Способ получения демпфера ультразвукового преобразователя
Изобретение относится к получению демпферов ультразвуковых преобразователей , используемых при неразрушающем контроле. Изобретение позволяет повысить чувствительность и поглощающие свойства демпфера за счет того, что в способе получения демпфера путем смешения эпоксидной диановой смолы с пластификатором - дибутилфталатом, наполнителем - вольфрамовым порошком и отвердителем полиэтиленполиамином с последующей заливкой в форму и отверждением при комнатной температуре, демпфер изготавливают послойным, при этом заливку каждого последующего слоя осуществляют до окончания полимеризации предыдущего слоя. Первый слой содержит, мас.ч.: эпоксидная диановая смола 100 - 105; вольфрамовый порошок 65 - 70; полиэтиленполиамин 10 - 15, второй слой содержит, мас.ч.: эпоксидная диановая смола 100 - 105. вольфрамовый порошок 65 - 70; полиэтиленполиамин 10 - 15; дибутилфталат 10 - 15, третий слой содержит, мас.ч.: эпоксидная диановая смола 100- 105, вольфрамовый порошок 65 - 70; полиэтиленполиамин 10 - 15; дибутилфталат 20 - 35, четвертый слой содержит, мас.ч.: эпоксидная диановая смола 100 - 105; вольфрамовый порошок 65 - 70. дибутилфталат 30 - 50. 3 табл. Ё
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4645285/05 (22) 19.08,88 (46) 15.03.92. Бюл, N 10 (72) С.А. Владимиров, Г, В, Кошелевский, П.А,Балакирев и В.А.Евтушенко (53) 678,686 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
N 832465, кл. G 01 N 29/04, 1980. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕМПФЕРА УЛЬТРАЗВУКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ (57) Изобретение относится к получению демпферов ультразвуковых преобразователей, используемых при неразрушающем контроле. Изобретение позволяет повысить чувствительность и поглощающие свойства демпфера за счет того, что в способе получения демпфера путем смешения эпоксидной . диановой смолы с пластификатором — дибутилфталатом, наполнителем — вольфрамовым порошком и отвердителем
Изобретение относится к неразрушающему контролю и касается способа изготовления демпферов ультразвуковых преобразователей.
Цель изобретения — повышение чувствительности и поглощающих свойств демпфера, Пример. Изготовление композиции осуществляли по известной технологии.
Заливку каждого слоя в корпусе преобразователей производили после выдержки предыдущего слоя при комнатной температуре в течение 3 ч. После заливки всех слоев преобразователи выдерживались в течение
24 ч при 20 С, после чего закрывались пробкой.
„„Я „„1719412 А1 (я)ю С 08 1 63/02, С 08 К 3/08, Н 04
R 1/28, 6 01 N 29/04 полиэтиленполиамином с последующей заливкой в форму и отверждением при комнатной температуре, демпфер изготав,ливают послойным, при этом заливку каждого последующего слоя осуществляют до окончания полимеризации предыдущего слоя. Первый слой содержит, мас.ч.: эпоксидная диановая смола 100 — 105; вольфрамовый порошок 65 — 70; полиэтиленполиамин 10 — 15, второй слой . содержит, мас,ч.: эпоксидная диановая смола 100 — 105. вольфрамовый порошок 65 — 70; полиэтиленполиамин 10 — 15; дибутилфталат 10 — 15, третий слой содержит, мас.ч.: эпоксидная диановая смола 100 — 105, вольфрамовый порошок 65- 70; полиэтиленполиамин 10 — 15; дибутилфталат 20 — 35, четвертый слой содержит, мас.ч.; эпоксидная диановая смола 100 — 105: вольфрамовый порошок 65 — 70. дибутилфталат 30 — 50.
3 табл.
Для исследования был изготовлен ряд преобразователей частотой 5 МГц по описанной технологии диаметром пьезопластины 6 мм с демпфирующими слоями, состав которых приведен в табл.1.
Сравнительный анализ характеристик полученных преобразователей приведен в табл.2.
В табл.3 приведены характеристики полученных преобразователей в сравнении с известным решением.
Формула изобретения
Способ получения демпфера ультразвукового преобразователя, включающий смешение эпоксидной диановой смолы с пластификатором — дибутилфталатом, на1719412
Второй слой
Эпоксидная диановая смола
Вольфрамовый порошок
Полиэтиленполиамин
Дибутилфталат
Третий слой
Эпоксидная диановая смола
Вольфрамовый порошок
Полиэтиленполиамин
Дибутилфталат
Четвертый слой
Эпоксидная диановая смола
Вольфрамовый порошок
Дибутилфталат полнителем — вольфрамовым порошком, и отвердителем — полиэтилен полиамином с последующей заливкой в форму и отверждением при комнатной температуре, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения 5 чувствительности и поглощающих свойств преобразователя, демпфер изготавливают послойным, при этом заливку каждого последующего слоя осуществляют до окончания полимеризации предыдущего слоя при 10 следующем соотношении компонентов по . слоям, мас.ч.;
Первый слой
Эпоксидная диановая смола 100 — 105 15
Вольфрамовый порошок 65 — 70
Полиэтилен полиамин 10- 15
1-00 — 105
65 — 70
10 — 15
10 — 15
100 — 105
65 — 70
10 — 15
20 — 35
100 — 105
65 — 70
30- 50
Таблица 1
Количественный состав демпферов преобг.а ователей
Эпоксидная П о р о ш о к смола ЭД вЂ” 20, вольфрамомас. ч. вый, мас. ч.
Преобраэова- Состав слоя тель
Полизтиленпо- Дибутилфталиамин, мас.ч, лат, мас,ч.
2
4
2
4.
2
1
3
2
2
1.00
105
70.
0
12,5
1.2,5
12,5
12,5
5
14
0
12,5
27,5
1719412
Таблица 2
Осйовные характеристики экспериментальных преобразователей
Таблица 3 с
Характеристика преобразователей
Характеристики после изготовления
Демпфер Высота. мм
Характеристики после ста ения на 120 ч
322
Известный
Пол ченный . — 20 — 28 — 16 — 28
1,25
1,25
184
322
Составитель А.Акимов
Редактор M.Ñàìåðxàíoâà Техред М.Моргентал Корректор О.Кравцова
Заказ 740 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035. Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101
Частота прозвучивания, МГц разница между принятыми эхо сигналами
N c, б коэффициентзатухания (м-f) разница между принятыми эхо сигналами
Nc б коэффи= р циент затухания (м-1)
