Генератор импульсов

 

Изобретение относится к импульсной технике, в частности к генераторам импульсов , и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначения. Цель изобретения - расширение диапазона регулировки частот и повышение стабильности частоты - достигается тем, что в генератор импульсов, содержащий транзисторы 1 и 2 первого типа проводимости , транзистор 3 второго типа проводимости, конденсатор 5, резисторы 6, 9,10, 11 и 13, шину питания 7, общую шину, выходную шину 12, введен транзистор 4 второго типа проводимости, база и коллектор которого соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 2, эмиттер транзистора 4 соединен с эмиттером транзистора 3. 2 ил.

(19) (11) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 03 К 3/02

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4814117/21 (22) 16.04.90 (46) 23.06.92. Бюл. ЬЬ 23 (71) Кустовой вычислительный центр Белорусского республиканского банка Госбанка СССР (72) М.И.Богданович и А.С.Тюльменков (53) 621.318(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 680150, кл. Н 03 К 3/02, 06.04.76. (54) ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ (57) Изобретение относится к импульсной технике, в частности к генераторам импульсов, и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного

Изобретение относится к импульсной технике, в частности к генераторам импульсов, и может быть использовано в радиоэлектронных устройствах различного назначения.

Цель изобретения — расширение диапазона регулировки частоты и повышение стабильности частоты.

На фиг.1 представлена принципиальная электрическая схема генератора импульсов; на фиг.2 — временные диаграммы его работы.

Генератор импульсов содержит транзисторы 1 и 2 первого типа проводимости, транзисторы 3 и 4 второго типа проводимости. База и коллектор транзисгора 1 соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 3, эмиттер которого соединен с первой обкладкой конденсатора 5, с эмиттеназначения. Цель изобретения — расширение диапазона регулировки частот и повышение стабильности частоты — достигается тем, что в генератор импульсов, содержащий транзисторы 1 и 2 первого типа проводимости, транзистор 3 второго типа проводимости, конденсатор 5, резисторы 6, 9, 10, 11 и 13, шину питания 7, общую шину, выходную шину 12, введен транзистор 4 второго типа проводимости, база и коллектор которого соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 2, эмиттер транзистора 4 соединен с эмиттером транзистора 3. 2 ил. ром транзистора 4 и через резистор 6 подключен к шине питания 7. Вторая обкладка конденсатора 5 соединена с общей шиной 8 и эмиттером транзистора 2. База и коллектор транзистора 2 соединены соответственно с коллектором и базой транзистора 4. В схеме имеются резисторы 9 и 10. Эмиттер транзистора 1 соединен с базой транзистора 2 и через резистор 11 подключен к общей шине 8. Коллектор транзистора 2 соединен с выходной шиной 12 и через резистор 13 подключен к шине питания. Резистор 13 на один — два порядка более низкоомный, чем резисторы 9 и 10, Генератор импульсов работает следующим образом.

При включении питания транзисторы 1, 2, 3 и 4 закрыты. На базе транзистора 3 положительное напряжение, равное 0,6

1742979

Опит, где 0пит — напряжение источника питания. На базе транзистора 4 и на выходной шине 12 положительное напряжение, приблизительно равное Unm. Конденсатор 5 заряжается по цепи: шина питания — резистор

6, верхняя обкладка конденсатора 5 — нижняя обкладка конденсатора 5 — общая шина.

Когда напряжение на конденсаторе 5 превысит напряжение на базе транзистора 3, то транзистор 3 открывается. Ток коллектора транзистора 3 открывает транзистор 1, ток коллектора которого еще больше открывает транзистор 3. За счет положительной обратной связи между транзисторами 3 и 1 возникает лавинообразный процесс переключения их в режим насыщения, Конденсатор 5 начинает разряжаться по цепи: верхняя обкладка конденсатора 5 — переход эмиттер — база транзистора 3 — переход коллектор — эмиттер транзистора 1 — переход база — эмиттер транзистора 2 — общая шина.

Поэтому транзистор 2 открывается, и напряжение на его коллекторе, база транзистора

4 и на выходной шине достаточно быстро уменьшается. Конденсатор 5 разряжается медленнее, чем уменьшается напряжение на базе транзистора 4. Поэтому, когда напряжение на базе транзистора 4 станет меньше, чем напряжение на разряжающемся конденсаторе, откроется эмиттерный переход транзистора 4. Ток коллектора транзистора 4, суммируясь с током эмиттера транзистора 1, еще больше откроет транзистор 2. За счет положительной обратной связи по току между транзисторами 2 и 4 возникает лавинообразный процесс открывания и насыщения транзисторов 2 и 4. На выходной шине 12 установится низкий уровень напряжения, После открывания и насыщения транзисторов 2 и 4 конденсатор 5 будет разряжаться через эти транзисторы, потому что их внутреннее сопротивление и падения напряжения на них будут меньше, чем у транзисторов 1 и 3 (так как в эмиттерной цепи транзистора 1 включена достаточно высокоомная база транзистора 2). Таким образом, окончание разряда конденсатора

5 будет происходить через транзистор 2 и 4, а транзисторы 1 и 3 начнут закрываться.

После разряда конденсатора 5 транзисторы 2 и 4 начнут закрываться, и на выходной шине 12 вновь восстановится высокий уровень напряжения. Работа генератора импульсов поясняется временной диаграммой на фиг.2. Соотношение времен заряда и разряда конденсатора на фиг.2 условно не выдерживается. Реальное время заряда на один — два порядка больше времени разряда, 5

10 ров 9 и 10

Благодаря тому, что максимальный пе15 риод следования импульсов определяется

Таким образом, регенеративный процесс в генераторе импульсов начинается с лавинообразного процесса включения транзисторов 3 и 1, причем ток эмиттера транзистора 3, при котором начинается этот процесс, определяется величиной резисторов 9 и 10.

Регенеративный процесс в генераторе заканчивается выключением транзисторов

4 и 2, .ток выключения которых определяется величиной резистора 13, которая на один— два порядка меньше, чем величина резистовеличиной резисторов 9 и 10, а минимальный — величиной резистора 13, в предложенном устройстве достигается расширение диапазона регулировки частоты следования импульсов.

Повышение стабильности частоты следования импульсов в предложенном устройстве достигается за счет уменьшения остаточного напряжения на конденсаторе до 0,7 — 1,0 В, которое весьма нестабильно при изменениях температуры. Уменьшение остаточного напряжения на конденсаторе достигается за счет более глубокого разряда конденсатора через транзисторы 4 и 2, которые соединены непосредственно с общей шиной. В прототипе последовательно с транзисторами регенеративного ключа включен эмиттерный переход транзистора, что увеличивает остаточное напряжение на конденсаторе до 1,5 — 2,0 В, т.е. в два раза.

Формула изобретения

Генератор импульсов, содержащий первый и второй транзисторы первого типа проводимости, третий транзистор второго типа проводимости, база и коллектор первого транзистора соединены соответственно с коллектором и базой третьего транзистора, эмиттер которого соединен с первой обкладкой конденсатора и через первый резистор подключен к шине питания, вторая обкладка конденсатора соединена с общей шиной, коллектор первого транзистора соединен через второй и третий резисторы соответственно с шиной питания и общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора и через четвертый резистор подключен к общей шине, которая соединена с эмиттером вторсго транзистора, коллектор которого соединен с выходной шиной и через пятый резистор подключен к шине питания, о т л и ч а ю щ ий с я тем, что, с целью расширения диапазона регулировки частот и повышения стабильности частоты, в него введен четвертый транзистор второго типа проводимости, оа1742979

Составитель Н.Маркин

Техред М.Моргентал Корректор

Редактор О.Стенина

Заказ 2294 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 за и коллектор которого соединены соответственно с коллектором и базой второго транзистора, а эмиттер подключен к эмиттеру третьего транзистора.