Датчик свч мощности
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения малой мощности. Цель изобретения - увеличение чувствительности датчика, улучшение согласования с СВЧ-трактом и повышение надежности. Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1, снабженный двумя омическими контактами 2, 3, один из которых имеет большую площадь, чем другой. Цель достигается тем, что омический контакт 2 меньшей площади выполнен с матричной структурой поверхности границы раздела металл-полупроводник, причем поверхность каждого элемента матричной структуры, обращенная к контакту большей площади, имеет полусферическую форму. 2 ил.
COIO3 СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК ((9) (! !) (s!)s 6 01 R 21/66
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4719880/09 (22) 19,07.89 (46) 23.07.91. Бюл. М 27 (71) Харьковский государственный университет им.А.М.Горького (72) А.И.Стариков и В.М.Светличный (53) 621.317.37 (088,8) (56) Авторское свидетельство СССР
М 520547, кл. 6 01 R 21/04, 1975.
Валитов P.À. и др. Измерения на милли-. метровых и субмиллиметровых волнах. М.:
Радио и связь, 1984, с.54-57. (54) ДАТЧИК СВЧ-МОЩНОСТИ (57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения малой мощности, Цель изобретения — увеличение чувствительности датчика, улучшение согласования с СВЧ-трактом и повышение надежности. Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1, снабженный двумя омическими контактами 2, 3, один из которых имеет большую площадь, чем другой. Цель достигается тем, что омический контакт 2 меньшей площади выполнен с матричной структурой поверхности границы раздела металл-полупроводник, причем поверхность каждого элемента матричной структуры, обращенная к контакту большей площади, имеет полусферическую форму. 2 ил.
1665316
Фия2
Составитель P. Кузнецова
Техред М.Моргентал Корректор M. Кучерявая
Редактор В, Данко
Заказ 2390 Тираж 410 Подписное
ВНИИ ПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035. Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101
Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться для измерения малой мощности.
Цель изобретения — увеличение чувствительности датчика, улучшение согласования с СВЧ-трактом и повышение надежности.
На фиг.1 приведена конструкция датчика СВЧ-мощности; на фиг.2 — конструкция омического контакта;
Датчик СВЧ-мощности содержит полу проводниковый кристалл 1, снабженный двумя омическими контактами, один из ко(, торых — омический контакт 2 выполнен меньшей площади, чем омический контакт !, 3, датчик размещен на металлическом осно вании 4, причем омический контакт 2 выпол, нен с матричной структурой поверхности границы раздела металл-полупроводник., Омический контакт 2 представляет собой металлический электрод правильной фор мы, например, шестиугольника, диска, с поверхностью границы раздела
,металл-полупроводник в виде системы соприкасающихся полусфер радиусом rK.
Датчик СВЧ-мощности работает следующим образом.
При помещении датчика СВЧ-мощности в волноводный тракт СВЧ-мощность концентрируется вблизи элемента матричного контакта — омического контакта 2 и носители заряда у этих элементов разогреваются,. в то время как у второго контакта
3 они остаются в тепловом равновесии с кристаллической решеткой полупроводникового кристалла 1. Возникающая термо-ЭДС (горячих носителей заряда служит мерой
СВЧ-мощности, падающей на датчик.
Чувствительность датчика с матричным контактом отличается в к /n раз от иэвестз
5 ного датчика при одинаковых сопротивлениях и отличающихся радиусах, где К =
rk гэф гэ гэффективный радиус, и — количество элементов в матрице. Сопротивление такого
10 датчика зависит от и, r, т.е., изменяя и, легко получить необходимое сопротивление для согласования с СВЧ-трактом при оптимальном радиусе полусферического элемента для получения максимальной
15 чувствительности, что снимает ограничение на чувствительность датчика. Выход из строя одного элемента почти не отражается на его параметрах, следовательно, он надежнее, 20
Формула изобретния
Датчик СВЧ-мощности, содержащий полупроводниковый кристалл, снабженный двумя омическими контактами, один из ко25 торых имеет большую площадь, чем другой, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности датчика, улучшения согласования с СВЧ-трактом и повышения надежности, омический контакт
30 меньшей площади выполнен с матричной структурой поверхности границы раздела металл-полупроводник, причем поверхность каждого элемента матричной структуры, обращенная к контакту большей
35 площади, имеет полусферическую форму.