Способ создания омических контактов к кремнию

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10^-4 Па, введения фторсодержащего газа BF₃, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контактов, в рабочую камеру дополнительно к BF₃ вводят четырехфтористый углерод и водород при следующем соотношении компонентов в газовой среде состава, об.%:

Четырехфтористый углерод 15-25Водород 15-30 BF₃Остальное

до создания вакуума (3,2-8,0)·10^-2Па.

Изобретение относится к производству интегральных схем с многоуровневыми межсоединениями

Способ создания металлизации полупроводниковых приборов // 1679911

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов

Устройство для получения охлаждаемого точечного контакта между металлическими электродами // 1631626

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при исследовании металлов методом микроконтактной спектроскопии, а также при создании чувствительных элементов радиотехнической аппаратуры (детекторов электромагнитного излучения, преобразователей частоты, магнитометров и др.) на основе охлаждаемых точечных контактов

Устройство для напыления омических контактов полупроводниковых элементов // 1624564

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при получении омических контактов электронно-лучевым напылением в вакууме

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором // 1623492

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов // 1616429

Способ изготовления золотоалюминиевых термокомпрессионных соединений // 1604089

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ получения контактов к кремниевой подложке // 1602279

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к способам получения контактов к кремниевой подложке

Способ создания межсоединений интегральных схем // 1595277

Способ получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений // 1589927

Изобретение относится к микроэлектронике, к способу получения золото-алюминиевых микросварных контактных соединений

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др