Способ очистки ртути
Изобретение относится к цветной металлургии, в частности к рафинированию ртути. Целью изобретения является повышение эффективности очистки . Способ осуществляется вертикальной направленной кристаллизацией со скоростью 2-25 мм/ч при этом на жидкую фазу воздействуют вращающимся электромагнитным полем с напряженностью (15-20)-1О3 А/м. 2 ил.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 С 22 В 43/00
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АBTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ и
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4671896/02 (22) 03,04.89 (46) 07.04.91. Бюп. Н 13 (72) А.П.Вевиорский, В. H. Èâà Hîâ и О.В.Иосалев (53) 669 . 79 1 (088 .8) (56) Ниссепьсон Л.А., Ярошевский A.Ã.
Коэффициенты разделения при дистплляционной и кристаллизационной очистке ртути. †. Высокочистые вещества, 1987, У 1, с. 51 и 52.
Изобретение относится к получению высокочистых материалов для полупроводниковой электроники.
Целью изобретения является повышение эффективности очистки.
Согласно способу очистки ртути, включающему в ертикал ьную напра вп енную кристаллизацию со скоростью
2-25 мм/ч, на жидкую фазу воздействуют вращающимся эп ектр ома г нитным полем с напряженностью (12-15) 10 А/м
При наложении поля с напряженностью Н = 5000 А/м на ламинарный режим движения в жидкой фазе накладывается турбулентность. В интервале (1520) 10 А/м происходит резкое изменение характера движения уже в пограничном гидродинамическом слое.
Переход через границу, соответствующую критическому числу Рейнольдса при напряженности электромагнитного поля
>15000 А/м, приводит к стабилизации значения эффективного коэффициента разделения.
„„Я0„„164О188 А 1
2 (54) СПОСОБ ОЧИСТКИ РТУТИ (57) Изобретение относится к цветной металлургии, в частности к рафинированию ртути. Цепью изобретения является и овышение эффективности очистки. Способ осуществляется вертикальной направленной кристаллизацией с.о скоростью 2-25 мм/ч при этом на жидкую фазу воздействуют вращающимся электромагнитным полем с напряженностью (15-20) ° 10 А/м ° 2 ил.
Повышение напряженности выше значения 20000 А/м экономически нецелесообр аз но, поскольку эффективность очистки не растет.
При значениях ki менее 15000 А/м эффективность очистки падает, поскольку характер движения жидкости меняется на паминарный и растет толщина пограничного гидропинамического слоя.
Предлагаемый способ позволяет приблизительно на один порядок слив зить значение эффективного коэффициента распределения и повысить глубину очистки ртути, На фиг. 1 показана зависимость
К, си от напряженности электромагнитного поля, на фиг. 2 — зависимость величины эффективного коэффициента распределения от концентрации (примеси меди) для различной напряженности магнитного поля: график 1 при Н = 10 10 А/м, график 2 — при
Н - =17 ..10э А/м.
1640188 формула изобретения
072
ОЛО
О,дб
200 1 7П- тГ ИО- С„ „Я
И!0 >/Р
ХО 100
Фиа1
Составитель К.Дьяконов
Техр ед М. Дидык Корректор С ° вверни
Редактор И.Дербак
Заказ 998 Тираж 380 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035; Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101
Ртуть, предварительно очищенная известным способом, включающим тер» мохимическую обработку и вакуумную ректнфикацию, и подвергнутая финишному кристаллизационному рафинирова5 нию с наложением вращающегося электромагнитного поля, обеспечивает воспроизводимый уровень электрофизических параметров полупроводниковых 10 твердых растворов на основе теллурида ртути.
Способ очистки ртути, включающий вертикальную направленную кристаллизацию со скоростью 2-25.мм/ч, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса очистки, на жидкую фазу воздействуют вращающимся электромагнитным полем с напряженностью (15-20) ° 10 А/м.
