Способ изготовления контактов к кремнию

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления интегральных элементов микроэлектронных устройств. Цель изобретения - снижение сопротивления контакта и повышение его стабильности. Цель достигается тем, что на кремниевые структуры электронно-лучевым испарением в вакууме при температуре подложки 270°С наносят пленку алюминия толщиной 60±10 мм и через нее проводится имплантация ионов SIF<SP POS="POST">X</SP> с энергией 150 кэВ и дозой 5 <SP POS="POST">.</SP> 10<SP POS="POST">16</SP> см<SP POS="POST">-3</SP>. Способ позволяет уменьшить величину сопротивления контакта в 2 - 3 раза. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)ю Н 01 1 21/80

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4711406/21 (22) 29.06,89 (46) 07.07.91. Бюл. М 25 (71) Московский авиационный технологический институт им. К.Э. Циолковского (72) А.B. Черняев и З.В. Кичкина (53) 621.3,049(088.8) (56) Технология СБИС./Под ред. С. Зи. М.:

Мир, 1986, т. 2, с. 88.

Патент США М 4482394, кл. 148/15, 1984. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЮ

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления интегральных элементов микроэлектронных устройств.

Целью изобретения является снижение сопротИвления контакта и повышение его стабильности.

Сущность изобретения заключается в том, что на кремний напыляют тонкую пленку алюминия, имплантируют через эту пленку ионы фторида кремния и проводят термообработку.

Химическим источником для получения ионов фторидов кремния служит гаэ SiF4 или соли кремнефтористоводородной кислоты, например Маем!Р6, BaSIFs.

Ионы фторидов кремния ускоряются, сепарируются по массе и внедряются в кремний через напыленную пленку алюминия. Доза ионов выбирается в зависимости от требуемой концентрации кремния в формируемой пленке сплава. Внедряемые ионы фторидов кремния при взаимодействии с

„„ Д „„1661875 А1 (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления интегральных элементов ми кроэлектрон н ых устройств. Цель изобретения — снижение сопротивления контакта и повышение его стабильности, Цель достигается тем, что на кремниевые структуры электронно-лучевым испарением в вакууме при температуре подложки 270 С наносят пленку алюминия толщиной 60 + 10 мм и через нее проводится имплантация ионов

SIF* с энергией 150 кэВ и дозой 5 *10 см

Способ позволяет уменьшить величину со. противления контакта в 2 — 3 раза. 1 табл. алюминием диссоциируют на атомы кремния и фтора.

Вследствие относительной близости масс атомов фтора, кремния и алюминия передаваемая при столкновениях энергия упругого рассеяния приближается к своему максимальному значению. Это приводит к увеличению числа и равномерности распределения радиационных дефектов и обусловливает оптимизацию твердофазного перемешивания алюминия и кремния. При термообработке происходит восстановление атомами фтора островковой пленки диоксида кремния на границе Si-SION. чем подавляется миграция алюминия в кремниевую подложку, В результате совершенствования структуры пленки и подавления миграции алюминия наблюдается повышение стабильности и снижение сопротивления контакта к кремнию.

Пример. На кремниевые структуры 2

КЭФ 0,1 (111)/380 КЭС 7,5 (111) диаметром

1661875

Составитель Е.Панов

Редактор Л,Гратилло Техред М.Моргентал Корректор А.Осауленко

Заказ 2130 Тираж 372 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

76 мм методом электронно-лучевого испарения в вакууме на установке "Оратория-9" при температуре подложки 270 С наносится пленка алюминия толщиной 60 + 10 нм, Чеоез нее проводилась имплантация ионов

SlF с энергией 150 кэВ и дозой 5 10 см

Источниками ионов служило термическое разложение Ва$1Рв при 550 С. Термообработка структур проводилась в диффузион- ной. печи СДО 125/3 в атмосфере сухого, "аргона в течение 10 мин, Результаты по тестовйм структурам представлены в таблице.

Полученные данные показывают, что данный способ позволяет уменьшить величину сопротивления контакта в 2-3 раза.

После 120-часовой выдержки при 100 С сопротивление контакта увеличивается Ъо известному способу на 40, à по предлагаемому на 15, что свидетельствует

5 об,улучшении стабильности контакта.

Формула изобретения

Способ изготовления контактов к кремнию, включающий напыление на кремний

10 тонкой пленки алюминия, имплантацию через зту пленку полиатомных ионов кремния итермообработку, отличающийся тем, что, с целью снижения сопротивления контакта и повышения его стабильности, в ка15 честве полиатомных ионов кремния выбирают ионы фторида кремния.