Сверхпроводящая планарная структура
Авторы патента:
Сверхпроводящая планарная структура, содержащая две сверхпроводящие пленки, разделенные субмикронным зазором и расположенные на проводящей подложке, отличающаяся тем, что, с целью увеличения критической плотности тока при большой ширине зазора, подложка выполнена или из массивных кристаллов или из кристаллической пленки сплава висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат.%: Sb - 10-5 - 23 Bi - Остальное
Похожие патенты:
Изобретение относится к области получения магнитных полей заданной величины с использованием явления высокотемпературной сверхпроводимости
Способ изготовления полых стержней из высокотемпературной сверхпроводящей металлокерамики // 1625300
Изобретение относится к технологии изготовления изделий из высоко температурных сверхпроводящих металлокерамик
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для создания сквидов и измерительных приборов на их основе
Изобретение относится к получению материалов , обладающих сверхпроводимостью
Изобретение относится к технике СВЧ-измерений и может быть использовано для контроля параметров сверхпроводящих СВЧ-резонаторов путем импульсного теплового воздействия на внутреннюю поверхность резонатора и измерением временной зависимости температуры внешней поверхности с последующей обработкой амплитудно-временных характеристик полученных сигналов
Изобретение относится к технологии изготовления цилиндрического сверх проводящего резонатора для метрологии и ускорительной техники
Устройство для исследования зависимости токонесущей способности сверхпроводников от температуры // 1545888
Изобретение относится к технике измерения при исследовании свойств сверхпроводников
Способ получения сверхтонких пленок ниобия // 1485972
Изобретение относится к области исследования материалов, а именно к технике спектроскопии квазичастичных возбуждений в твердых телах
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К
Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS