Способ изготовления корпусов гибридных интегральных схем

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления гибридных интегральных схем из материалов, вступающих в контактно-реактивное плавление. Цель изобретения - повышение герметичности и точности геометрических размеров корпуса. Способ предусматривав г изготовление заготовок из металлического материала (титана), из которых одна пара заготовок имеет рельефную поверхность концевых граней, сборку заготовок на оправке, сжатие заготовок и пропускание тока с использованием шунтирующих вставок. Новым является покрытие остроконечных торцовых поверхностей металлом (никелем), образующим с основным металлом (титаном) эвтектику. Самый верхний участок рельефа в месте касания со свариваемой стенкой оставляют непокрытым, э сверху осуществляют нагрев одновременно всех четырех швов одним коротким импульсом электрического тока 3 ил.

,4Ф ж 74Ф, СОГОЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

;5П5 Н 01 1 21/48

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ СИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4713636/21 (22) 04.07.89 (46) 23.12.91. Бюл, М 47 (72) А.А.Вовк и B,Н.Андреичев (53) 621.3,396(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 868893, кл, Н 011 21/96, 1973, (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОРПУСОВ

ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (57) Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления гибридных интегральных схем из материалов, вступающих в контактно-реактивное плввление, Цель изобретения— повышение герметичности и точности геоИзобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления гибридных интегральных схем в металлических герметичных корпусах из материалов, вступающих в контактно-реактивное плавление.

Цель изобретения — повышение герметичности и точности геометрических размеров корпуса.

На фиг.1 приведена схема конструкции корпуса; на фиг,2 — разновидности рельефных поверхностей концевых граней пластин, несущих частичное покрытие металлом (показан штихпунктирной линией), образующим с основным металлом эвтектику; на фиг.3 и 4 — схема соединений пластины с помощью сварного шва и его герметизации за счет эвтектики, Способ осуществляют следу,ощим образом.

„„S U, 1700640 А1 метрических размеров корпуса, Способ предусматривает изготовление заготовок из металлического материала (титана), М3 которых одна пара заготовок имеет рельефную поверхность концевых граней, сборку заготовок на оправке, сжатие заготовок и пропускание тока с использованием шунтирующих вставок. Новым является покрытие остроконечных торцовых поверхностей металлом (никелем), образующим с основным металлом (титаном) эвтектику. Самый верхний участок рельефа в месте касания со свариваемой стенкой оставляют непокрытым, э сверху осуществляют нагрев одновременно всех четырех швов одним коротким импульсом электрического тока, 3 ил.

Изготавливают ззготовки граней 1 и 2 корпуса из листового металлического материала, например титана. На боковых гранях

2 формируют торцевые остроконечные профили 3 и 4. На торцевые остроконечные профили заготовки 2 боковых граней наносят металлическое покрытие 5, образующее с материалом заготовок эвтектику. Затем перед сборкой удаляют с вершин профилей покрытие. Сборку корпуса проводят на оправке 6, зажимая заготовки между электродами 7 и 8. При этом устанавливают шунтирующие вставки 9 и 10, пропускают

—;ov, по образовавшейся цепи между электродами 7 и 8 в виде короткого импульса продолжительностью 2 — 3 с в защитной среде.

При достижении температуры образования эвтектики, например, никель-титан, происходит оплавление боковых поверхно1700640 стей остроконечных профилей. Одновременно с разогревом на острие профиля действует приложенное к электродам давление. . В процессе сварки (через непокрытые участки) и осадки вытеснений на периферию расплав собирается в углублении фаски (фиг.3) или образует галтель (фиг.4).

Осаженный остроконечный профиль об; разует после сварки монолитное соедине ние со стенками корпуса.

Предлагаемый способ сварки полностью сохраняет геометрию пластин и корпу. са в целом за счет распределения, симметричных тепловых нагрузок одновременно по всем четырем швам. За счет сварки в местах со снятым покрытием и пайки эвтектикой на периферии сварного шва обеспечивается получение наиболее прочного и герметичного шва. Вследствие одновременной сварки 4-х швов и отсутствия

; необходимости механической обработки швов после сварки (отсутствуют наплывы на швах и на входе и на выходе электродов) значительно повышается производительность труда; технологический процесс может быть автоматизирован, Формула изобретения.

5 Способ изготовления корпусов гибридных интегральных схем, включающий изготовление заготовок граней корпуса йз листового металлического материала, нанесение на заготовки боковых граней металли10 ческого покрытия, образующего с материалом заготовок эвтектику, сборку заготовок на оправке,! нагрев и вЫдержку до соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения герметичности и точно15 сти геометрических размеров корпуса, при изготовлении боковых граней корпуса торцевые поверхности граней формируют с остроконечным профилем, после нанесения металлического покрытия с вершин остро20 конечного профиля снимают покрытие, а нагрев осуществляют одновременным пропусканием импульса электрического тока через все места соединений граней при одновременном прижатии граней в местах

25 соединений, Составитель С. Манякин

Редактор H. Лазоренко Техред М.Моргентал Корректор Q, Кундрик

Заказ 4472 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Способ изготовления корпусов гибридных интегральных схем Способ изготовления корпусов гибридных интегральных схем Способ изготовления корпусов гибридных интегральных схем 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструированию носителей для монтажа интегральных схем

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии, и может быть использовано для герметизации этих преобразователей и других полупроводниковых приборов в плоских корпусах
Изобретение относится к способу изготовления керамической многослойной подложки, в частности подложки, получаемой низкотемпературным совместным обжигом керамики, в котором путем печатания на несколько сырых керамических пленок с применением токопроводящей пасты наносят печатные проводники и/или получают металлизированные отверстия для межслойных соединений, а затем сырые керамические пленки набирают в пакет, укладывая их одна на другую, и подвергают обжигу

Изобретение относится к области радио- и электротехники и может быть использовано при разработке и изготовлении прецизионных высоковакуумных приборов в авиакосмической и радиотехнической отраслях

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ и СВЧ транзисторов

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано, например, в микрогирометрах, микроакселерометрах, микродатчиках давления

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления гибридных интегральных схем в герметичных корпусах из материалов, вступающих в контактно-реактивное плавление

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов, в частности к их сборке в пластмассовых корпусах
Изобретение относится к способу производства изделий электронной техники, преимущественно выводных рамок мощных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к способу покрытия оболочкой полупроводникового электронного компонента, содержащего выполненные рельефно на поверхности изолирующей керамической пластинки токопроводящие дорожки, боковые края которых образуют вместе с поверхностью указанной пластинки, соответственно, края и дно канавок, разделяющих токопроводящие дорожки. Способ включает этап, на котором в указанную канавку наносят гибридный материал, содержащий изолирующее связующее со взвешенными частицами полупроводникового материала, и этап, на котором сверху на токопроводящие дорожки и гибридный материал наносят слой изолирующего материала. Изобретение обеспечивает уменьшение напряжения на подступах к токопроводящим дорожкам, повышение порога появления паразитных разрядов, являющихся причиной пробоя изолирующих материалов, а также улучшение условий старения керамики. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

(57) Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к гироскопии, и может быть использовано в приборостроении, авиакосмической отрасли и машиностроении. Технический результат - повышение качества и обеспечение технологичности изготовления. Для этого обезгаживание, вакуумирование и герметизацию выполняют в одном операционном цикле в герметичной вакуумной камере с остаточным давлением не более чем 5·10-5 мм рт.ст. При этом основание с магнитной системой и кремниевым резонатором и крышку размещают в герметичной вакуумной камере раздельно, не соприкасая друг с другом, и обезгаживают одновременно при температуре не менее 150°С в течение не менее 4-х часов, а для вакуумирования и герметизации основание накрывают крышкой и герметизируют, одновременно обеспечивают вакуумирование микрогироскопа, поддерживая внутри герметичной вакуумной камеры остаточное давление не более чем 5·10-5 мм рт.ст. 1 ил.

Изобретение относится к способу изготовления металлизированной подложки (1), при этом подложка (1) по меньшей мере частично, предпочтительно полностью состоит из алюминия и/или алюминиевого сплава, при этом на поверхность (2) подложки (1) наносят по меньшей мере в некоторых зонах проводящую пасту (3), в первой фазе (B1) обжига подвергают проводящую пасту (3) воздействию постоянно повышающейся температуры (Т) обжига. Причем температуру (Т) обжига повышают по меньшей мере временно от примерно 40°С в минуту до примерно 60°С в минуту, при этом температуру (Т) обжига повышают до задаваемой максимальной температуры (Tmax) обжига меньше примерно 660°С. Во второй фазе обжига подвергают проводящую пасту (3) в течение задаваемого промежутка времени воздействию, по существу, задаваемой максимальной температуры обжига. В фазе охлаждения охлаждают проводящую пасту, и в фазе последующей обработки поверхность (4) проводящей пасты (3) подвергают последующей механической обработке, предпочтительно крацеванию. 18 з.п. ф-лы, 2 ил.
Наверх