-1,5 м. Из него формировали корнеобитаемый слой мощностью у подпорной стенки до 0,5 м. Поверхности площадок придавали обратный уклон в 6-8, В 1987 г. на площадках производили посадку под меч Колесова по 5 шт. двухлетних сеянцев соосны крымской. Сохранность растений к осени 1988 г. составила 86%.

B период вегетации запас доступной растениям влаги в корнеобитаемом слое лесокультурных площадок по предлагаемому способу был на 5-15% больше, чем в аналогичном слое почвогрунта нэ площадках, созданных в прототипе. При этом заметных разрушений насыпного слоя лесокультурных площадок и траншей в предлагаемом способе не отмечалось.На площадках прототипа происходила усиленная деформация их насыпного откоса под влиянием в основном талых вод.

Формула изобретения

Способ формирования лесокультурных площадок на каменистых склонах, включающий нарезку под углом к основному уклону в противоположных направлениях траншей, имеющих с нижней стороны водонаправляющие земляные валики, формирование в местах пересечения траншей выемочно-насыпных площадок с террасовидным поперечным профилем, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью предупреждения деформации, улучшения пищевого и водного режимов насыпного корнеобитаемого слоя посадочных мест в аридных условиях на инсолируемых склонах с маломощной почвой, при нарезке траншей земляные валики устраивают с обеих сторон траншей, в местах их пересечения устанавливают подпорные стенки с углом раствора, соответствующим углу пересечения траншей, а лесокультурные площадки формируют, заполняя траншею за подпорными стенками почвогрунтом из валиков с верхней стороны траншей.

1759245

Наименование технических и эксплуатационных показателей

Показатель актический или асчетный

3а счет чего достигается улучшение показ а т е л е и предлагаемого способа предлагаемого способа прототипа

Пониженный

Установка подпорных стенок в местах пересечения траншей

То же

Повышенный

Расход почвогрунта на формирование площадок

Мощность рыхлого корнеобитаемого слоя на площадках

Потеря влаги корнеобитаемым слоем площадок за счет ее оттока по уклону и интенсивного испарения

Повышенная

Пониженная

Экранирование насыпного грунта в нижней части площадок

Пониженная

Повышенная

ИГ.

Фиг.1

Составитель Л. Квардакова

Редактор Г.Мамаева ТехредМ.Моргентал Корректор Н.Слободяник

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 3125 Тираж Подписное

8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5