Полупроводниковый фотокатод
Полупроводниковый фотокатод, содержащий полупроводник p-типа с активирующим покрытием, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фотокатода за счет увеличения поверхностного изгиба зон, на поверхность полупроводника p-типа нанесен полупроводниковый слой n-типа толщиной 3 - 10 с концентрацией доноров на единицу поверхности (1,8 - 2,2)
1017м-2.
Похожие патенты:
Изобретение относится к электронной технике, в частности к кольцевым катодно-подогревательным узлам (КПУ) мощных ЭВП, использующих трубчатые электронные пучки
Торцовый катодно-подогревательный узел // 1634043
Плазменный источник заряженных частиц // 1633467
Изобретение относится к электронной технике, в частности к плазменным источникам электронов и ионов, Целью изобретения является повышение энергетической и газовой эффективности источника заряженных частиц
Источник электронов со взрывным катодом // 1628757
Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкциям катодно-подогревательных узлов (КПУ) с малым временем готовности
Прямонакальный катод магнетрона // 1598753
Изобретение относится к электронной технике, в частности к прямоканальным вторично-эмиссионным катодам магнетронов
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технике получения импульсных сильноточных релятивистских электронных пучков
Электронное устройство // 2102812
Электронное устройство // 2102812
Изобретение относится к области получения мощных ионных пучков (МИП) и может быть использовано в ускорителях, работающих в непрерывном и импульсном режимах
Магнетрон // 2115193
Рамочный электрод // 2118868
Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем