Способ сухого травления ниобата лития
Изобретение относится к области электроники, в частности к методам изготовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития. Обеспечивается повышение скорости травления. Способ включает сухое травление в плазме высокочастотного разряда газообразного гексафторида серы SF6 при условии Т 700-3, 4Р , где Т - температура ниобата лития, К; Р - давление SFg , равное Па. Достигнута скорость травления 0,25- 0,45 мкм/мин. 1 табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
„„SU„„1638222 (51)5 С 30 В 33/12 29/30
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
I (21 ) 46755 16/26 (22 ) 11, 04. 89 (46) 30 ° 03.91. Бюл. ¹ 12 . (71 ) Воронежский государственный .университет им. Ленинского комсомола (72) В. А. Гольдфарб, Ю. И. Дикарев, В.И. Петраков и Л. В. Перелыгина (53) 621. 315. 592 (088. 8) (56) Chung P.S. -at а1. Dry etching
characteristics of ZiNb0>.//Е iectron
Ze t t. 1986, 22, № 9, р. 484-485. (54 ) СПОСОБ СУХОГО ТРАВЛЕНИЯ НИОБАТА
ЛИТИЯ
Изобретение относится к электро— технике, в частности к методам изготовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития.
Цель изобретения — повьппение скорости процесса.
Пример. Прямоугольные образцы ниобата лития L iNb0 толщиной 0,75 мм с линейными размерами 8-10 мм подвергают травлению в плазме высокочастотного разряда — ВЧ газообразного гексафторида серы SF . Способ возбужде6 ния разряда — диодный, рабочая частота. 13,56 МГц. Образцы располагают на металлическом столе в цилиндрической кварцевой реакционно-разрядной камере
PPK вертикального типа на расстоянии
45 мм от потенциального электрода.
Диаметр камеры 120 мм. Вакуумная система обеспечивает уровень предварительного разрежения в PPK не хуже
2,7 Па. Процесс травления L111ЬО проводят при давлениях плазмообразующего газа P=40, 53, 66 Па и средних эначе2 (57) Изобретение относится к области электроники, в частности к методам из готовления приборов на твердом теле с использованием ниобата лития. .Обеспечивается повышение скорости травления. Способ включает сухое травление в плазме высокочастотного разряда газообразного гексафторида серы SF при условии Т . 700-3, 4Р, где Т - температура ниобата лития, К;
P - давление Баб, равное 40 Р 66 Па.
Достигнута скорость травления 0,250,45 мкм/мин. 1 табл, ниях плотности мощности в объеме PPK от О, 13 до 0,34 Вт/см . Значения темп пературы образца измеряют хромель- С апюмелевой термопарой на поверхности стола после окончания цикла травления. Среднюю скорость травления определяют взвешиванием образца до и р после процесса с последукщим пересчетом разницы веса в изменение толщины.
В таблице приведены результаты травления образцов LiNb0> при различных параметрах процесса: P - давление,.Па; l4 - среднее значение плотности мощности ВЧ энергии в объеме
РРК, Вт/см, ТК - температура обраэ3 ца в градусах Кельвина; v " скорость . тр авления образца, мкм/мин.
В известном способе скорость трав- и
I ления не превышает 0,2 мкм/мин.
Таким образом, использование изобретения позволит увеличить скорость плазмохимическогo травления ниобата лития.
1638222
Формула изобретения
Продолжение таблицы
53 0,13 оэ 17
0,22
0,13
О, 17
0,22
520"
40 0,17
0,1
0,25
0,15
0,25
0,15
0,25, 20 + Звездочкои обозначены те значе ния Т, которые удовлетворяют условию в формуле изобретения.
0,22
0,32
Составитель В.Безбородова
Техред Л. Сердюкова Корректор Н.Ревская
Редактор А.Маковская
Заказ 904 Тираж 266 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r Ужгород, ул. Гагарина,101
Способ сухого травления ниобата
1 лития в плазме высокочастотного разря5 да газообразного гексафторида, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения скорости процесса, для трав- ления используют гексафторид серы и процесс ведут при условии Т>700-3,4Р, 10 где T — температура ниобата лития, К;
40 Па Р 66 Па — давление гексафторида серы.
500»
475»
465»
450
0,15
0,85
0,05
0,3
0,15 .0,25
0,2
0,5
0,2
0,25
0,15
0,25
0,05
0,45
